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소스/드레인 전극이 형성된 기판 상에 형성된 터널링 절연막과, 상기 터널링 절연막 상에 형성된 전하 저장막과;상기 전하 저장막 상에 형성된 블로킹 절연막과;상기 블로킹 절연막 상에 형성된 금속 게이트 전극층을 포함하는 전하 트랩형 플래시 메모리 소자의 동작 방법으로서,상기 메모리 소자의 쓰기 동작 전에, 상기 금속 게이트 전극층에 음의 전압을 인가하여, 상기 기판으로부터 전하 저장막으로 정공을 주입하고 금속 게이트 전극층으로부터 전하 저장막으로의 전자 이동을 억제하는 것을 특징으로 하는 전하 트랩형 플래시 메모리 소자의 동작 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 기판으로부터 전하 저장막으로 주입되는 정공의 양을 늘리기 위하여, 상기 블로킹 절연막은 고유전율 절연막으로 구성하는 것을 특징으로 하는 전하 트랩형 플래시 메모리 소자의 동작 방법
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청구항 2에 있어서, 상기 블로킹 절연막은 복수 개의 층으로 구성되고, 이 중 금속 게이트 전극층과 접촉하는 최상부의 블로킹 절연막은 고유전율 절연막으로 구성하는 것을 특징으로 하는 전하 트랩형 플래시 메모리 소자의 동작 방법
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청구항 2에 있어서, 상기 고유전율 절연막은 Al2O3, HfO2, TiO2, ZrO2, HfAlOx, HfSiOx, HfSiON, TiSiOx, ZrSiOx, Ta2O5, ZrAlOx, Nb2O5, ZrSiON 및 TiAlOx로 구성되는 군에서 선택되는 물질을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 전하 트랩형 플래시 메모리 소자의 동작 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 기판을 0V로 설정하고 금속 게이트 전극층에 음의 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 전하 트랩형 플래시 메모리 소자의 동작 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 전하 저장막에 주입하고자 하는 정공의 양에 따라, 상기 인가하는 전압의 크기와 시간을 설정하는 것을 특징으로 하는 전하 트랩형 플래시 메모리 소자의 동작 방법
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청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서, 상기 메모리 소자의 쓰기 동작시, 게이트 전압에 걸리는 전압 및 상기 전하 저장막에 주입된 정공으로 인하여, 쓰기 속도가 증대되는 것을 특징으로 하는 전하 트랩형 플래시 메모리 소자의 동작 방법
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청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서, 상기 음의 전압을 인가하여, 상기 메모리 소자의 문턱 전압을 음(-)의 방향으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 전하 트랩형 플래시 메모리 소자의 동작 방법
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청구항 8에 있어서, 상기 메모리 소자의 문턱 전압이 음(-)의 방향으로 이동함에 따라, 음(-)의 방향의 문턱 전압에서도 멀티 비트가 구현되는 것을 특징으로 하는 전하 트랩형 플래시 메모리 소자의 동작 방법
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