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금속 나노입자를 실리콘 기판의 표면에 분산 위치시키는 제1단계; 및상기 금속 나노입자를 촉매로 하여 화학적으로 에칭함으로써, 상기 실리콘 기판에서 상기 금속 나노입자가 접촉한 부분을 식각하여 표면에 크레이터 구조를 형성하는 제2단계로 구성되며,상기 금속 나노입자로서 구리 나노입자를 사용하여, 상기 제2단계의 크레이터 구조를 형성하는 과정에서 상기 구리 나노입자가 전부 용해됨으로써, 별도의 구리 나노입자 제거 공정을 수행하지 않는 것을 특징으로 하는 실리콘 표면 에칭방법
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청구항 1에 있어서,상기 제1단계가 구리 이온을 함유하는 용액과 불산을 혼합한 용액에 상기 실리콘 기판을 침지하여 수행하는 것을 특징으로 하는 실리콘 표면 에칭방법
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청구항 3에 있어서,상기 구리 이온을 함유하는 용액이 Cu(NO3)2 용액인 것을 특징으로 하는 실리콘 표면 에칭방법
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청구항 1에 있어서,상기 제2단계가 불산과 산화제를 포함하는 혼합 용액에 상기 실리콘 기판을 침지하여 수행되는 것을 특징으로 하는 실리콘 표면 에칭방법
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청구항 5에 있어서,상기 산화제가 H2O2인 것을 특징으로 하는 실리콘 표면 에칭방법
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청구항 1에 있어서,상기 제1단계에서 상기 금속 나노입자의 크기를 조절하여, 상기 제2단계에서 생성되는 상기 크레이터의 깊이를 제어하는 것을 특징으로 하는 실리콘 표면 에칭방법
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금속 나노입자를 실리콘 기판의 표면에 분산 위치시키는 제1단계;상기 금속 나노입자를 촉매로 하여 화학적으로 에칭함으로써, 상기 실리콘 기판에서 상기 금속 나노입자가 접촉한 부분을 식각하여 표면에 크레이터 구조를 형성하는 제2단계; 및상기 크레이터 구조가 형성된 표면에 무전해 도금 공정으로 시드층을 형성하는 제3단계로 구성되며,상기 금속 나노입자로서 구리 나노입자를 사용하여, 상기 제2단계의 실리콘 기판 표면을 에칭하는 과정에서 상기 구리 나노입자가 전부 용해됨으로써, 별도의 구리 나노입자를 제거하는 공정 없이 제3단계를 수행할 수 있는 것을 특징으로 하는 전해증착용 시드층 형성방법
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청구항 8에 있어서,상기 제1단계는 구리 이온을 함유하는 용액과 불산을 혼합한 용액에 상기 실리콘 기판을 침지하여 수행하는 것을 특징으로 하는 전해증착용 시드층 형성방법
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청구항 10에 있어서,상기 구리 이온을 함유하는 용액이 Cu(NO3)2 용액인 것을 특징으로 하는 전해증착용 시드층 형성방법
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청구항 8에 있어서,상기 제2단계는 불산과 산화제를 포함하는 혼합 용액에 상기 실리콘 기판을 침지하여 수행되는 것을 특징으로 하는 전해증착용 시드층 형성방법
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청구항 12에 있어서,상기 산화제가 H2O2인 것을 특징으로 하는 전해증착용 시드층 형성방법
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청구항 8에 있어서,상기 시드층이 Ni 합금재질인 것을 특징으로 하는 전해증착용 시드층 형성방법
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청구항 14에 있어서,상기 시드층을 형성하는 무전해 도금액이 NiSO4-6H2O, Na3C6H5O7-2H2O, DMAB 및 H3BO3를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 전해증착용 시드층 형성방법
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