맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

다층 자성 박막 스택 및 이를 포함하는 비휘발성 메모리 소자(Multilayered magnetic thin film stack and nonvolatile memory device having the same)

  • 기술번호 : KST2016015862
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다층 자기 박막 스택 및 자기 터널링 접합(MTJ)를 이용한 비휘발성 자기 메모리 소자에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 다층 자기 박막 스택은 터널링 장벽층, 상기 터널링 장벽층의 제 1 면 상의 자기 고정층, 및 상기 터널링 장벽층의 상기 제 1 면과 반대되는 제 2 면 상의 자기 자유층을 포함하는 자기 터널링 접합을 포함하는 다층 자기 박막 스택이다. 일 실시예에서, 상기 자기 고정층 및 상기 자기 자유층 중 적어도 하나는, 상기 터널링 장벽층에 인접한 체심 입방 구조를 가지며, 코발트 (Co) 및 철 (Fe)을 함유하는 CoFe계 제 1 자성층; 상기 CoFe계 자성층과 층간 자기 교환 결합되는 제 2 자성층; 및 상기 CoFe계 제 1 자성층과 상기 제 2 자성층 사이에 배치되고, 상기 CoFe계 자성층에 인접하는 탄탈륨 (Ta)층 및 상기 제 2 자성층에 인접하는 루테늄 (Ru)층의 적층 구조를 포함하는 제 1 복합 스페이서층을 포함한다.
Int. CL H01L 43/02 (2006.01) H01L 43/10 (2006.01) H01L 43/12 (2006.01)
CPC H01L 43/02(2013.01) H01L 43/02(2013.01) H01L 43/02(2013.01)
출원번호/일자 1020150024885 (2015.02.23)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0102609 (2016.08.31) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.02.23)
심사청구항수 20

