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계면 에너지 차이를 이용하는 리프트-오프 공정 기반의 유연 투명전극 및 그 제조 방법(FLEXIBLE TRANSPARENT ELECTRODE BASED INTERFACE ENERGY DIFFERENCE ASSISTED LIFT-OFF AND MANUFACTURING METHOD THEREOF)

  • 기술번호 : KST2017010797
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 일실시예에 따른, 계면 에너지 차이를 이용하는 리프트-오프 공정(interface energy difference assisted lift-off) 기반의 유연 투명전극 제조 방법은 복제 가교 고분자 몰드의 제2 요철 패턴 상에 금속을 증착하는 단계; 상기 제2 요철 패턴의 돌출부 및 만입부 중 상기 돌출부에 증착된 금속이 기판에 맞닿도록 상기 금속이 증착된 복제 가교 고분자 몰드를 상기 기판에 전사하는 단계; 및 상기 금속이 증착된 복제 가교 고분자 몰드로부터 상기 돌출부에 증착된 금속을 제거하기 위해, 상기 금속이 증착된 복제 가교 고분자 몰드를 상기 기판으로부터 분리하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01B 13/00 (2016.02.07) H01B 5/14 (2016.02.07) H01B 1/08 (2016.02.07) H01L 31/0224 (2016.02.07) H01L 31/18 (2016.02.07)
CPC H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01)
출원번호/일자 1020150186354 (2015.12.24)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0076282 (2017.07.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.12.24)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정연식 대한민국 대전광역시 유성구
2 유승희 대한민국 대전광역시 유성구
3 이정혜 대한민국 대전광역시 유성구
4 한혁진 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 양성보 대한민국 서울특별시 강남구 선릉로***길 ** (논현동) 삼성빌딩 *층(피앤티특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2015-1269868-22
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.01.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.02.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0040556-05
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.04.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0245900-37
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.06.05 수리 (Accepted) 1-1-2017-0533335-26
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.07.05 수리 (Accepted) 1-1-2017-0643176-65
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.08.07 수리 (Accepted) 1-1-2017-0757867-91
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.08.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0827748-31
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2017-0827747-96
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0065315-05
11 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
2018.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2018-0204870-48
12 법정기간연장승인서
2018.03.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0033563-63
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2018-0318190-05
14 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.03.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0318191-40
15 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.04.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0253226-49
