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서로 이격된 제 1 전극 및 제 2 전극을 포함하고, 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 교류 전원이 인가되는 투명한 하부 전극; 상기 교류 전원의 제 1 극성이 상기 제 1 전극에 인가되고 상기 제 1 극성과 다른 상기 교류 전원의 제 2 극성이 상기 제 2 전극에 인가되고,상기 하부 전극 상부에 배치되는 전자 주입층; 상기 전자 주입층 상부에 배치되는 발광층; 상기 발광층 상부에 배치되는 유전체층;상기 유전체층 상부에 배치되고, 상기 제 1 전극과 대향하는 제 1 부분 및 상기 제 2 전극과 대향하는 제 2 부분을 포함하는 상부 전극; 상기 상부 전극의 상기 제 1 부분과 상기 하부 전극의 상기 제 1 전극 사이의 상기 발광층의 제 1 중첩 영역에 의해 정의되는 제 1 발광 영역; 및상기 상부 전극의 상기 제 2 부분과 상기 하부 전극의 상기 제 2 전극 사이의 상기 발광층의 제 2 중첩 영역에 의해 정의되는 제 2 발광 영역을 포함하며,상기 제 1 발광 영역과 상기 제 2 발광 영역은 함께 단위 검출 영역을 정의하고, 상기 상부 전극은 상기 하부 전극, 상기 전자 주입층, 상기 발광층 및 유전체가 적층된 구조에 대해서, 상기 제 1 전극의 제 1 중첩 영역과 상기 제 2 전극의 제 2 중첩 영역 사이를 전기적으로 결합시키고,상기 교류 전원의 제 1 극성과 제 2 극성이 교대로 인가됨에 따라서, 상기 제 1 발광 영역의 발광과 상기 제 2 발광 영역의 발광이 교대로 발생하는 교류 기반 발광 소자
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제 1 항에 있어서,상기 상부 전극은 상기 하부 전극, 상기 전자 주입층, 상기 발광층 및 유전체가 적층된 구조에 대해서, 상기 제 1 전극의 제 1 중첩 영역과 상기 제 2 전극의 제 2 중첩 영역 사이를 전기적으로 결합시키는 것을 특징으로 하는 교류 기반 발광 소자
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제 1 항에 있어서,제 1 반주기 동안, 상기 하부 전극의 상기 제 2 전극, 상기 상부 전극 및 상기 하부 전극의 상기 제 1 전극의 방향으로 전계가 형성되고,제 2 반주기 동안, 상기 하부 전극의 상기 제 1 전극, 상기 상부 전극 및 상기 하부 전극의 상기 제 2 전극의 방향으로 전계가 형성되는 것을 특징으로 하는 교류 기반 발광 소자
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극은 산화 인듐 주석(ITO: Indium Tin Oxide), 탄소 나노 튜브(CNT: Carbon Nano Tube), 그래핀(Graphene), 은 나노 와이어(Ag Nano Wire), 메탈 매시, 하이브리드 메탈 임베디드 중 어느 하나를 사용해 형성된 투명 전극인 교류 기반 발광 소자
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제 1 항에 있어서,상기 전자 주입층은, 폴리에틸렌이민(PEI: polyethylenimine)과 산화 아연(ZnO: zinc oxide)이 복합된 재료(ZnO-PEI), Alq3(tris(8- hydroxyquinoline) aluminum), Balq(Bis(2- methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolato)aluminium : Balq), Bebq2(bis(10-hydroxybenzo [h] quinolinato)-beryllium : Bebq2), BCP(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), Bphen(4,7-diphenyl-1,10- phenanthroline), TPBI((2,2',2"- (benzene-1,3,5-triyl)- tris(1-phenyl-1H-benzimidazole), TAZ (3-(4-biphenyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole),NTAZ(4-(naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole), NBphen(2,9-bis(naphthalen-2-yl)-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline),3TPYMB(Tris(2,4,6-trimethyl-3-(pyridin-3- yl)phenyl)borane : 3TPYMB), POPy2(Phenyl-dipyrenylphosphine oxide), BP4mPy(3,3',5,5'-tetra[(m-pyridyl)-phen-3-yl]biphenyl), TmPyPB(1,3,5-tri[(3-pyridyl)-phen-3-yl]benzene), BmPyPhB(1,3-bis[3,5-di(pyridin-3-yl)phenyl]benzene),Bepq2(Bis(10-hydroxybenzo[h]quinolinato) beryllium), DPPS(Diphenylbis(4-(pyridin-3-yl)phenyl)silane), TpPyPB(1,3,5-tri(p-pyrid-3-yl-phenyl)benzene), Bpy-OXD(1,3-bis[2-(2,2'-bipyridine-6-yl)-1,3,4-oxadiazo-5-yl]benzene), BP-OXD-Bpy(6,6'- bis[5-(biphenyl-4-yl)-1,3,4-oxadiazo-2-yl]-2,2'-bipyridyl), tBu-PBD(2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole) 및 ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl) anthrascene) 중 적어도 하나의 재료를 포함하는 교류 기반 발광 소자
