맞춤기술찾기

이전대상기술

EUV 펠리클 구조체, 및 그 제조 방법(EUV pellicle structure, and method for manufacturing same)

  • 기술번호 : KST2017012190
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 복수개의 EUV(Extreme Ultraviolet) 투과층 및 열방출층이 교대로 적층된 펠리클 멤브레인을 준비하는 단계, 및 상기 펠리클 멤브레인의 상기 열방출층이 노출된 가장자리 측면(sidewall) 상에 상기 펠리클 멤브레인으로부터 열을 흡수하는 냉각구조체를 배치하는 단계를 포함하는 EUV 펠리클 구조체의 제조 방법이 제공될 수 있다.
Int. CL G03F 1/62 (2016.02.25) G03F 1/22 (2016.02.25) G03F 7/20 (2016.02.25) H01L 21/027 (2016.02.25)
CPC G03F 1/62(2013.01) G03F 1/62(2013.01) G03F 1/62(2013.01) G03F 1/62(2013.01) G03F 1/62(2013.01)
출원번호/일자 1020160004118 (2016.01.13)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0085161 (2017.07.24) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.01.13)
심사청구항수 13

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 안진호 대한민국 서울특별시 강남구
2 김정환 대한민국 서울 강남구
3 홍성철 대한민국 서울 성동구
4 우동곤 대한민국 서울특별시 성동구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박상열 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** **층 ****호(나눔국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.01.13 수리 (Accepted) 1-1-2016-0036813-35
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.07.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.09.09 수리 (Accepted) 9-1-2016-0039176-27
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.09.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0661229-10
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.11.14 수리 (Accepted) 1-1-2016-1108829-11
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.03.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0217662-64
7 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
2017.04.26 수리 (Accepted) 1-1-2017-0406694-56
8 법정기간연장승인서
2017.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0057724-34
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2017-0503946-65
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2017.05.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0503956-11
11 등록결정서
Decision to Grant Registration
2017.06.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0414714-61
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
복수개의 EUV(Extreme Ultraviolet) 투과층 및 열방출층이 교대로 적층된 펠리클 멤브레인을 준비하는 단계; 및 상기 펠리클 멤브레인의 상기 열방출층이 노출된 가장자리 측면(sidewall) 상에 상기 펠리클 멤브레인으로부터 열을 흡수하는 냉각구조체를 배치하는 단계를 포함하되, 상기 열방출층은 복수개의 상기 EUV 투과층 사이에 배치되고, 상기 열방출층의 상기 가장자리 측면이 상기 냉각구조체와 직접 접촉하는 것을 포함하는 EUV 펠리클 구조체의 제조 방법
2 2
제1 항에 있어서, 상기 냉각구조체는, 제1 방향으로 서로 마주보며 연장하는 제1 및 제2 부분, 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 서로 마주보며 연장하는 제3 및 제4 부분을 포함하고, 상기 제1 내지 제4 부분은 일체(one body)로 구성되고, 상기 냉각구조체를 배치하는 단계는, 일체의 상기 냉각구조체 내에 상기 펠리클 멤브레인을 삽입하는 것을 포함하는 EUV 펠리클 구조체의 제조 방법
3 3
제2 항에 있어서, 상기 냉각구조체는, 상기 제1 내지 제4 부분으로 둘러싸인 내부로 돌출된 수용부를 더 포함하고, 상기 냉각구조체를 배치하는 단계는, 상기 냉각구조체의 상기 수용부 상에 상기 펠리클 멤브레인이 배치되도록, 상기 냉각구조체 내에 상기 펠리클 멤브레인을 삽입하는 것을 포함하는 EUV 펠리클 구조체의 제조 방법
4 4
제1 항에 있어서, 상기 냉각구조체는, 제1 방향으로 서로 마주보며 연장하는 제1 및 제2 세그먼트(segment), 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 서로 마주보며 연장하는 제3 및 제4 세그먼트를 포함하고,상기 냉각구조체를 배치하는 단계는, 상기 제1 내지 제4 세그먼트를 독립적으로 상기 펠리클 멤브레인에 부착시키는 것을 포함하는 EUV 펠리클 구조체의 제조 방법
5 5
제4 항에 있어서, 상기 냉각구조체는, 상기 제1 내지 제4 세그먼트로 둘러싸인 내부로 돌출된 수용부를 더 포함하고, 상기 냉각구조체를 배치하는 단계는,상기 냉각구조체의 상기 수용부 상에 상기 펠리클 멤브레인이 배치되도록, 상기 냉각구조체 내에 상기 펠리클 멤브레인을 삽입하는 것을 포함하는 EUV 펠리클 구조체의 제조 방법
6 6
제1 항에 있어서,상기 열방출층은, 상기 EUV 투과층으로부터 흡수한 열을 상기 냉각구조체로 전달하고,상기 냉각구조체는, 상기 EUV 투과층 및 상기 열방출층으로부터 흡수한 열을 외부로 방열하는 것을 포함하는 EUV 펠리클 구조체의 제조 방법
7 7
제1 항에 있어서, 상기 냉각구조체를 배치하기 전, 펠리클 프레임을 준비하는 단계; 및상기 펠리클 프레임 상에 상기 펠리클 멤브레인을 부착시키는 단계를 더 포함하는 EUV 펠리클 구조체의 제조 방법
8 8
제7 항에 있어서, 상기 냉각구조체는, 상기 펠리클 프레임의 외면을 덮는 것을 포함하는 EUV 펠리클 구조체의 제조 방법
9 9
복수개의 EUV(Extreme Ultraviolet) 투과층 및 열방출층이 교대로 적층된 펠리클 멤브레인; 및 상기 펠리클 멤브레인의 상기 열방출층이 노출된 가장자리 측면(sidewall) 상에 배치되어 상기 펠리클 멤브레인을 둘러싸고, 상기 펠리클 멤브레인으로부터 열을 흡수하는 냉각구조체를 포함하되, 상기 열방출층은 복수개의 상기 EUV 투과층 사이에 배치되고, 상기 열방출층의 상기 가장자리 측면이 상기 냉각구조체와 직접 접촉하는 것을 포함하는 EUV 펠리클 구조체
10 10
제9 항에 있어서,상기 냉각구조체는, 상기 펠리클 멤브레인의 상기 열방출층과 직접 접촉(directly contact)하여 상기 열방출층으로부터 열을 전달받는 내면, 및 외부로 열을 방출하는 외면을 포함하는 EUV 펠리클 구조체
11 11
제9 항에 있어서,상기 냉각구조체의 외면은, 돌출된 패턴 형상을 갖는 것을 포함하는 EUV 펠리클 구조체
12 12
제9 항에 있어서, 상기 냉각구조체는, 상기 펠리클 멤브레인이 배치되는 상기 냉각구조체의 내부로 도출된 수용부를 더 포함하고, 상기 펠리클 멤브레인은 상기 수용부 상에 배치되는 것을 포함하는 EUV 펠리클 구조체
13 13
제9 항에 있어서,상기 펠리클 멤브레인을 지지하고, 상기 냉각구조체로 둘러싸인 펠리클 프레임을 더 포함하는 EUV 펠리클 구조체
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2017122975 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2017122975 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 (재)한국연구재단 이공분야 기초연구사업 / 중견연구자지원사업 / 도약연구 반도체 극한 패터닝을 위한 마스크 소재 및 마스크 특성평가 기술연구