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유기 반도체 물질로서 사용되는 하기 화학식 1의 구조를 갖는 화합물;[화학식 1]여기서, R1은 단일결합(σ-bond) 을 통해 연결될 수 있는 직선형 또는 가지형 지방족 탄화수소 화합물이고, X는 할로겐 원소(플르오르(F) 또는 염소(Cl))이고, Y는 단일결합(σ-bond) 을 통해 연결될 수 있는 하기 화학식 2중 적어도 어느 하나인 화합물이다
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기판 상에 형성된 반도체층;상기 반도체층 상에 형성된 소스 및 드레인 전극;상기 반도체층, 소스 및 드레인 전극 상에 형성된 절연층;상기 절연층 상에 형성된 게이트 전극을 포함하되,상기 반도체층은 하기의 화학식 1의 구조를 갖는 유기 반도체 화합물을 포함하는 유기 반도체 소자:[화학식 1]여기서, R1은 단일결합(σ-bond) 을 통해 연결될 수 있는 직선형 또는 가지형 지방족 탄화수소 화합물이고, X는 할로겐 원소(플르오르(F) 또는 염소(Cl))이고, Y는 단일결합(σ-bond) 을 통해 연결될 수 있는 하기 화학식 2중 적어도 어느 하나인 화합물이다
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기판 상에 형성된 소스 및 드레인 전극;상기 소스 및 드레인 전극과 연결된 반도체층;상기 반도체층 상에 형성된 절연층;상기 절연층 상에 형성된 게이트 전극을 포함하되,상기 반도체층은 하기의 화학식 1의 구조를 갖는 유기 반도체 화합물을 포함하는 유기 반도체 소자:[화학식 1]여기서, R1은 단일결합(σ-bond) 을 통해 연결될 수 있는 직선형 또는 가지형 지방족 탄화수소 화합물이고, X는 할로겐 원소(플르오르(F) 또는 염소(Cl))이고, Y는 단일결합(σ-bond) 을 통해 연결될 수 있는 하기 화학식 2중 적어도 어느 하나인 화합물이다
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기판 상에 형성된 게이트 전극;상기 게이트 전극상에 형성된 절연층;상기 절연층 상에 형성된 반도체층;상기 반도체층 상에 형성된 소스 및 드레인 전극을 포함하되,상기 반도체층은 하기의 화학식 1의 구조를 갖는 유기 반도체 화합물을 포함하는 유기 반도체 소자:[화학식 1]여기서, R1은 단일결합(σ-bond) 을 통해 연결될 수 있는 직선형 또는 가지형 지방족 탄화수소 화합물이고, X는 할로겐 원소(플르오르(F) 또는 염소(Cl))이고, Y는 단일결합(σ-bond) 을 통해 연결될 수 있는 하기 화학식 2중 적어도 어느 하나인 화합물이다
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기판 상에 형성된 게이트 전극;상기 게이트 전극상에 형성된 절연층;상기 절연층 상에 형성된 소스 및 드레인 전극;상기 소스 및 드레인 전극과 연결된 반도체층을 포함하되,상기 반도체층은 하기의 화학식 1의 구조를 갖는 유기 반도체 화합물을 포함하는 유기 반도체 소자:[화학식 1]여기서, R1은 단일결합(σ-bond) 을 통해 연결될 수 있는 직선형 또는 가지형 지방족 탄화수소 화합물이고, X는 할로겐 원소(플르오르(F) 또는 염소(Cl))이고, Y는 단일결합(σ-bond) 을 통해 연결될 수 있는 하기 화학식 2중 적어도 어느 하나인 화합물이다
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제2항 내지 제5항중 어느 한 항에 있어서, 상기 절연층은 옥타데실트리클로로실란octadecyltrichlorosilane; OTS) 또는 헥사메틸디실라제인(hexamethyldisilazane; HMDS)을 포함하는 유기 반도체 소자
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기판 상에 반도체층을 형성하는 단계;상기 반도체층 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 반도체층, 소스 및 드레인 전극 상에 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층 상에 게이트 전극을 형상하는 단계를 포함하되,상기 반도체층은 하기의 화학식 1의 구조를 갖는 유기 반도체 화합물을 포함하는 유기 반도체 소자의 제조 방법:[화학식 1]여기서, R1은 단일결합(σ-bond) 을 통해 연결될 수 있는 직선형 또는 가지형 지방족 탄화수소 화합물이고, X는 할로겐 원소(플르오르(F) 또는 염소(Cl))이고, Y는 단일결합(σ-bond) 을 통해 연결될 수 있는 하기 화학식 2중 적어도 어느 하나인 화합물이다
