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열플라즈마 제트에 탄소원(carbon source)을 주입하여 상기 탄소원을 열분해시켜 탄소 원자 빔(beam)을 형성하고;상기 탄소 원자 빔을 애노드(anode)에 연결된 튜브 내로 흐르게 하여 그래핀 양자점을 제조하는 것을 포함하며,상기 탄소원의 주입속도는 500 mL/분 내지 10,000 mL/분인 것인,열플라즈마를 이용한 그래핀 양자점의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 탄소 원자 빔이 상기 튜브 내를 흐르는 동안 탄소 원자들이 상기 튜브 내에서 서로 충돌하게 하여 그래핀 양자점이 제조되는 것인, 열플라즈마를 이용한 그래핀 양자점의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 열분해된 탄소원 및 상기 제조된 그래핀 양자점을 용매에 분산시킨 후, 상기 그래핀 양자점을 분리하여 수득하는 것을 추가로 포함하는, 열플라즈마를 이용한 그래핀 양자점의 제조 방법
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제 3 항에 있어서,상기 용매는 유기 용매를 포함하는 것인, 열플라즈마를 이용한 그래핀 양자점의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 열플라즈마 제트는 플라즈마 토치에 플라즈마 가스를 공급하여 발생되는 것인, 열플라즈마를 이용한 그래핀 양자점의 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 플라즈마 토치는 비이송식(non-transferred type)인 것인, 열플라즈마를 이용한 그래핀 양자점의 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 플라즈마 가스는 아르곤, 질소, 수소, 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 열플라즈마를 이용한 그래핀 양자점의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 열플라즈마 제트의 온도는 1,000℃ 내지 20,000℃인 것인, 열플라즈마를 이용한 그래핀 양자점의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 탄소원은 기상 또는 액상인 것인, 열플라즈마를 이용한 그래핀 양자점의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 탄소원은 일산화탄소, 이산화탄소, 메탄, 에탄, 에틸렌, 에탄올, 메탄올, 프로판올, 부탄올, 펜탄올, 아세틸렌, 프로판, 부탄, 부타디엔, 펜탄, 펜텐, 사이클로펜타디엔, 헥산, 사이클로헥산, 벤젠, 톨루엔, 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 열플라즈마를 이용한 그래핀 양자점의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 튜브는 세라믹, 금속, 또는 탄소를 포함하는 것인, 열플라즈마를 이용한 그래핀 양자점의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 튜브의 길이를 조절하여 상기 제조되는 그래핀 양자점의 크기가 조절되는 것인, 열플라즈마를 이용한 그래핀 양자점의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 주입되는 탄소원의 양을 조절하여 상기 제조되는 그래핀 양자점의 크기가 조절되는 것인, 열플라즈마를 이용한 그래핀 양자점의 제조 방법
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