맞춤기술찾기

이전대상기술

기계적 연마 공정을 이용한 리프트-오프 패턴 형성방법(Patterning method of lift-off using mechanical polishing)

  • 기술번호 : KST2017016834
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기계적 연마 공정을 이용한 리프트 오프 패턴 형성 방법에 관한 것으로서, 고불소계 용제를 이용한 포토레지스트 구조체의 리프트 오프 공정을 진행하기 전에 미리 고불소계 용제를 윤활액으로 하여 기계적 연마(Mechanical polishing; MP) 공정을 진행함으로써 고불소계 용제가 쉽게 하부 포토레지스트 구조체 표면에 도달하여 리프트 오프 패턴을 효과적으로 형성할 수 있는 방법을 제공하는 데에 있다.
Int. CL H01L 51/56 (2016.06.08) H01L 51/00 (2016.06.08) H01L 51/52 (2016.06.08) H01L 21/304 (2016.06.08) H01L 21/306 (2016.06.08)
CPC H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01)
출원번호/일자 1020160052355 (2016.04.28)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0123113 (2017.11.07) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.04.28)
심사청구항수 9

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이진균 대한민국 인천광역시 연수구
2 손종찬 대한민국 경기도 오산시 오산로***번길 **,

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인태백 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** 이노플렉스 *차 ***호

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-0411203-46
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2016.05.10 수리 (Accepted) 1-1-2016-0444127-36
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.03.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.06.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0089694-78
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.06.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0421198-65
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2017-0793128-13
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.08.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0793127-67
9 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2017.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2017-1054983-68
10 등록결정서
Decision to grant
2017.12.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0898787-01
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
투명 전극 상에 유기전자재료 박막을 증착하는 단계(제1단계);상기 유기전자재료 박막이 증착된 투명 전극 상에 포토레지스트 용액을 도포하는 단계(제2단계);상기 포토레지스트 용액이 도포된 투명 전극을 노광한 후, 미노광부를 현상액으로 용해시켜 네거티브형 패턴을 투명 전극 상에 형성하는 단계(제3단계);상기 형성된 네거티브형 패턴 상에 유기발광재료 박막을 증착하는 단계(제4단계);상기 유기발광재료 박막이 증착된 표면에 기계적 연마(Mechanical Polishing) 공정을 수행하는 단계(제5단계); 및상기 기계적 연마 공정 이후 리프트 오프를 수행하는 단계(제6단계);를 포함하고,상기 기계적 연마 공정을 수행하는 단계(제5단계)는,연마포에 윤활제를 분사하여 연마포를 적시는 단계,상기 적셔진 연마포 상에 유기발광재료 박막을 올려놓은 후 상하, 좌우 또는 회전시켜 유기발광재료 박막을 제거하는 단계, 상기 연마포에 의해 연마되어 제거된 유기발광재료 박막의 부스러기를 세척하는 단계, 및상기 유기발광재료 박막의 부스러기를 세척한 후 노출된 포토레지스트의 표면 상에 윤활제를 첨가하여 포토레지스트를 팽윤시키는 단계를 포함하는, 기계적 연마 공정을 이용한 리프트 오프 패턴 형성 방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 기계적 연마를 이용한 리프트 오프 패턴 형성 방법은 제2단계 내지 제6단계를 2 내지 4회 반복수행 하는 것을 특징으로 하는, 기계적 연마 공정을 이용한 리프트 오프 패턴 형성 방법
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
청구항 1에 있어서,상기 연마포는 면직물, 벨벳, 및 폴리에스터 극세사 직물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 기계적 연마 공정을 이용한 리프트 오프 패턴 형성 방법
6 6
청구항 1에 있어서,상기 윤활제는 고불소계 용제인 것을 특징으로 하는, 기계적 연마 공정을 이용한 리프트 오프 패턴 형성 방법
7 7
청구항 6에 있어서,상기 고불소계 용제는 히드로플루오로에터(hydrofluoroether), 퍼플루오로카본(perfluorocarbon), 및 퍼플루오로에터(perfluoroether)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 기계적 연마 공정을 이용한 리프트 오프 패턴 형성 방법
8 8
청구항 1에 있어서, 상기 투명 전극은 투명 금속 산화물 전극, 전도성 고분자 박막, 탄소나노튜브 박막, 금속나노와이어 박막, 또는 그래핀 박막 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 기계적 연마 공정을 이용한 리프트 오프 패턴 형성 방법
9 9
청구항 8에 있어서, 상기 투명 금속 산화물 전극은 인듐주석산화물, 불소가 도핑된 산화주석, 및 산화아연으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 기계적 연마 공정을 이용한 리프트 오프 패턴 형성 방법
10 10
청구항 8에 있어서, 상기 전도성 고분자는 폴리-3,4-에틸렌디옥시티오펜/폴리스티렌설포네이트(PEDOT/PSS), 폴리아닐린, 폴리아세틸렌 및 폴리페닐렌비닐렌으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 기계적 연마 공정을 이용한 리프트 오프 패턴 형성 방법
11 11
청구항 8에 있어서, 상기 금속나노와이어는 금나노와이어, 은나노와이어, 구리나노와이어, 니켈나노와이어, 철나노와이어, 코발트나노와이어, 아연나노와이어, 크롬나노와이어 및 망간나노와이어로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 기계적 연마 공정을 이용한 리프트 오프 패턴 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 인하대학교산학협력단 산업핵심기술개발사업 고불소계 재료 기반 포토리소그라피 패터닝 공정을 통한 10 μm급 OLED픽셀 제조기술 개발