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챔버 내의 기판 지지대 상에 기판을 배치시키는 단계;상기 챔버 내의 상기 기판 지지대에 제1 바이어스(bias)가 인가된 상태에서, 상기 챔버 내에 소스 가스를 공급하여, 상기 기판 상에 상기 소스 가스를 제공하는 단계;상기 소스 가스를 퍼지(purge)시키는 단계;상기 기판 지지대에 상기 제1 바이어스의 인가 및 상기 소스 가스의 퍼지가 종료된 후, 상기 기판 지지대에 상기 제1 바이어스와 다른 극성을 갖는 제2 바이어스가 인가된 상태에서, 상기 챔버 내에 반응 가스를 공급하여, 상기 기판 상의 상기 소스 가스와 상기 반응 가스를 반응시켜, 상기 기판 상에 박막을 형성하는 단계; 및상기 반응 가스를 퍼지시키는 단계를 포함하는 원자층 증착법
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제 1항에 있어서,상기 소스 가스를 공급하는 단계는, 상기 소스 가스의 공급이 완료되기 전, 상기 기판 지지대에 인가되는 상기 제1 바이어스의 공급이 종료되는 것을 포함하는 원자층 증착법
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제 1항에 있어서,상기 소스 가스를 퍼지시키는 단계는, 상기 소스 가스가 퍼지되는 적어도 일부 시간 동안, 상기 제1 바이어스가 상기 기판 지지대에 계속해서 인가되는 것을 포함하는 원자층 증착법
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챔버 내의 기판 지지대 상에 기판을 배치시키는 단계;상기 챔버 내의 상기 기판 지지대에 제1 바이어스가 인가된 상태에서 상기 챔버 내에 소스 가스를 공급하여, 상기 기판 상에 상기 소스 가스를 제공하는 단계;상기 소스 가스를 퍼지시키되, 상기 소스 가스의 퍼지가 완료되기 전, 적어도 일부 시간 동안, 상기 제1 바이어스의 인가가 종료된 상태에서, 상기 제1 바이어스와 다른 극성을 갖는 제2 바이어스가 상기 기판 지지대에 인가되는 단계;상기 챔버 내의 상기 기판 지지대에 상기 제2 바이어스가 인가된 상태에서 상기 챔버 내에 반응 가스를 공급하여, 상기 기판 상의 상기 소스 가스와 상기 반응 가스를 반응시켜, 상기 기판 상에 박막을 형성하는 단계; 및상기 반응 가스를 퍼지시키는 단계를 포함하는 원자층 증착법
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챔버 내의 기판 지지대 상에 기판을 배치시키는 단계;상기 챔버 내의 상기 기판 지지대에 제1 바이어스가 인가된 상태에서 상기 챔버 내에 소스 가스를 공급하여, 상기 기판 상에 상기 소스 가스를 제공하는 단계;상기 소스 가스를 퍼지시키는 단계;상기 기판 지지대에 반응 가스를 공급하되, 상기 반응 가스가 일부 공급된 후, 상기 제1 바이어스의 인가가 종료된 상태에서, 상기 제1 바이어스와 다른 극성을 갖는 제2 바이어스가 상기 기판 지지대에 인가되어, 상기 기판 상의 상기 소스 가스와 상기 반응 가스를 반응시켜 상기 기판 상에 박막을 형성하는 단계; 및상기 반응 가스를 퍼지시키는 단계를 포함하는 원자층 증착법
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제 1항에 있어서,상기 반응 가스를 공급하는 단계는, 상기 반응 가스의 공급이 완료되기 전, 상기 기판 지지대에 인가되는 상기 제2 바이어스의 공급이 종료되는 것을 포함하는 원자층 증착법
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제 1항에 있어서,상기 반응 가스를 퍼지하는 단계는, 상기 반응 가스가 퍼지되는 적어도 일부 시간 동안, 상기 제2 바이어스가 상기 기판 지지대에 계속해서 인가되는 것을 포함하는 원자층 증착법
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8
제 1항에 있어서,상기 소스 가스를 퍼지시키는 단계는, 상기 제1 바이어스를 계속해서 상기 기판 지지대에 인가하는 것을 포함하고, 상기 반응 가스를 퍼지시키는 단계는, 상기 제2 바이어스를 계속해서 상기 기판 지지대에 인가하는 것을 포함하는 원자층 증착법
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9
챔버 내에 배치되어, 기판을 지지하는 기판지지대;상기 기판 지지대에 제1 바이어스를 공급하는 제1 바이어스 공급부; 및상기 기판 지지대에 상기 제1 바이어스와 다른 극성을 갖는 제2 바이어스를 공급하는 제2 바이어스 공급부를 포함하되,상기 제1 바이어스 및 상기 제2 바이어스 중에서 어느 하나가 선택적으로, 또는 상기 제1 바이어스 및 상기 제2 바이어스가 동시에 상기 기판 지지대에 인가되는 것을 포함하되, 상기 기판 지지대에 제1 바이어스가 인가된 상태에서, 상기 챔버 내에 소스 가스가 공급되어, 상기 기판 상에 상기 소스 가스가 제공되고, 상기 기판 지지대에 상기 제1 바이어스의 인가 및 상기 소스 가스의 퍼지가 종료된 후, 상기 기판 지지대에 상기 제2 바이어스가 인가된 상태에서, 반응 가스가 공급되어, 상기 기판 상의 상기 소스 가스와 상기 반응 가스를 반응시켜, 상기 기판 상에 박막이 형성되는 것을 포함하는 원자층 증착 장치
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제 9항에 있어서, 상기 제1 바이어스 및 상기 제2 바이어스 중에서 어느 하나가 선택적으로 상기 기판 지지대에 인가되는 경우, 상기 제1 바이어스 공급부, 상기 제2 바이어스 공급부, 및 상기 기판 지지대와 연결되어, 상기 제1 바이어스 및 상기 제2 바이어스 중에서 어느 하나를 선택하여 상기 기판 지지대에 인가하는 선택 제어부를 더 포함하는 원자층 증착 장치
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11
제 9항에 있어서,상기 제1 바이어스 및 상기 제2 바이어스가 상기 기판 지지대에 동시에 인가되는 경우, 상기 제1 바이어스 및 상기 제2 바이어스는 서로 다른 레벨을 가지고, 상기 제1 바이어스 및 상기 제2 바이어스의 레벨의 차이에 따라서, 상기 기판 지지대에 인가되는 바이어스의 극성이 조절되는 것을 포함하는 원자층 증착 장치
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