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기판의 상면에 게이트 전극층, 절연층, 채널층 및 소스 및 드레인 전극이 적층 형성되는 투명 박막 트랜지스터로서, 상기 채널층은 IGZO층으로 이루어지고, 상기 소스 및 드레인 전극은 IGZO층 및 금속층이 상하 적층된 2층 구조로 이루어지며, 상기 소스 및 드레인 전극의 상기 금속층이 상기 채널층과 접하도록 배치됨으로써, 상기 채널층과 상기 소스 및 드레인 전극이 IGZO/금속/IGZO의 3층 구조를 이루어지고,상기 IGZO/금속/IGZO의 3층 구조는,두께 19 nm를 갖는 금속층; 및상기 금속층의 상면 및 하면에 각각 적층된 두께 39 nm를 갖는 IGZO층을 포함하는 플렉시블 투명 전극이며,상기 플렉시블 투명 전극은 430 ~ 620 ㎜의 가시광선 파장대역에서 80% 이상의 광투과도를 갖고, 7 Ω/sq
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제1항에 있어서,상기 IGZO층은 비정질 IGZO층 (a-IGZO)인 것을 특징으로 하는 투명 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 금속은 Ag, Au, Pt, Cu 및 Al로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 금속 또는 그 합금인 것을 특징으로 하는 투명 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 기판은 폴리에테르술폰, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에틸렌나프탈레이트 및 글라스 재질로 이루어진 군으로부터 선택된 유연성 기판인 것을 특징으로 하는 투명 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 투명 박막 트랜지스터는 화소 전극으로서 상기 플렉시블 투명전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 박막 트랜지스터
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기판 상에 게이트 전극층, 절연층, 투명 전극층 및 화소 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 투명 박막 트랜지스터의 제조방법으로서,상기 투명 전극층 및 화소 전극층을 형성하는 단계는,a) 상기 절연층 상에 IGZO층을 39 nm의 두께로 형성하는 단계;b) 상기 IGZO층 상에 금속층을 19 nm의 두께로 형성하는 단계; 및c) 상기 금속층 상에 다시 IGZO층을 39 nm의 두께로 형성하는 단계를 포함하여, IGZO/금속/IGZO 3층 구조의 플렉시블 투명전극을 형성하고,상기 플렉시블 투명 전극은 430 ~ 620 ㎜의 가시광선 파장대역에서 80% 이상의 광투과도를 갖고, 7 Ω/sq
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제11항에 있어서,상기 IGZO층은 비정질 IGZO층 (a-IGZO)인 것을 특징으로 하는 투명 박막 트랜지스터의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 a) 내지 c) 단계는 스퍼터링법, 전자빔 증착법 및 연속 증발 증착법으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나의 공정에 의해서 수행되는 것을 특징으로 하는 투명 박막 트랜지스터의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 a) 내지 c) 단계는 회분식 공정에 의해서 수행되는 것을 특징으로 하는 투명 박막 트랜지스터의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 금속은 Ag, Au, Pt, Cu 및 Al로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 금속 또는 그 합금인 것을 특징으로 하는 투명 박막 트랜지스터의 제조방법
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