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기판 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 소스 및 드레인 전극과 연결되도록 반도체층을 형성하는 단계;상기 반도체층 상에 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하되,상기 반도체층은 하기의 화학식 1의 구조를 갖는 유기 반도체 화합물을 포함하는 유기 반도체 소자의 제조 방법:[화학식 1]여기서, R1은 단일결합(σ-bond) 을 통해 연결될 수 있는 직선형 또는 가지형 지방족 탄화수소 화합물이고, X는 할로겐 원소(플르오르(F) 또는 염소(Cl))이고, Y는 단일결합(σ-bond) 을 통해 연결될 수 있는 하기 화학식 2중 적어도 어느 하나인 화합물이다
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기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극상에 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계;상기 반도체층 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하되,상기 반도체층은 하기의 화학식 1의 구조를 갖는 유기 반도체 화합물을 포함하는 유기 반도체 소자의 제조 방법:[화학식 1]여기서, R1은 단일결합(σ-bond) 을 통해 연결될 수 있는 직선형 또는 가지형 지방족 탄화수소 화합물이고, X는 할로겐 원소(플르오르(F) 또는 염소(Cl))이고, Y는 단일결합(σ-bond) 을 통해 연결될 수 있는 하기 화학식 2중 적어도 어느 하나인 화합물이다
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기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극 상에 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 소스 및 드레인 전극과 연결되도록 반도체층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 반도체층은 하기의 화학식 1의 구조를 갖는 유기 반도체 화합물을 포함하는 유기 반도체 소자:[화학식 1]여기서, R1은 단일결합(σ-bond) 을 통해 연결될 수 있는 직선형 또는 가지형 지방족 탄화수소 화합물이고, X는 할로겐 원소(플르오르(F) 또는 염소(Cl))이고, Y는 단일결합(σ-bond) 을 통해 연결될 수 있는 하기 화학식 2중 적어도 어느 하나인 화합물이다
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제7항 내지 제10항중 어느 한 항에 있어서, 상기 절연층은 옥타데실트리클로로실란octadecyltrichlorosilane; OTS) 또는 헥사메틸디실라제인(hexamethyldisilazane; HMDS)을 포함하는 유기 반도체 소자의 제조 방법
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제7항 내지 제10항중 어느 한 항에 있어서, 상기 절연층은 진공 열 증착 공정, 스핀 코팅 공정, 드랍 캐스팅 공정 및 잉크젯 프린팅 공정중 어느 하나를 이용하여 형성되는 유기 반도체 소자의 제조 방법
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제7항 내지 제10항중 어느 한 항에 있어서, 상기 반도체층은 진공 열 증착 공정, 스핀 코팅 공정, 드랍 캐스팅 공정 및 잉크젯 프린팅 공정 중 어느 하나를 이용하여 형성되는 유기 반도체 소자의 제조 방법
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제7항 내지 제10항중 어느 한 항에 있어서, 상기 소스 및 드레인 전극은 진공 열 증착 공정, 스핀 코팅 공정, 드랍 캐스팅 공정 및 잉크젯 프린팅 공정 중 어느 하나를 이용하여 형성되는 유기 반도체 소자의 제조 방법
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발광층, 정공 수송층 및 전자수송층을 포함하는 유기전계 발광소자에 있어서, 상기 발광층, 정공 수송층 및 전자수송층중 어느 하나는 하기 화학식 1의 유기 반도체 물질을 포함하는 유기전계 발광소자
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태양광을 흡광하여 전기를 생산하는 광활성층을 포함하는 태양전지 소자에 있어서, 상기 광활성층은 하기 화학식 1의 유기 반도체 물질을 포함하는 태양전지 소자
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