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저주파 플라즈마 원자층 증착장치의 챔버 내에 제1 소스 가스를 공급하여 상기 챔버 내에 탑재된 기판 상에 제1 흡착층을 형성하는 단계;상기 챔버 내에 반응 가스를 공급하고 저주파 플라즈마를 인가하여 상기 제1 흡착층과 반응 가스를 반응시켜 제1 박막을 형성하는 단계;상기 챔버 내에 제2 소스 가스를 공급하여 상기 제1 박막 상에 제2 흡착층을 형성하는 단계; 및상기 챔버 내에 상기 반응 가스를 공급하고 저주파 플라즈마를 인가하여 상기 제2 흡착층과 반응 가스를 반응시켜 제2 박막을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제1 박막 및 상기 제2 박막은 무기 나노라미네이트막 구조를 이루는 것을 특징으로 하는 초박막 배리어의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 테레프탈레이트, 폴리카보네이트, 사이클릭 올레핀 코폴리머, 폴리아릴레이트, 폴리에테르설폰 및 폴리에틸렌나프탈레이트로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 어느 하나인 초박막 배리어의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 반응 가스는 수증기(H2O), 산소(O2) 및 오존(O3)으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 어느 하나인 초박막 배리어의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 저주파 플라즈마 인가를 위한 저주파 전원은 200Hz 내지 500Hz 범위인 것을 특징으로 초박막 배리어의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1 소스 가스 및 상기 제2 소스 가스는 각각 알루미늄을 함유한 화합물 및 지르코늄을 함유한 화합물을 포함하는 소스 가스를 이용하여 제1 박막 및 제2 박막을 형성하는 것을 특징으로 초박막 배리어의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 제1 박막 및 제2 박막은 알루미늄 옥사이드막 및 지르코늄 옥사이드막인 것을 특징으로 하는 초박막 배리어의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1 박막을 형성하는 단계 및 상기 제2 박막을 형성하는 단계는 각각 주기(cycle)을 가지며, 상기 각각의 주기는 1회 내지 9회 수행하는 것을 특징으로 하는 초박막 배리어의 제조방법
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8
제7항에 있어서,상기 제1 박막을 형성하는 단계 및 상기 제2 박막을 형성하는 단계를 포함하는 무기 나노라미네이트막 형성 단계는 2번 내지 5번 반복(repetition)하는 것을 특징으로 하는 초박막 배리어의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 초박막 배리어는 두께가 1㎚ 내지 10㎚ 범위인 것을 특징으로 하는 초박막 배리어의 제조방법
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이종(異種)의 박막이 교대로 적층된 구조의 무기 나노라미네이트막을 포함하는 초박막 배리어
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11
제10항에 있어서,상기 초박막 배리어의 두께는 1㎚ 내지 10㎚ 범위인 것을 특징으로 하는 초박막 배리어
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12
제10항에 있어서,상기 무기 나노라미네이트막은 알루미늄 옥사이드막 및 지르코늄 옥사이드막이 교대로 적층된 구조인 것을 특징으로 하는 초박막 배리어
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제10항의 초박막 배리어가 증착된 플라스틱 기판을 포함하는 플렉서블 디스플레이
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