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탄소나노튜브 전극 및 그 형성 방법(CARBON NANOTUBE ELECTRODE AND METHOD FOR FORMING THE SAME)

  • 기술번호 : KST2017015946
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 탄소나노튜브 전극 및 그 형성 방법이 제공된다. 상기 탄소나노튜브 전극은, 고분자 지지층, 상기 고분자 지지층 위에 배치되고, 제1 탄소나노튜브를 포함하는 탄소나노튜브-고분자 복합층, 및 상기 탄소나노튜브-고분자 복합층 위에 배치되고, 제2 탄소나노튜브를 포함하는 탄소나노튜브층을 포함한다. 상기 제2 탄소나노튜브는 상기 제1 탄소나노튜브에 연결되고, 상기 제2 탄소나노튜브의 측면이 상기 탄소나노튜브-고분자 복합층의 상부면과 마주볼 수 있다. 상기 탄소나노튜브 전극의 형성 방법은, 희생 기판 위에 촉매층을 형성하는 단계, 상기 촉매층 위에 수직으로 성장된 탄소나노튜브를 포함하는 탄소나노튜브 숲을 형성하는 단계, 상기 탄소나노튜브 숲 위에 고분자를 제공하는 단계, 상기 희생 기판 및 상기 촉매층을 제거하는 단계, 및 상기 탄소나노튜브에 전단력을 제공하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01B 5/14 (2016.05.13) H01B 1/04 (2016.05.13) H01B 13/00 (2016.05.13) H01L 41/047 (2016.05.13)
CPC H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01)
출원번호/일자 1020160043687 (2016.04.08)
출원인 서울대학교산학협력단, 기초과학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0115893 (2017.10.18) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.04.08)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
2 기초과학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김대형 대한민국 인천광역시 연수구
2 현택환 대한민국 서울특별시 강남구
3 홍승기 대한민국 서울특별시 관악구
4 이종수 대한민국 서울특별시 관악구
5 이상규 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 강문호 대한민국 서울특별시 서초구 사평대로 ** (반포동) 우주빌딩 *층(다민특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
2 기초과학연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.04.08 수리 (Accepted) 1-1-2016-0342845-30
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2016.04.11 수리 (Accepted) 1-1-2016-0344975-14
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.10.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.11.10 수리 (Accepted) 9-1-2016-0047013-37
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.05.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0353417-41
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.07.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0707048-19
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2017-0707070-14
8 등록결정서
Decision to grant		 2017.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0684738-66
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.01.24 수리 (Accepted) 4-1-2018-5013866-16
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
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번호 청구항
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희생 기판 위에 촉매층을 형성하는 단계;상기 촉매층 위에 수직으로 성장된 탄소나노튜브를 포함하는 탄소나노튜브 숲을 형성하는 단계;상기 탄소나노튜브 숲 위에 고분자를 제공하는 단계; 상기 희생 기판 및 상기 촉매층을 제거하는 단계; 및상기 탄소나노튜브에 전단력을 제공하는 단계를 포함하고,상기 고분자의 일부는 상기 탄소나노튜브 숲으로 침투하여 고분자 침투층을 형성하고,상기 고분자의 나머지는 상기 탄소나노튜브 숲 위에 고분자 지지층을 형성하고,상기 탄소나노튜브는 상기 고분자 침투층 내에 배치되는 제1 탄소나노튜브와 상기 고분자 침투층 위로 돌출되는 제2 탄소나노튜브로 구분되며,상기 제1 탄소나노튜브는 상기 고분자 침투층과 함께 상기 고분자 지지층 위에 배치되는 탄소나노튜브-고분자 복합층을 형성하고,상기 제2 탄소나노튜브는 상기 전단력에 의해 상기 제1 탄소나노튜브로부터 구부러져 그 측면이 상기 탄소나노튜브-고분자 복합층의 상부면과 마주보며,상기 고분자를 제공하는 단계는 상기 탄소나노튜브 숲을 줄 히팅하는 단계를 포함하고,상기 고분자 침투층의 두께는 상기 줄 히팅의 온도에 의해 조절되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전극의 형성 방법
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제 10 항에 있어서,상기 고분자는 상기 탄소나노튜브 숲 위에 구불구불한 형태로 제공되고, 상기 희생 기판 및 상기 촉매층을 제거하는 단계는 상기 고분자 지지층을 픽업하는 단계를 포함하며,상기 고분자 지지층의 픽업에 의해 상기 탄소나노튜브 숲이 상기 촉매층으로부터 분리되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전극의 형성 방법
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제 10 항에 있어서,상기 고분자는 폴리디메틸실록산인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전극의 형성 방법
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제 10 항에 있어서,상기 희생 기판은 실리콘 기판이고,상기 촉매층은 알루미늄층/철층의 이중층으로 형성되고,상기 탄소나노튜브는 WA-CVD 공정을 수행하여 형성되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전극의 형성 방법
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제 10 항에 있어서,상기 촉매층은 구불구불한 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전극의 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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1 미래창조과학부 서울대학교 산학협력단 기초과학연구원외부연구단 나노입자의 합성과 의료, 에너지 분야 응용