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전기화학적 식각을 이용한 마이크로사이즈 금속 식각방법

  • 기술번호 : KST2014048354
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전기화학방법을 이용한 금속의 미세 가공 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 금속 기판 상에 포토레지스트를 도포하는 단계; 상기 포토레지스트를 노광하는 단계; 상기 포토레지스트를 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴이 형성된 금속 기판에 전기를 인가하여 전기화학적인 방법으로 금속을 식각하는 단계; 및 상기 금속 기판 상에 잔존하는 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 미세 가공 방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 방법은 사이드 에칭(side etching) 현상이 감소되며 정밀한 미세 패턴을 용이하게 형성할 수 있고, 식각 속도 및 깊이의 조절이 용이할 뿐만 아니라 공정이 단순하고 공정 시간을 단축시킨다.금속 가공, 미세 가공
Int. CL H01L 21/306 (2006.01.01) H01L 21/3063 (2006.01.01) H01L 21/027 (2006.01.01)
CPC G03F 7/00(2013.01) G03F 7/00(2013.01)
출원번호/일자 1020070030186 (2007.03.28)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0860306-0000 (2008.09.19)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080925) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.03.28)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박진구 대한민국 경기 안산시 상록구
2 임현우 대한민국 경기 안산시 단원구
3 조민수 대한민국 경기 수원시 권선구
4 조영식 대한민국 경기도 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장수영 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, *층(역삼동, 대아빌딩)(특허법인 신우)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 에리카산학협력단 경기도 안산시 상록구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2007-0242040-70
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.11.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.12.05 수리 (Accepted) 9-1-2007-0075133-08
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0095952-60
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.04.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0294439-70
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2008-0294333-39
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2008.08.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0410665-17
9 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2008.08.13 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2008-0035871-13
10 등록결정서
Decision to grant
2008.09.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0482454-12
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
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번호 청구항
1 1
금속 기판 상에 포토레지스트를 도포하는 단계;상기 포토레지스트를 노광하는 단계; 상기 포토레지스트를 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴이 형성된 금속 기판에 1 A/cm2 내지 7 A/cm2의 전류 밀도로 전기를 인가하여 전기화학적 방법을 이용한 식각을 수행하여 금속을 식각하는 단계; 및 상기 금속 기판 상에 잔존하는 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 금속의 미세 가공 방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 전기화학적 방법을 이용한 식각은 10 ℃ 내지 50 ℃ 의 온도에서 수행하는 것인 금속의 미세 가공 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 전기화학적 방법을 이용한 식각은 전해액 내에서 금속 기판을 침지시켜 수행하는 것인 금속의 미세 가공 방법
5 5
제4항에 있어서,상기 전해액은 크롬산을 전해액 1 L에 대해 10 g 미만으로 함유하는 것인 금속의 미세 가공 방법
6 6
제5항에 있어서,상기 전해액은 부피비로 20 내지 70%의 강산, 20 내지 70%의 약산 및 5 내지 30%의 물을 포함하는 것인 금속의 미세 가공 방법
7 7
제6항에 있어서,상기 강산은 NaF, HCl, HBr, H2SO4, HNO3, NaNO3, HClO4 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종을 포함하는 것인 금속의 미세 가공 방법
8 8
제6항에 있어서,상기 약산은 HF, HCN, CH3COOH, HCOOH, HCNO, H2CO3, H3PO4, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종을 포함하는 것인 금속의 미세 가공 방법
9 9
제1항에 있어서,추가로 전기화학적 방법을 이용한 식각시 초음파, N2 가스 버블 또는 순환 방식을 수행하는 금속의 미세 가공 방법
10 10
삭제
11 11
제1항에 있어서,상기 미세 패턴은 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.