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
계면 에너지 차이를 이용하는 리프트-오프 공정(interface energy difference assisted lift-off) 기반의 유연 투명전극 제조 방법에 있어서,복제 가교 고분자 몰드의 제2 요철 패턴 상에 금속을 증착하는 단계; 상기 제2 요철 패턴의 돌출부 및 만입부 중 상기 돌출부에 증착된 금속이 기판에 맞닿도록 상기 금속이 증착된 복제 가교 고분자 몰드를 상기 기판에 전사하는 단계; 및 상기 금속이 증착된 복제 가교 고분자 몰드로부터 상기 돌출부에 증착된 금속을 제거하기 위해, 상기 금속이 증착된 복제 가교 고분자 몰드를 상기 기판으로부터 분리하는 단계를 포함하는 유연 투명전극 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 금속이 증착된 복제 가교 고분자 몰드를 상기 기판으로부터 분리하는 단계는 상기 돌출부에 증착된 금속과 상기 기판 사이의 계면 에너지 및 상기 돌출부에 증착된 금속과 상기 복제 가교 고분자 몰드 사이의 계면 에너지 차이를 이용하여, 상기 금속이 증착된 복제 가교 고분자 몰드로부터 상기 돌출부에 증착된 금속을 제거하는 단계를 포함하는 유연 투명전극 제조 방법
3 3
제2항에 있어서,상기 복제 가교 고분자 몰드 및 상기 기판 각각은 상기 돌출부에 증착된 금속에 대해 서로 다른 계면 에너지를 갖도록 서로 다른 표면 에너지를 갖는 물질로 생성되는, 유연 투명전극 제조 방법
4 4
제3항에 있어서,상기 복제 가교 고분자 몰드는 미리 설정된 기준값 이하의 표면 에너지를 갖는 가교 고분자로 생성되는, 유연 투명전극 제조 방법
5 5
제4항에 있어서,상기 기판은 상기 미리 설정된 기준값 이상의 표면 에너지를 갖는 금속, 산화물, 반도체 또는 고분자 중 적어도 어느 하나의 물질로 생성되는, 유연 투명전극 제조 방법
6 6
제1항에 있어서,제1 요철 패턴이 표면에 형성된 마스터 몰드를 제작하는 단계; 및 상기 마스터 몰드를 이용하여 상기 제1 요철 패턴의 역상인 상기 제2 요철 패턴이 표면에 형성된 상기 복제 가교 고분자 몰드를 생성하는 단계를 더 포함하는 유연 투명전극 제조 방법
7 7
제1항에 있어서,상기 제2 요철 패턴은 미리 설정된 폭 및 깊이를 갖는 만입부 및 돌출부를 포함하는 점 패턴, 라인 패턴, 그물 패턴 또는 다각 패턴 중 적어도 어느 하나의 형태를 갖도록 형성되는, 유연 투명전극 제조 방법
8 8
제1항에 있어서,상기 복제 가교 고분자 몰드의 제2 요철 패턴 상에 금속을 증착하는 단계는 진공열 증착(thermal evaporation) 기법, 진공전자빔 증착(e-beam evaporation) 기법 또는 스퍼터링(sputtering) 기법 중 적어도 어느 하나의 기법을 이용하여 상기 제2 요철 패턴 상에 상기 금속을 증착하는 단계를 포함하는 유연 투명전극 제조 방법
9 9
제1항에 있어서,상기 금속이 증착된 복제 가교 고분자 몰드를 상기 기판에 전사하는 단계는 미리 설정된 온도 환경 아래, 상기 금속이 증착된 복제 가교 고분자 몰드를 상기 기판에 전사하는 단계를 포함하는 유연 투명전극 제조 방법
10 10
계면 에너지 차이를 이용하는 리프트-오프 공정(interface energy difference assisted lift-off) 기반으로 제조되는 유연 투명전극에 있어서,제2 요철 패턴이 표면에 형성되도록 생성된 복제 가교 고분자 몰드; 및 상기 복제 가교 고분자 몰드의 제2 요철 패턴의 돌출부 및 만입부 중 상기 만입부에 증착된 금속을 포함하고, 상기 만입부에 증착된 금속은 상기 복제 가교 고분자 몰드의 제2 요철 패턴 상에 금속이 증착되고, 상기 돌출부에 증착된 금속이 기판에 맞닿도록 상기 금속이 증착된 복제 가교 고분자 몰드가 상기 기판에 전사되며, 상기 금속이 증착된 복제 가교 고분자 몰드가 상기 기판으로부터 분리됨에 따라 상기 금속이 증착된 복제 가교 고분자 몰드로부터 상기 돌출부에 증착된 금속이 제거되어 형성되는, 유연 투명전극
11 11
제10항에 있어서,상기 돌출부에 증착된 금속은 상기 기판과 상기 돌출부에 증착된 금속 사이의 계면 에너지 및 상기 복제 가교 고분자 몰드와 상기 돌출부에 증착된 금속 사이의 계면 에너지 차이를 이용하여, 상기 금속이 증착된 복제 가교 고분자 몰드로부터 제거되는, 유연 투명전극
12 12
제11항에 있어서,상기 복제 가교 고분자 몰드 및 상기 기판 각각은 상기 돌출부에 증착된 금속에 대해 서로 다른 계면 에너지를 갖도록 서로 다른 표면 에너지를 갖는 물질로 생성되는, 유연 투명전극
13 13
제12항에 있어서,상기 복제 가교 고분자 몰드는 미리 설정된 기준값 이하의 표면 에너지를 갖는 가교 고분자로 생성되는, 유연 투명전극
14 14
제13항에 있어서,상기 기판은 상기 미리 설정된 기준값 이상의 표면 에너지를 갖는 금속, 산화물, 반도체 또는 고분자 중 적어도 어느 하나의 물질로 생성되는, 유연 투명전극
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패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국과학기술원 KAIST자체연구사업 Nano-Mesh형 Haze-Free 유연투명전극의 프린팅 기반 양산 기술