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지연 제어 신호에 따라 데이터 스트로브 신호를 지연하여 지연 데이터 스트로브 신호를 출력하는 가변 지연부;지연 데이터 스트로브 신호에 동기하여 기준 전압과 데이터 신호를 비교하여 상기 데이터 신호의 논리 레벨을 결정하는 데이터 샘플러; 및트레이닝 패턴을 가지는 데이터 신호가 입력되는 경우 상기 데이터 샘플러의 출력에 따라 상기 지연 제어 신호와 상기 기준 전압을 결정하는 제어부를 포함하는 반도체 장치
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청구항 1에 있어서, 상기 데이터 신호를 필터링하여 상기 데이터 샘플러에 제공하는 제 1 필터; 상기 데이터 샘플러의 출력을 순차적으로 래치하는 하나 이상의 플립플롭을 포함하는 샘플 저장부; 데이터 샘플러의 출력 및 상기 샘플 저장부의 출력을 필터링하여 출력하는 제 2 필터 및 상기 제 1 필터의 출력과 상기 제 2 필터의 출력을 연산하여 상기 데이터 샘플러에 제공하는 연산부를 더 포함하는 반도체 장치
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청구항 2에 있어서, 상기 제어부는 상기 데이터 샘플러의 출력에 존재하는 프리 커서에 따라 상기 제 1 필터를 제어하고, 상기 데이터 샘플러의 출력에 존재하는 포스트 커서에 따라 상기 제 2 필터를 제어하는 반도체 장치
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청구항 3에 있어서, 상기 샘플 저장부의 출력을 병렬화하여 상기 제어부에 제공하는 병렬화부를 더 포함하는 반도체 장치
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청구항 3에 있어서, 상기 제어부는 상기 데이터 신호의 피크 전압을 발견하여 상기 피크 전압의 위치에 상기 지연 데이터 스트로브 신호의 에지가 위치하도록 상기 지연 제어 신호를 결정하는 반도체 장치
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청구항 5에 있어서, 상기 제어부는 상기 결정된 지연 제어 신호에 따라 프리 커서, 메인 커서 또는 포스트 커서를 측정하고 이들에 따라 상기 기준 전압을 결정하는 반도체 장치
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청구항 6에 있어서, 상기 제어부는 상기 프리 커서가 제거되도록 상기 제 1 필터를 제어하고, 그 결과 수정된 메인 커서 또는 수정된 포스트 커서를 이용하여 상기 기준 전압을 결정하는 반도체 장치
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청구항 7에 있어서, 상기 제어부는 상기 수정된 메인 커서의 값과 상기 수정된 포스트 커서의 값의 합의 1/2로 상기 기준 전압을 결정하는 반도체 장치
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청구항 7에 있어서, 상기 제어부는 상기 기준 전압이 결정된 후 상기 수정된 포스트 커서를 제거하도록 상기 제 2 필터를 제어하는 반도체 장치
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청구항 7에 있어서, 제거되는 프리 커서에 따른 메인 커서와 포스트 커서의 변화량의 관계를 저장하는 룩업 테이블을 더 포함하는 반도체 장치,
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기준 전압과 데이터 신호를 비교한 결과를 데이터 스트로브 신호를 지연한 신호에 따라 샘플링하여 출력 신호를 생성하는 반도체 장치의 동작 방법으로서,상기 데이터 스트로브 신호의 지연량을 결정하는 제 1 단계; 및상기 기준 전압을 결정하고 상기 출력 신호에서 프리 커서 및 포스트 커서의 영향을 제거하는 제 2 단계를 포함하는 반도체 장치의 동작 방법
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청구항 11에 있어서, 상기 제 1 단계는소정의 패턴으로 입력된 데이터 신호의 피크 전압의 위치를 찾는 단계; 및상기 피크 전압의 위치에서 상기 데이터 스트로브 신호를 지연한 신호의 에지가 위치하도록 상기 지연량을 결정하는 단계를 포함하는 반도체 장치의 동작 방법
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청구항 12에 있어서, 상기 피크 전압의 위치를 찾는 단계는상기 기준 전압을 초기화하는 단계;단일비트 패턴을 가지는 데이터 신호를 입력하였을 때 출력 신호에 0-003e#1, 1-003e#0의 변화가 존재하는지 판단하는 단계; 및상기 변화가 존재하면 상기 기준 전압을 증가시키고, 상기 변화가 존재하지 않으면 상기 기준 전압을 감소시켜 상기 기준 전압을 갱신하는 단계를 포함하는 반도체 장치의 동작 방법
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청구항 13에 있어서, 갱신된 상기 기준 전압에 따라 상기 판단하는 단계를 반복하는 단계를 더 포함하는 반도체 장치의 동작 방법
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청구항 11에 있어서, 상기 제 2 단계는상기 프리 커서, 메인 커서, 상기 포스트 커서를 추출하는 단계;상기 프리 커서의 영향을 제거하는 단계;상기 프리 커서의 영향을 제거한 후 상기 메인 커서 및 상기 포스트 커서의 값을 갱신하는 단계;갱신된 메인 커서와 갱신된 포스트 커서에 따라 상기 기준 전압을 결정하는 단계 및상기 갱신된 포스트 커서의 영향을 제거하는 단계를 포함하는 반도체 장치의 동작 방법
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청구항 15에 있어서, 상기 추출하는 단계는 상기 기준 전압을 선형적으로 변화시키면서 상기 출력 신호의 패턴이 변화되는 지점의 값을 상기 프리 커서, 상기 메인 커서, 상기 포스트 커서 중 어느 하나의 값으로 결정하는 단계를 포함하는 반도체 장치의 동작 방법
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청구항 15에 있어서, 상기 기준 전압을 결정하는 단계는 상기 갱신된 메인 커서의 값과 상기 갱신된 포스트 커서의 값의 합의 1/2을 상기 기준 전압으로 결정하는 단계를 포함하는 반도체 장치의 동작 방법
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청구항 11에 있어서, 상기 제 2 단계는상기 프리 커서를 추출하는 단계;상기 프리 커서의 영향을 제거하는 단계;상기 기준 전압을 변경하면서 메인 커서 및 포스트 커서를 추출하는 단계;추출된 상기 메인 커서와 포스트 커서에 따라 상기 기준 전압을 결정하는 단계 및상기 포스트 커서의 영향을 제거하는 단계를 포함하는 반도체 장치의 동작 방법
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