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선택적 스퍼터링 박막을 갖는 화합물반도체 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2017003386
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 화합물 반도체의 GaN 박막성장 시 사용되는 ELO(Epitaxial Lateral Overgrowth) 공정을 개선한 것으로서, 상세하게는 선택적 스퍼터링 박막을 갖는 화합물반도체 및 그 제조방법을 적용함으로써, Sputtering의 비대칭 (Asymmetry)적 코팅 방법으로 GaN의 Up-growth 면적은 줄이면서 결함이 없는 Lateral epitaxial growth의 성질을 최대한 활용한 성장 방법으로 Defect reduction효과가 있고, 이로 인해 전력 효율이 증가하는 효과도 얻을 수 있다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 21/02458(2013.01) H01L 21/02458(2013.01) H01L 21/02458(2013.01) H01L 21/02458(2013.01) H01L 21/02458(2013.01)
출원번호/일자 1020120045697 (2012.04.30)
출원인 부경대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1363611-0000 (2014.02.10)
공개번호/일자 10-2013-0122400 (2013.11.07) 문서열기
공고번호/일자 (20140219) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.04.30)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 부경대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이효종 대한민국 부산 북구
2 홍성기 대한민국 부산 사하구
3 송영석 대한민국 경북 포항시 북구
4 이삼녕 대한민국 부산 수영구
5 양민 대한민국 부산 수영구
6 안형수 대한민국 부산 금정구
7 신기삼 대한민국 부산광역시 남구
8 유영문 대한민국 서울 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 동원 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 **, ****호 (서초동, 현대전원오피스텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 부경대학교 산학협력단 부산광역시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.04.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0346352-88
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.06.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0057777-65
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.07.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0497907-06
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.09.06 수리 (Accepted) 1-1-2013-0815984-25
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.09.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0815987-62
7 등록결정서
Decision to grant		 2014.01.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0019577-88
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.04 수리 (Accepted) 4-1-2019-5132722-09
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5161225-98
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.12.31 수리 (Accepted) 4-1-2019-5277245-32
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2020-5172403-90
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 위에 GaN 층을 형성하는 단계;상기 GaN 층위에 실리콘화합물층을 성장시키는 단계;상기 실리콘화합물층에 PR 패턴을 형성하고 에칭(Etching)한 후, PR 패턴을 제거하는 단계;상기 기판에 금속을 스퍼터링을 하는 단계; GaN 층을 성장시키는 단계를 포함하는 반도체소자의 제조방법에 있어서,상기 스퍼터링이 GaN의 성장방향과 30°이상의 각도를 유지하면서 이루어지며, 이로 인해 비대칭 실리콘화합물 마스크 코팅층이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 스퍼터링된 금속과 GaN 층이 만나는 곳은 GaN층이 성장하지 않고, 코팅되지 않은 공간으로 수직성장 한 다음, 측면성장하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 기판이 m-Sap
5 5
기판;상기 기판 상에 결함을 다수 포함한 채 성장된 GaN층:상기 GaN층 상에 형성된 실리콘화합물 패턴;상기 패턴의 상부와 일측면의 측벽 및 상기 측벽과 접하는 GaN 층의 일부를 덮는 금속코팅층;상기 금속코팅층으로 덮인 측벽의 반대편 측벽 하단의 GaN층과 금속코팅층위로 성장된 GaN층을 포함하는 반도체 소자
6 6
제5항에 있어서,상기 기판이 m-Sap
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.