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(A) 미소구조체 탄소 나노섬유 (PCNF) 를 화학적 기상증착 (CVD) 방식으로 제조하는 단계; 및(B) 상기 미소구조체 탄소 나노섬유 (PCNF) 및 흑연 재료를 흑연화로를 사용하여 2800 도에서 3000 도 사이에서 흑연화하여 흑연화도를 증가시키는 단계; 및 (C) 상기 흑연화된 미소구조체 탄소 나노섬유 (PCNF) 및 흑연 재료에 진공플라즈마 장치를 이용해 탄소-불소 관능기를 표면에 선택적으로 도입한 흑연성 음극재를 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 옥타플루오로시클로부탄 (C4F8) 진공 플라즈마 처리를 통하여 탄소-불소 관능기가 표면에 선택적으로 도입된 흑연성 음극재의 제조방법
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제 1항에 있어서, 미소구조체 탄소 나노섬유 (PCNF) 를 화학적 기상증착 (CVD) 방식으로 제조할 때 도입하는 일산화탄소 (CO) 와 수소 (H2) 의 비율은 4:1 인 것을 특징으로 하는 옥타플루오로시클로부탄 (C4F8) 진공 플라즈마 처리를 통하여 탄소-불소 관능기가 표면에 선택적으로 도입된 흑연성 음극재의 제조방법
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제 1항에 있어서, 미소구조체 탄소 나노섬유 (PCNF) 를 화학적 기상증착 (CVD) 방식으로 제조할 때 사용하는 반응기는 수평구조의 고온 석영 반응기 (horizontal quartz flow reactor) 를 사용하는 것을 특징으로 하는 옥타플루오로시클로부탄 (C4F8) 진공 플라즈마 처리를 통하여 탄소-불소 관능기가 표면에 선택적으로 도입된 흑연성 음극재의 제조방법
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제 1항에 있어서, 미소구조체 탄소 나노섬유 (PCNF) 를 화학적 기상증착 (CVD) 방식으로 제조할 때 철 (Fe) 촉매를 제거하기 위한 염산 수용액 (10 중량부) 세척 시간은 최소 72 시간 동안인 것을 특징으로 하는 옥타플루오로시클로부탄 (C4F8) 진공 플라즈마 처리를 통하여 탄소-불소 관능기가 표면에 선택적으로 도입된 흑연성 음극재의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 미소구조체 탄소 나노섬유 (PCNF) 및 흑연 재료를 흑연화로를 사용하여 2800 도에서 3000 도 사이 온도에서 흑연화하여 흑연화도를 증가시킬 때 사용하는 흑연 재료는 천연 흑연, 인조 흑연, 미소구조체 탄소나노섬유, 그리고 각 물질의 흑연화된 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 옥타플루오로시클로부탄 (C4F8) 진공 플라즈마 처리를 통하여 탄소-불소 관능기가 표면에 선택적으로 도입된 흑연성 음극재의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 미소구조체 탄소 나노섬유 (PCNF) 및 흑연 재료를 흑연화로를 사용하여 2800 도에서 3000 도 사이 온도에서 흑연화하여 흑연화도를 증가시킬 때 사용하는 흑연화로는 horizontal graphite furnace 인 것을 특징으로 하는 옥타플루오로시클로부탄 (C4F8) 진공 플라즈마 처리를 통하여 탄소-불소 관능기가 표면에 선택적으로 도입된 흑연성 음극재의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 미소구조체 탄소 나노섬유 (PCNF) 및 흑연 재료를 흑연화로를 사용하여 2800 도에서 3000 도 사이 온도에서 흑연화하여 흑연화도를 증가시킬 때의 흑연 재료의 가열 시간은 10분인 것을 특징으로 하는 옥타플루오로시클로부탄 (C4F8) 진공 플라즈마 처리를 통하여 탄소-불소 관능기가 표면에 선택적으로 도입된 흑연성 음극재의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 미소구조체 탄소 나노섬유 (PCNF) 및 흑연 재료를 흑연화로를 사용하여 2800 도에서 3000 도 사이 온도에서 흑연화하여 흑연화도를 증가시킬 때 사용하는 불활성 기체는 아르곤 (Ar), 네온 (Ne) 중 하나인 것을 특징으로 하는 옥타플루오로시클로부탄 (C4F8) 진공 플라즈마 처리를 통하여 탄소-불소 관능기가 표면에 선택적으로 도입된 흑연성 음극재의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 흑연화된 미소구조체 탄소 나노섬유 (PCNF) 및 흑연 재료에 진공플라즈마 장치를 이용해 탄소-불소 관능기를 표면에 선택적으로 도입한 흑연성 음극재를 제조할 때 플라즈마 장치 내부의 진공 조건은 200 mTorr 