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(A) 노볼락 수지;
(B) 가교제;
(C) 광개시제; 및
(D) 용매
를 포함하는 유기절연막 조성물
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제1항에 있어서,
(A) 노볼락 수지 4 내지 30 중량%;
(B) 가교제 5 내지 50 중량%;
(C) 광개시제 0
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3
제1항에 있어서,
상기 노볼락 수지가 단계중합을 통해 제조된 노볼락 수지인 것을 특징으로 하는 유기절연막 조성물
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4
제1항에 있어서,
상기 노볼락 수지가 3,000 내지 30,000 범위의 폴리스티렌 환산 중량평균분자량을 갖는 것을 특징으로 하는 유기절연막 조성물
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5
제1항에 있어서,
상기 가교제가 멜라민계 가교제인 것을 특징으로 하는 유기절연막 조성물
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6
제1항에 있어서,
상기 광개시제가 설포늄염, 요오드늄염, 설포닐디아조메탄계, N-설포닐옥시이미드계, 벤조인설포네이트계, 니트로벤질설포네이트계, 설폰계, 글리옥심계, 아세토페논계, 벤조페논계, 티오크산톤계 또는 트리아진계 화합물인 것을 특징으로 하는 유기절연막 조성물
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7
제1항에 있어서,
상기 용매가 알코올류, 에틸렌글리콜알킬에테르아세테이트류, 에틸렌글리콜알킬에테르프로피오네이트류, 에틸렌글리콜모노알킬에테르류, 디에틸렌글리콜알킬에테르류, 프로필렌글리콜알킬에테르아세테이트류, 프로필렌글리콜알킬에테르프로피오네이트류, 프로필렌글리콜모노알킬에테르류, 디프로필렌글리콜알킬에테르류, 부틸렌글리콜모노알킬에테르류, 또는 디부틸렌글리콜디알킬에테르류인 것을 특징으로 하는 유기절연막 조성물
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8
제1항에 있어서,
상기 조성물이 불소계 또는 실리콘계 계면활성제를 상기 노볼락 수지 100 중량부에 대해서 0
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9
제1항에 있어서,
상기 조성물이 10 내지 50 중량%의 고형분 농도를 갖는 것을 특징으로 하는 유기절연막 조성물
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10
제1항 내지 제9항 중 어느 한 항 기재의 유기절연막 조성물을 기재 상에 도포하고 소프트베이크(soft bake)한 후 광조사를 통해 광경화시킨 다음 열처리하는 것을 특징으로 하는 게이트 절연막 형성방법
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11
제10항에 있어서,
상기 소프트베이크(soft bake)가 80-120 ℃의 온도에서 1-15 분간 수행되는 것을 특징으로 하는 게이트 절연막 형성방법
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12
제10항에 있어서,
상기 광경화시 패턴을 이용하여 광조사한 후 현상액으로 현상하여 소정의 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 게이트 절연막 형성방법
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13
제10항에 있어서,
상기 열처리가 80-250 ℃의 온도에서 30-90 분간 수행되는 것을 특징으로 하는 게이트 절연막 형성방법
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14
제10 내지 제13항 중 어느 한 항 기재의 게이트 절연막 형성방법에 의하여 형성된 게이트 절연막
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15
제14항의 게이트 절연막을 포함하는 유기박막 트랜지스터
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16
제15항에 있어서,
상기 유기박막 트랜지스터가 상기 게이트 절연막에 더하여 유기 반도체층 및 전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터
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