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자기 메모리 소자(MAGNETIC MEMORY DEVICE)

  • 기술번호 : KST2016019503
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 자기 메모리 소자는, 고정 자성층, 절연층 및 자유 자성층이 각각 순차적으로 적층된 터널 접합 단위셀들, 상기 단위셀들에 면내 전류를 공급하며, 상기 자유 자성층에 인접하게 배치된 반강자성(antiferromagnetic)층 및 상기 반강자성층에 인접하게 배치되며 면내 자기이방성을 갖는 강자성층을 갖는 도선체 및 상기 터널 접합 단위셀들 각각에 독립적으로 선택 전압을 인가하는 전압 인가부를 포함하고, 상기 면내 전류 및 상기 선택 전압에 의해서 터널 접합 단위셀들 각각의 자화 방향을 선택적으로 변화시킬 수 있다.
Int. CL H01L 43/02 (2006.01) H01L 43/08 (2006.01) H01L 43/10 (2006.01)
CPC G11C 11/18(2013.01) G11C 11/18(2013.01) G11C 11/18(2013.01) G11C 11/18(2013.01) G11C 11/18(2013.01)
출원번호/일자 1020150066853 (2015.05.13)
출원인 고려대학교 산학협력단, 한국과학기술원, 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1683440-0000 (2016.12.01)
공개번호/일자 10-2016-0133821 (2016.11.23) 문서열기
공고번호/일자 (20161207) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020160125429;
심사청구여부/일자 Y (2015.05.13)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
3 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이경진 대한민국 서울특별시 노원구
2 이현우 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 박병국 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 누리 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 **-*(역삼동, IT빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.05.13 수리 (Accepted) 1-1-2015-0460250-85
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.01.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0003282-43
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.02.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0085864-37
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2016.04.01 수리 (Accepted) 1-1-2016-0315697-46
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-0416637-19
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2016.08.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0583699-47
8 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2016.09.06 수리 (Accepted) 1-1-2016-0867237-15
9 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2016.09.08 수리 (Accepted) 7-1-2016-0052822-17
10 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2016.09.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-0945658-20
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2016.10.07 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0974259-96
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.10.07 수리 (Accepted) 1-1-2016-0974304-53
13 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2016.10.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0744492-81
14 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2016.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2016-1267137-64
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
고정 자성층, 절연층 및 자유 자성층이 각각 순차적으로 적층된 터널 접합 단위셀들;상기 자유 자성층에 인접하게 배치된 반강자성(antiferromagnetic)층, 상기 단위셀들에 면내 전류를 공급하며 상기 반강자성층에 인접하게 배치되며 면내 자기이방성을 갖는 강자성층을 갖는 도선체; 및상기 터널 접합 단위셀들 각각에 독립적으로 선택 전압을 인가하는 전압 인가부를 포함하고,상기 반강자성층은 상기 강자성층에 의하여 면내방향으로 반강자성 정렬하고,상기 자유 자성층은 수직 자기 이방성을 가지고,상기 면내 전류 및 상기 선택 전압에 의해서 터널 접합 단위셀들 각각의 자화 방향을 선택적으로 변화시킬 수 있는 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 고정 자성층 및 상기 자유 자성층은 Fe, Co, Ni, B, Si, Zr, Pt, Tb, Pd, Cu 및 W 이 이루는 강자성체 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 절연층은 AlOx, MgO, TaOx, ZrOx및 이들의 혼합물 중에서 선택되는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자
4 4
제1항에 있어서,상기 도선체에 포함된 상기 반강자성층 및 상기 강자성층 각각은 Co, Fe, Ni, O, N, Cu, Ta, Pt, W, Hf, Ir, Rh, Pd, Gd, Bi, Ir 및 Mn이 이루는 금속 군에서부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서, 상기 도선체는 상기 자유 자성층에 수평 방향의 교환 바이어스 자기장을 유도하고 상기 도선체에 흐르는 전류는 스핀-궤도 스핀토크를 발생시키는 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자
7 7
제1항에 있어서, 상기 반강자성층 및 상기 강자성층은 상호 면접하도록 구비된 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자
8 8
제1항에 있어서, 상기 반강자성층 및 상기 강자성층은 수평 자기장하에 열적 어닐링 공정을 통하여 상기 강자성층은 상기 반강자성층에 수평 방향의 교환 바이어스를 유도하는 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP03297049 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 JP06572513 JP 일본 FAMILY
3 JP30505555 JP 일본 FAMILY
4 KR102179913 KR 대한민국 FAMILY
5 US10127956 US 미국 FAMILY
6 US20170316813 US 미국 FAMILY
7 WO2016182354 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP3297049 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
2 EP3297049 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
3 JP2018505555 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP6572513 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 US10127956 US 미국 DOCDBFAMILY
6 US2017316813 US 미국 DOCDBFAMILY
7 WO2016182354 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 고려대학교 산학협력단 미래소재디스커버리사업 설계기반 Spin-Orbitronics 소재 개발