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기재를 준비하는 기재 준비단계;(1) 상기 기재를 표면 처리하거나, (2) 상기 기재에 유기용매를 코팅하여 유기용매 레이어를 형성시키는 기재 처리단계;상기 기재 상에 금속 나노와이어 또는 금속 나노 메쉬를 코팅하는 금속 코팅단계;상기 금속 나노와이어 또는 상기 금속 나노 메쉬 상에 고분자, 산화물 또는 질화물 중 적어도 하나를 포함한 물질을 코팅하여 제1전극층을 형성하는 제1전극층 형성단계; 및상기 기재를 제거하는 기재 제거단계를 포함하는 투명전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기재 처리단계에서, 상기 기재의 표면은 탄소 계열 가스를 이용하여 표면 처리함으로써 소수성 처리되는 것인 투명전극의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 탄소 계열 가스는 CHF3, C2F6, C3F8, C4F8 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 투명전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기재 처리단계에서, 상기 유기용매는 펜탄, 사이클로펜탄, 헥산, 사이클로헥산, 벤젠, 톨루엔, 1,4-디옥산, 클로로폼, 디에틸에테르, 디클로로메탄(DMC), 테트라히드로퓨란(THF), 에틸아세테이트, 아세톤, 디메틸포름아마이드(DMF), 아세토니트릴(MeCN), 디메틸술폭사이드(DMSO), 니트로메탄, 프로필렌카보네이트, 포름산, n-부탄올, 이소프로판올(IPA), n-프로판올, 에탄올, 메탄올, 아세트산 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 투명전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속 나노와이어 또는 상기 금속 나노 메쉬의 금속은 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 주석(Sn), 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 알루미늄(Al), 아연(Zn), 구리(Cu), 인듐(In), 티타늄(Ti), 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속을 포함하는 것인 투명전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1전극층 형성단계에서, 상기 고분자는 폴리이미드, 폴리디메틸실로세인, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리에테르술폰, UV 경화 수지, 열 경화 수지 및 이들의 조합으로부터 선택되는 것인 투명전극의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 UV 경화 수지는 에폭시아크릴레이트계 수지, 폴리에스테르아크릴레이트계, 우레탄아크릴레이트계, 폴리부타디엔아크릴레이트계, 실리콘아크릴레이트계 수지, 알킬아크릴레이트계 수지 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고,상기 열 경화 수지는 에폭시아크릴레이트계 수지, 폴리에스테르아크릴레이트계, 우레탄아크릴레이트계, 폴리부타디엔아크릴레이트계, 실리콘아크릴레이트계 수지, 알킬아크릴레이트계 수지 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 투명전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1전극층 형성단계에서, 상기 산화물은 산화실리콘, 산화알루미늄, 산화하프늄 및 이들의 조합으로부터 선택되는 것인 투명전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1전극층 형성단계에서, 상기 질화물은 질화실리콘, 질화알루미늄, 질화하프늄 및 이들의 조합으로부터 선택되는 것인 투명전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기재 제거단계는 물 또는 유기용매에 담지함으로써 상기 기재가 박리되어 제거되는 것인 투명전극의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 유기용매는 펜탄, 사이클로펜탄, 헥산, 사이클로헥산, 벤젠, 톨루엔, 1,4-디옥산, 클로로폼, 디에틸에테르, 디클로로메탄(DMC), 테트라히드로퓨란(THF), 에틸아세테이트, 아세톤, 디메틸포름아마이드(DMF), 아세토니트릴(MeCN), 디메틸술폭사이드(DMSO), 니트로메탄, 프로필렌카보네이트, 포름산, n-부탄올, 이소프로판올(IPA), n-프로판올, 에탄올, 메탄올, 아세트산 및 이들의 조합에서 선택되는 것인 투명전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 투명전극은 상기 금속 나노와이어 또는 상기 금속 나노 메쉬의 일부가 외부로 노출된 것인 투명전극의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 투명전극은 상기 금속 나노와이어 또는 상기 금속 나노 메쉬 표면적의 20 내지 99%가 제1전극층에 매립되고, 표면적의 1 내지 80%가 외부로 노출된 것인 투명전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 투명전극의 표면 거칠기가 1 내지 40nm인 투명전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속 코팅단계 전에, 상기 기재 상에 전도성 물질을 코팅하여 제2전극층을 형성하는 제2전극층 형성단계를 더 포함하는 투명전극의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 전도성 물질은 그래핀, 탄소나노튜브, 전도성 고분자 또는 전도성 산화물 중 적어도 하나를 포함하는 것인 투명전극의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 투명전극은 상기 금속 나노와이어 또는 상기 금속 나노 메쉬 표면적의 20 내지 99%가 제1전극층에 매립되고, 표면적의 1 내지 80%가 상기 제2전극층에 접촉되는 것인 투명전극의 제조방법
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제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 따른 제조방법에 의해 제조된 투명전극
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