이하인 것을 특징으로 하는 옥타플루오로시클로부탄 (C4F8) 진공 플라즈마 처리를 통하여 탄소-불소 관능기가 표면에 선택적으로 도입된 흑연성 음극재의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 흑연화된 미소구조체 탄소 나노섬유 (PCNF) 및 흑연 재료에 진공플라즈마 장치를 이용해 탄소-불소 관능기를 표면에 선택적으로 도입한 흑연성 음극재를 제조할 때 플라즈마 출력은 50W에서 200W 사이인 것을 특징으로 하는 옥타플루오로시클로부탄 (C4F8) 진공 플라즈마 처리를 통하여 탄소-불소 관능기가 표면에 선택적으로 도입된 흑연성 음극재의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 흑연화된 미소구조체 탄소 나노섬유 (PCNF) 및 흑연 재료에 진공플라즈마 장치를 이용해 탄소-불소 관능기를 표면에 선택적으로 도입한 흑연성 음극재를 제조할 때 플라즈마 전극과 흑연 음극재 사이의 거리는 25 cm 인 것을 특징으로 하는 옥타플루오로시클로부탄 (C4F8) 진공 플라즈마 처리를 통하여 탄소-불소 관능기가 표면에 선택적으로 도입된 흑연성 음극재의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 흑연화된 미소구조체 탄소 나노섬유 (PCNF) 및 흑연 재료에 진공플라즈마 장치를 이용해 탄소-불소 관능기를 표면에 선택적으로 도입한 흑연성 음극재를 제조할 때 흘려주는 탄화불소 기체는 옥타플루오로시클로부탄 (C4F8), CF4, C3F8 중 하나인 것을 특징으로 하는 옥타플루오로시클로부탄 (C4F8) 진공 플라즈마 처리를 통하여 탄소-불소 관능기가 표면에 선택적으로 도입된 흑연성 음극재의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 흑연화된 미소구조체 탄소 나노섬유 (PCNF) 및 흑연 재료에 진공플라즈마 장치를 이용해 탄소-불소 관능기를 표면에 선택적으로 도입한 흑연성 음극재를 제조할 때 흘려주는 탄화불소 기체의 양은 5 에서 20 sccm 사이인 것을 특징으로 하는 옥타플루오로시클로부탄 (C4F8) 진공 플라즈마 처리를 통하여 탄소-불소 관능기가 표면에 선택적으로 도입된 흑연성 음극재의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 흑연화된 미소구조체 탄소 나노섬유 (PCNF) 및 흑연 재료에 진공플라즈마 장치를 이용해 탄소-불소 관능기를 표면에 선택적으로 도입한 흑연성 음극재를 제조할 때 플라즈마 처리 시간은 5 sccm 의 탄화불소 기체를 흘려주는 경우 5분에서 20분 사이인 것을 특징으로 하는 옥타플루오로시클로부탄 (C4F8) 진공 플라즈마 처리를 통하여 탄소-불소 관능기가 표면에 선택적으로 도입된 흑연성 음극재의 제조방법
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제 1항 내지 제 17항 중의 어느 하나의 방법으로 제조된 흑연성 음극재
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제 1항 내지 제 17항 중의 어느 하나의 방법으로 제조된 흑연성 음극재를 포함한 리튬 이온 배터리 전극 제조방법
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제 16항에 있어서, 리튬 이온 배터리 전극 제조시 사용된 전극 물질의 비율은 흑연성 음극재 85 중량비, 스티렌-부타디엔 공중합체 10 중량비, 카르복시메틸 셀룰로오스 5 중량비를 물 상에서 혼합하여 슬러리를 제조하는 것을 특징으로 하는 흑연성 음극재를 포함한 리튬 이온 배터리 전극 제조방법
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제 16항 내지 제 17항에 있어서, 슬러리가 도포된 구리 포일을 진공 조건 하에서 건조할 때 건조 시간은 12시간 이상인 것을 특징으로 하는 흑연 음극재를 포함한 리튬 이온 배터리 전극 제조방법
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제 16항 내지 제 17항에 있어서, 상기 슬러리를 구리 포일 위에 도포하여 전극을 제조할 때 구리 포일에 가하는 roll-type mill 의 압력은 100 MPa 인 것을 특징으로 하는 흑연성 음극재를 포함한 리튬 이온 배터리 전극 제조방법
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제 16항 내지 제 17항에 있어서, 상기 리튬 이온 배터리 전극 내부의 LiPF6/(EC/DEC) 전해질의 LiPF6 농도는 1 몰농도 인 것을 특징으로 하는 흑연 음극재를 포함한 리튬 이온 배터리 전극 제조방법
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