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도선 및 반도체 소자 배선용 나노 카본 재료 및 육방정계 질화붕소 적층구조물 및 이의 제조 방법(STACKED STRUCTURE OF NANO CARBON MATERIAL AND HEXAGONAL BORON NITRIDE FOR LEADING WIRE AND INTERCONNECTION OF SEMICONDUCTORS)

  • 기술번호 : KST2016017067
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 도선 및 반도체 소자 배선용 나노 카본 재료 및 육방정계 질화붕소 적층구조물에 관한 것이고, 또한 도선 및 반도체 소자 배선용 나노 카본 재료 및 육방정계 질화붕소 적층구조물의 제조 방법에 관한 것이다.본 발명의 일 실시예에 따른 도선 및 반도체 소자 배선용 나노 카본 재료 및 육방정계 질화붕소 적층구조물을 제조하는 방법은, 기판 상에 나노 카본 재료를 전사하는 단계; 상기 전사된 나노 카본 재료 상에 패턴된 전극을 형성하는 단계; 상기 전사된 나노 카본 재료를 상기 전극과 연결시키기 위한 전자 수송 채널을 형성하는 단계; 및 상기 나노 카본 재료를 보호하기 위해 육방정계 질화붕소를 전사하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01B 13/00 (2006.01) H01B 5/14 (2006.01)
CPC H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01)
출원번호/일자 1020150037562 (2015.03.18)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1685791-0000 (2016.12.06)
공개번호/일자 10-2016-0112245 (2016.09.28) 문서열기
공고번호/일자 (20161213) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.03.18)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상우 대한민국 경기도 용인시 수지구
2 김태호 대한민국 서울특별시 송파구
3 이강혁 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남건필 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
2 박종수 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
3 차상윤 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.03.18 수리 (Accepted) 1-1-2015-0265471-94
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.06.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0418482-11
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.08.03 수리 (Accepted) 1-1-2016-0755442-19
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.08.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0755441-74
5 등록결정서
Decision to grant
2016.12.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0867668-15
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
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번호 청구항
1 1
기판 상에 나노 카본 재료를 전사하는 단계;상기 전사된 나노 카본 재료 상에 패턴된 전극을 형성하는 단계;상기 전사된 나노 카본 재료를 상기 전극과 연결시키기 위한 전자 수송 채널을 형성하는 단계; 및상기 나노 카본 재료를 보호하기 위해 육방정계 질화붕소를 전사하는 단계를 포함하는,온도의 증가에 따라 저항이 감소하는 특성을 나타내는 도선 및 반도체 소자 배선용 나노 카본 재료 및 육방정계 질화붕소 적층구조물을 제조하는 방법
2 2
기판 상에 육방정계 질화붕소를 전사하는 단계;상기 전사된 육방정계 질화붕소 상에 나노 카본 재료를 전사하는 단계;상기 전사된 나노 카본 재료 상에 패턴된 전극을 형성하는 단계;상기 전사된 나노 카본 재료를 상기 전극과 연결시키기 위한 전자 수송 채널을 형성하는 단계; 및상기 나노 카본 재료를 보호하기 위해 육방정계 질화붕소를 전사하는 단계를 포함하는,온도의 증가에 따라 저항이 감소하는 특성을 나타내는 도선 및 반도체 소자 배선용 나노 카본 재료 및 육방정계 질화붕소 적층구조물을 제조하는 방법
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 전사된 나노 카본 재료 상에 패턴된 전극을 형성하는 단계는,포토리소그래피(photo-lithography), 전자 빔 증발(electron beam evaporation), 열 증발(thermal evaporation) 및 리프트 오프(lift-off) 중 어느 하나 이상의 방법을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는,온도의 증가에 따라 저항이 감소하는 특성을 나타내는 도선 및 반도체 소자 배선용 나노 카본 재료 및 육방정계 질화붕소 적층구조물을 제조하는 방법
4 4
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 전자 수송 채널을 형성하는 단계는,포토리소그래피 및 산소 플라즈마 식각을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는,온도의 증가에 따라 저항이 감소하는 특성을 나타내는 도선 및 반도체 소자 배선용 나노 카본 재료 및 육방정계 질화붕소 적층구조물을 제조하는 방법
5 5
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 나노 카본 재료는 그래핀(graphene), CNT (carbon nano tube), GO (graphene oxide), RGO (reduced graphene oxide) 및 nc-G (nano crystalline graphene) 중 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는,온도의 증가에 따라 저항이 감소하는 특성을 나타내는 도선 및 반도체 소자 배선용 나노 카본 재료 및 육방정계 질화붕소 적층구조물을 제조하는 방법
6 6
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 기판은 부도체 기판인 것을 특징으로 하는,온도의 증가에 따라 저항이 감소하는 특성을 나타내는 도선 및 반도체 소자 배선용 나노 카본 재료 및 육방정계 질화붕소 적층구조물을 제조하는 방법
7 7
기판;상기 기판 상에 형성된 나노 카본 재료층;상기 나노 카본 재료층 상에 형성된 전극 패턴; 및상기 나노 카본 재료층을 덮는 육방정계 질화붕소층을 포함하는,온도의 증가에 따라 저항이 감소하는 특성을 나타내는 도선 및 반도체 소자 배선용 나노 카본 재료 및 육방정계 질화붕소 적층구조물
8 8
기판;상기 기판 상에 형성된 제 1 육방정계 질화붕소층;상기 육방정계 질화붕소층 상의 나노 카본 재료층;상기 나노 카본 재료층 상에 형성된 전극 패턴; 및상기 나노 카본 재료층을 덮는 제 2 육방정계 질화붕소층을 포함하는,온도의 증가에 따라 저항이 감소하는 특성을 나타내는 도선 및 반도체 소자 배선용 나노 카본 재료 및 육방정계 질화붕소 적층구조물
9 9
제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,상기 나노 카본 재료는 그래핀(graphene), CNT (carbon nano tube), GO (graphene oxide), RGO (reduced graphene oxide) 및 nc-G (nano crystalline graphene) 중 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는,온도의 증가에 따라 저항이 감소하는 특성을 나타내는 도선 및 반도체 소자 배선용 나노 카본 재료 및 육방정계 질화붕소 적층구조물
10 10
제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,상기 기판은 부도체 기판인 것을 특징으로 하는,온도의 증가에 따라 저항이 감소하는 특성을 나타내는 도선 및 반도체 소자 배선용 나노 카본 재료 및 육방정계 질화붕소 적층구조물
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.