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아세트산 가스를 이용한 자성 박막의 식각방법(Method for Etching of Magnetic Thin Films Using Acetic Acid Gas)

  • 기술번호 : KST2017000141
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 자성 박막의 식각방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 종래의 식각법에 비하여 부식성 없고 매우 저렴하며, 안전한 기체인 아세트산(CH3COOH) 가스를 사용하여 식각하는 새로운 방법으로 재증착이 발생하지 않고, 적절한 식각 속도 및 높은 이방성의 식각 프로파일을 제공하여 자성 박막이 이용되는 모든 소자 및 기기들에 적용할 수 있으며, 특히 미세 패턴의 형성에 효과적인 자성 박막의 식각방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 21/306 (2006.01) H01L 21/3065 (2006.01) H01L 21/311 (2006.01)
CPC H01L 21/32136(2013.01) H01L 21/32136(2013.01)
출원번호/일자 1020150090443 (2015.06.25)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0001056 (2017.01.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.06.25)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정지원 대한민국 서울특별시 마포구
2 아드리안 파나마 인천광역시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 공간 대한민국 대전광역시 서구 둔산서로 ***, *층(둔산 *동, 산업은행B/D)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2015-0616603-68
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.05.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.06.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0067825-13
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.06.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0417746-02
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.08.09 수리 (Accepted) 1-1-2016-0771307-39
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.09.08 수리 (Accepted) 1-1-2016-0876529-42
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.09.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0876513-12
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.01.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0072175-28
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2017-0180185-94
12 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2017.02.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0180160-53
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.03.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0195043-17
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 자성 박막을 마스크로 패터닝하여 마스킹하는 단계;(b) 아세트산 가스 20 vol% 내지 80 vol% 및 불활성 가스 20 vol% 내지 80 vol%를 함유하는 혼합가스를 플라즈마화하는 단계; 및(c) 상기 (b) 단계에서 생성된 플라즈마를 이용하여 (a) 단계에서 마스킹된 자성 박막을 식각하는 단계를 포함하는 자성 박막의 식각방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 자성 박막은 CoFe, CoFeB, CoFeSiB, CoFeTb, Co2MnSi, CoZr, CoZrB, CoZrTb, CoPt, NiFeCo, NiFeCr 및 NiFe로 구성된 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 자성 박막의 식각방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 불활성 가스는 He, Ne, Ar 및 N2로 구성된 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 자성 박막의 식각방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 (b) 단계의 혼합가스는 아세트산 가스 20 vol% ~ 40 vol% 및 불활성 가스 60 vol% ~ 80 vol%를 함유하는 것을 특징으로 하는 자성 박막의 식각방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 (b) 단계의 플라즈마화는 0
6 6
제1항에 있어서, 상기 (b) 단계의 플라즈마화는 유도결합플라즈마 반응성 이온식각법을 포함하는 고밀도 플라즈마 반응성 이온식각법, 자기증강반응성 이온식각법 및 반응성 이온 식각법으로 구성된 군으로부터 선택되는 1종의 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 자성 박막의 식각방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 연세대학교 산학협력단 산업융합원천기술개발사업 스핀-궤도 결합을 이용한 반금속 p-MRAM 기술(2차년도)
2 산업통상자원부 연세대학교 산학협력단 미래소자 원천기술개발사업 소자 집적 및 MTJ 식각 기술 (2차년도)