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보호막을 갖는 MTJ(Magnetic Tunnel Junction) 셀에 있어서, 인가되는 전압에 기초하여 조절되는 자화 ？？향을 갖는 자유층; 상기 자유층의 조절되는 자화 방향에 대한 기준 자화 방향을 갖는 고정층; 상기 자유층과 상기 고정층 사이에 배치되어 절연체로 형성되는 절연층; 상기 절연층의 측면을 감싸도록 형성되는 보호막; 및 상기 자유층의 측면, 상기 고정층의 측면 및 상기 절연층의 측면에 형성된 보호막을 감싸도록 형성되는 ILD(Inter-Level Dielectric)를 포함하는 MTJ 셀
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제1항에 있어서,상기 보호막은 상기 ILD로부터 상기 절연층이 격리되도록 상기 절연층과 상기 ILD 사이에 미리 설정된 두께로 형성되는 MTJ 셀
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제1항에 있어서, 상기 보호막은 스페이서 식각(spacer etch) 공정을 통하여 상기 절연층의 측면을 감싸도록 형성되는 MTJ 셀
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제1항에 있어서, 상기 보호막은 상기 ILD의 항복 전압(Breakdown Voltage; BV) 값 보다 큰 항복 전압 값을 갖는 물질로 형성되는 MTJ 셀
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제4항에 있어서, 상기 보호막은 유전체 물질(dielectric material)로 형성되는 MTJ 셀
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제1항에 있어서, 상기 보호막은 상기 자유층 또는 상기 고정층 중 적어도 어느 하나의 측면을 감싸도록 상기 자유층 또는 상기 고정층 중 적어도 어느 하나와 상기 ILD 사이에 형성되는 MTJ 셀
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제1항에 있어서, 상기 절연층은 금속 산화물로 형성되는 MTJ 셀
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보호막을 갖는 MTJ(Magnetic Tunnel Junction) 셀 제작 방법에 있어서,인가되는 전압에 기초하여 조절되는 자화 ？？향을 갖는 자유층을 형성하는 단계; 상기 자유층의 조절되는 자화 방향에 대한 기준 자화 방향을 갖는 고정층을 형성하는 단계; 상기 자유층과 상기 고정층 사이에 절연체로 형성되는 절연층을 배치하는 단계; 상기 절연층의 측면을 감싸도록 보호막을 형성하는 단계; 및 상기 자유층의 측면, 상기 고정층의 측면 및 상기 절연층의 측면에 형성된 보호막을 감싸도록 ILD(Inter-Level Dielectric)을 형성하는 단계를 포함하는 MTJ 셀 제작 방법
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제8항에 있어서,상기 보호막을 형성하는 단계는 상기 ILD로부터 상기 절연층이 격리되도록 상기 절연층과 상기 ILD 사이에 미리 설정된 두께로 상기 보호막을 형성하는 단계를 포함하는 MTJ 셀 제작 방법
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제8항에 있어서,상기 보호막을 형성하는 단계는 스페이서 식각(spacer etch) 공정을 통하여 상기 절연층의 측면을 감싸도록 상기 보호막을 형성하는 단계를 포함하는 MTJ 셀 제작 방법
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제8항에 있어서,상기 보호막을 형성하는 단계는 상기 ILD의 항복 전압(Breakdown Voltage; BV) 값 보다 큰 항복 전압 값을 갖는 물질로 상기 보호막을 형성하는 단계를 포함하는 MTJ 셀 제작 방법
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제11항에 있어서,상기 보호막을 형성하는 단계는 유전체 물질(dielectric material)로 상기 보호막을 형성하는 단계를 포함하는 MTJ 셀 제작 방법
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제8항에 있어서,상기 보호막을 형성하는 단계는 상기 자유층 또는 상기 고정층 중 적어도 어느 하나의 측면을 감싸도록 상기 자유층 또는 상기 고정층 중 적어도 어느 하나와 상기 ILD 사이에 상기 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 MTJ 셀 제작 방법
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제8항에 있어서,상기 절연층을 형성하는 단계는 금속 산화물로 상기 절연층을 형성하는 단계를 포함하는 MTJ 셀 제작 방법
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