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 임상호 대한민국 경기도 남양주시
2 윤석진 대한민국 경기도 구리시
3 이성래 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김권석 대한민국 서울특별시 서초구 논현로**, B동 *층(양재동, 삼호물산빌딩)(아이피맥스특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.02.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-0171732-89
2 보정요구서
Request for Amendment		 2015.03.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0050727-94
3 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2015.03.11 수리 (Accepted) 1-1-2015-0227893-67
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.02.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0135256-05
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.04.20 수리 (Accepted) 1-1-2016-0377909-73
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.04.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0377913-56
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.08.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0565328-13
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.10.05 수리 (Accepted) 1-1-2016-0962259-60
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.10.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0962260-17
10 등록결정서
Decision to grant		 2017.04.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0268148-92
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
터널링 장벽층, 상기 터널링 장벽층의 제 1 면 상의 자기 고정층, 및 상기 터널링 장벽층의 상기 제 1 면과 반대되는 제 2 면 상의 자기 자유층을 포함하는 자기 터널링 접합을 포함하는 다층 자기 박막 스택으로서,상기 자기 고정층 및 상기 자기 자유층 중 적어도 하나는,상기 터널링 장벽층에 인접한 체심 입방 구조를 가지며, 코발트 (Co) 및 철 (Fe)을 함유하는 CoFe계 제 1 자성층;상기 CoFe계 제 1 자성층과 층간 자기 교환 결합되는 제 2 자성층; 및상기 CoFe계 제 1 자성층과 상기 제 2 자성층 사이에 배치되고, 상기 CoFe계 제 1 자성층에 인접하는 탄탈륨 (Ta)층 및 상기 제 2 자성층에 인접하는 루테늄 (Ru)층의 적층 구조를 포함하는 제 1 복합 스페이서층을 포함하는 다층 자기 박막 스택
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 터널링 장벽층은 Al2O3, MgO, TiO2, AlN, RuO, SrO, SiN, CaOx, HfO2, Ta2O5, ZrO2, SiC, SiO2, SiOxNy, 또는 이들 중 2 이상의 적층 구조를 포함하는 다층 자기 박막 스택
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 CoFe계 제 1 자성층은, 코발트-철 (CoFe), 코발트-철-붕소 (CoFeB) 또는 이들 중 2 이상의 적층 구조를 포함하는 다층 자기 박막 스택
4 4
제 1 항에 있어서,상기 제 2 자성층은 비자성 금속층 및 코발트 함유 자성층이 적어도 1회 이상 교번하여 적층된 다층구조를 포함하는 다층 자기 박막 스택
5 5
제 4 항에 있어서,상기 비자성 금속층은 백금 (Pt), 로듐 (Rh), 하프늄 (Hf), 파라듐 (Pd), 탄탈륨 (Ta), 오스뮴 (Os), 게르마늄 (Ge), 이리듐 (Ir), 금 (Au), 및 은 (Ag) 중 어느 하나 또는 이들의 합금을 포함하는 다층 자기 박막 스택
6 6
제 4 항에 있어서,상기 코발트 함유 자성층은 순수 코발트층, CoZr 합금층, CoFe 합금층, CoFeB 합금층 또는 이들의 적층 구조를 포함하는 다층 자기 박막 스택
7 7
제 1 항에 있어서,상기 CoFe계 제 1 자성층과 상기 제 2 자성층은 반평행 층간 교환 결합을 하는 다층 자기 박막 스택
8 8
제 1 항에 있어서,상기 제 1 복합 스페이서층의 상기 탄탈륨층은 0
9 9
제 8 항에 있어서,상기 루테늄층의 두께는 0
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 자기 고정층 및 상기 자기 자유층 중 다른 하나는, 상기 CoFe계 제 1 자성층과 접하는 상기 터널링 장벽층의 다른 면 상에 인접한 체심 입방 구조를 가지며, 코발트 (Co) 및 철 (Fe)을 함유하는 CoFe계 제 3 자성층;상기 CoFe계 제 3 자성층과 층간 자기 교환 결합되는 제 4 자성층; 및상기 CoFe계 제 3 자성층과 상기 제 4 자성층 사이에 배치되고, 상기 CoFe계 제 3 자성층에 인접하는 탄탈륨 (Ta)층 및 상기 제 4 자성층에 인접하는 루테늄 (Ru)층의 적층 구조를 포함하는 제 2 복합 스페이서층을 포함하는 다층 자기 박막 스택
11 11
체심 입방 구조의 (001) 배향의 성장면을 갖는 제 1 자성층;최밀 결정 성장면을 갖는 제 2 자성층; 및상기 제 1 자성층과 상기 제 2 자성층 사이에 삽입되고, 상기 제 1 자성층 측의 탄탈륨층 및 상기 제 2 자성층 측의 루테늄층의 복합 스페이서층을 포함하는 다층 자기 박막 스택
12 12
제 11 항에 있어서,상기 제 1 자성층과 상기 제 2 자성층은 반평행 층간 교환 결합을 하는 다층 자기 박막 스택
13 13
제 1 항에 있어서,상기 복합 스페이서층의 상기 탄탈륨층은 0
14 14
제 13 항에 있어서,상기 루테늄층의 두께는 0
15 15
제 11 항에 있어서, 상기 복합 스페이서층과 접하는 상기 제 1 자성층의 면과 반대되는 면 상에 상기 제 1 자성층의 열처리에 의한 상기 (001) 배향의 성장면으로 결정화를 위한 템플릿 층을 더 포함하는 다층 자기 박막 스택
16 16
제 15 항에 있어서, 상기 템플릿 층은 MgO (001)을 포함하는 다층 자기 박막 스택
17 17
제 11 항에 있어서, 상기 다층 자기 박막 스택은 수직 이방성을 갖는 다층 자기 박막 스택
18 18
제 11 항에 있어서, 상기 제 1 자성층은 코발트-철 (CoFe), 코발트-철-붕소 (CoFeB) 또는 이들 중 2 이상의 적층 구조를 포함하는 다층 자기 박막 스택
19 19
제 11 항에 있어서, 상기 제 2 자성층은 백금 (Pt)층 및 코발트 (Co) 자성층이 적어도 1회 이상 교번하여 적층된 다층구조를 포함하는 다층 자기 박막 스택
20 20
제 1 항 또는 제 11 항 기재의 다층 자기 박막 스택을 포함하는 비휘발성 메모리 소자
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2016137171 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2016137171 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.