| 1 |
1
Ca2N, 12CaO·7Al2O3, Sr2N, Ba2N, Y2C, Gd2C 및 Hf2S로 이루어진 군에서 선택되는 전자화물; 및상기 전자화물에 코팅된 전도성 고분자를 포함하며,상기 전자화물의 일함수와 상기 전도성 고분자의 LUMO의 차가 0보다 작은 것을 특징으로 하는 안정화 전자화물
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 전도성 고분자는 polystyrene, polyaniline, polypyrrole, poly(p-phenylene vinylene) (PPV), polycarbazoles, poly(p-phenylene sulfide) (PPS), poly(thiophene)s (PT), poly(3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT), polyethylene oxide (PEO) 및 poly(p-phenylene oxide) (PPO)로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 안정화 전자화물
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 전도성 고분자는 상기 전자화물 부피 대비 0
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,전자가 2차원 구조로 국재화된 구조인 것을 특징으로 하는 안정화 전자화물
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,전자가 1차원 구조로 국재화된 구조인 것을 특징으로 하는 안정화 전자화물
|
| 7 |
7
(a) 용매에 전도성 고분자를 첨가한 후 가열하여 용융하는 단계; (b) 단계(a)에서 얻어진 물질에 Ca2N, 12CaO·7Al2O3, Sr2N, Ba2N, Y2C, Gd2C 및 Hf2S로 이루어진 군에서 선택되는 전자화물 분말을 넣고 혼합하여 상기 전자화물 분말의 표면에 전도성 고분자를 코팅하는 단계; 및 (c) 단계 (b)에서 얻어진 물질을 건조하는 단계를 포함하는 안정화 전자화물의 제조방법
|
| 8 |
8
제7항에 있어서,상기 용매는 dimethyl sulfoxide (DMSO), cyclohexane, hexane, benzene, toluene, chloroform, diethyl ether, dichloromethane, tetrahydrofuran(THF), ethyl acetate, acetone, dimethylformamide(DMF) 및 acetonitrile(MeCN)로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 안정화 전자화물의 제조방법
|
| 9 |
9
제7항에 있어서,상기 전도성 고분자는 polystyrene, polyaniline, polypyrrole, poly(p-phenylene vinylene) (PPV), polycarbazoles, poly(p-phenylene sulfide) (PPS), poly(thiophene)s (PT), poly(3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT), polyethylene oxide (PEO) 및 poly(p-phenylene oxide) (PPO)로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 안정화 전자화물의 제조방법
|
| 10 |
10
제7항에 있어서,상기 (a) 단계의 가열은 40oC 내지 190oC에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 안정화 전자화물의 제조방법
|
| 11 |
11
제1항 내지 제3항, 제5항, 제6항 중 어느 한 항에 따른 안정화 전자화물을 포함하는 필드 이미션 디스플레이(FED, Field Emission Display)
|
| 12 |
12
제1항 내지 제3항, 제5항, 제6항 중 어느 한 항에 따른 안정화 전자화물을 포함하는 조명용 LED(Light Emitting Diode)
|
