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기판을 제공하는 단계;소스-드레인 전극을 형성하는 단계;채널 층을 형성하는 단계;상기 채널 층 상에 이온성 액체-고분자 복합체 박막을 형성하는 단계;게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 이온성 액체-고분자 복합체 박막은 이온성 액체와 절연성 고분자의 혼합 용액으로부터 형성되며, 상기 이온성 액체-고분자 복합체 박막은 절연막 및 전하 저장층으로 이용되고, 상기 이온성 액체-고분자 복합체 박막에서 상기 이온성 액체가 고분자 중에 혼입되어 고분자 절연막의 커패시턴스를 증대시키며, 상기 이온성 액체-고분자 복합체 박막과 채널 층 사이의 계면에서 음이온과 양이온이 게이트 바이어스에 따라 포집 및 탈포집되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 채널 층은 폴리(3-헥실씨오펜)(P3HT), pentacene, 6,13-bis(triisopropylsilylethynyl) pentacene (TIPS-pentacene), poly-[bis(4-phenyl)(2,4,6-trimethylphenyl)amine] (PTAA), fullerene, poly(benzimidazobenzophenanthroline)(BBL) 및 poly{[N,N9-bis(2-octyldodecyl)-naphthalene-1,4,5,8-bis(dicarboximide)-2,6-diyl]-alt-5,59-(2,29-bithiophene)} (P(NDI2OD-T2))을 포함하는 군에서 선택되는 재료를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
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청구항 4에 있어서, 상기 이온성 액체-고분자 복합체 박막의 고분자는 poly(vinylidene fluoride-co-trifluoroethylene) (PVDF-TrFE), poly(vinylidene fluoride- co-hexafluoropropylene) (PVDF-HFP) 또는 poly(vinylidene-fluoride-trifluoroethylene-chlorotrifluoroethylene) (PVDF-TrFE-CTFE)인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
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청구항 5에 있어서, 상기 이온성 액체-고분자 복합체 박막의 이온성 액체는 1-ethyl-3-methylimidazolium bis(trifluoromethylsulfonyl) amide ([EMI][TFSA]), LiTFSI, lithium bis(trifluoromethylsulfonyl)imide (LiTFSI), 1-butyl-3-methylimidazolium hexafluorophosphate ([BMIM]BF6) 및 1-ethyl-3-methylimidazolium n-octylsulfate([EMIM]OctOSO3)를 포함하는 군으로부터 선택되는 이온성 액체인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 비휘발성 메모리 소자는 1T(one transistor)-형 비휘발성 메모리 소자인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
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1T(one transistor)-형 비휘발성 메모리 소자로서,기판과,상기 기판 상에 형성된 소스-드레인 전극과;채널 층과;상기 채널 층 상에 형성된 이온성 액체-고분자 복합체 박막과;상기 박막 상에 형성된 게이트 전극을 포함하고, 상기 이온성 액체-고분자 복합체 박막은 이온성 액체와 절연성 고분자의 혼합 용액으로부터 형성되며, 상기 이온성 액체-고분자 복합체 박막은 절연막 및 전하 저장층으로 이용되고, 상기 이온성 액체-고분자 복합체 박막에서 상기 이온성 액체가 고분자 중에 혼입되어 고분자 절연막의 커패시턴스를 증대시키며, 상기 이온성 액체-고분자 복합체 박막과 채널 층 사이의 계면에서 음이온과 양이온이 게이트 바이어스에 따라 포집 및 탈포집되는 것을 특징으로 하는 1T-형 비휘발성 메모리 소자
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청구항 8에 있어서, 상기 채널 층은 P3HT, pentacene, TIPS-pentacene, PTAA, fullerene, BBL 및 P(NDI2OD-T2)을 포함하는 군에서 선택되는 재료를 이용하여를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 1T-형 비휘발성 메모리 소자
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청구항 11에 있어서, 상기 이온성 액체-고분자 복합체 박막의 고분자는 PVDF-TrFE, PVDF-HFP 또는 PVDF-TrFE-CTFE인 것을 특징으로 하는 1T-형 비휘발성 메모리 소자
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청구항 12에 있어서, 상기 이온성 액체-고분자 복합체 박막의 이온성 액체는 EMI[TFSA], LiTFSI, [BMIM]BF6 및 [EMIM]OctOSO3를 포함하는 군에서 선택되는 이온성 액체인 것을 특징으로 하는 1T-형 비휘발성 메모리 소자
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