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제 1 항에 있어서,상기 발광층과 상기 유전체층 사이에 배치되는 정공 주입층을 더 포함하는 교류 기반 발광 소자
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제 7 항에 있어서,상기 정공 주입층은, PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4- styrenesulfonate)), 프탈로시아닌 화합물, DNTPD(N,N′-diphenyl-N,N′-bis-[4-(phenyl-m-tolyl-amino)-phenyl]-biphenyl-4,4′-diamine), m-MTDATA(4,4',4''-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine), TDATA(4,4'4"-Tris(N,N-diphenylamino)triphenylamine), 2T-NATA(4,4', 4"-tris{N,-(2-naphthyl)-N-phenylamino}-triphenylamine), α-NPD(N,N'-bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-2,2'- dimethylbenzidine), PANI/DBSA (Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid), PANI/CSA(Polyaniline/Camphor sulfonicacid), PANI/PSS(Polyaniline)/Poly(4-styrenesulfonate), N,N′-di(naphthalene-1-yl)-N,N′-diphenyl-benzidine(NPB), poly(N-vinylcarbazole)(PVK), poly(4-vinyltriphenylamine) (PVTTA), poly[N-(4-{N′-[4-(4-diphenylamino)phenyl]phenyl-N′-phenylamino}phenyl)methacrylamide](PTPDMA) 및 poly[N,N′-bis(4-butylphenyl)-N,N′-bis(phenyl)benzidine (Poly-TPD) 중 적어도 하나의 재료를 포함하는 교류 기반 발광 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 상부 전극은 도전성 외부 객체인 교류 기반 발광 소자
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서로 이격된 제 1 전극 및 제 2 전극을 포함하고, 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 교류 전원이 인가되는 투명한 하부 전극; 상기 교류 전원의 제1 극성이 상기 제 1 전극에 인가되고 상기 제 1 극성과 다른 상기 교류 전원의 제 2 극성이 상기 제2 전극에 인가되고, 상기 하부 전극 상부에 배치되는 전자 주입층; 상기 전자 주입층 상부에 배치되는 발광층; 및상기 발광층 상부에 배치되는 유전체층을 포함하는 적층 구조를 포함하고,상기 유전체층에 근접 접촉하는 도전성 외부 객체가 상기 유전체층을 통해 상기 발광층에 전기적으로 결합되어 상부 전극으로서 기능하며,상기 상부 전극의 제 1 부분과 상기 하부 전극의 상기 제 1 전극 사이의 상기 발광층의 제 1 중첩 영역에 의해 제 1 발광 영역이 정의되고, 상기 상부 전극의 제 2 부분과 상기 하부 전극의 상기 제 2 전극 사이의 상기 발광층의 제 2 중첩 영역에 의해 제 2 발광 영역이 정의되고,상기 제 1 발광 영역과 상기 제 2 발광 영역은 함께 단위 검출영역을 정의하고, 상기 상부 전극은 상기 하부 전극, 상기 전자 주입층, 상기 발광층 및 유전체가 적층된 구조에 대해서, 상기 제 1 전극의 제 1 중첩 영역과 상기 제 2 전극의 제 2 중첩 영역 사이를 전기적으로 결합시키고,상기 교류 전원의 제 1 극성과 제 2 극성이 교대로 인가됨에 따라서, 상기 제 1 발광 영역의 발광과 상기 제 2 발광 영역의 발광이 교대로 발생하는 교류 기반 발광 소자
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제 10 항에 있어서,상기 도전성 외부 객체는 사용자의 손가락 및 스타일러 펜 중 하나인 것을 특징으로 하는 교류 기반 발광 소자
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제 10 항에 있어서,상기 발광층은 상기 유전체층 상부에 입력된 터치 입력 패턴에 따라 발광하는 것을 특징으로 하는 교류 기반 발광 소자
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제1항에 기재된 역구조의 교류 기반 발광 소자; 상기 역구조의 교류 기반 발광 소자를 통해 광을 검출하는 수광 센서; 및상기 수광 센서로부터 검출된 광에 기반하여, 지문 인식을 수행하는 프로세서를 포함하는 지문 인식 센서 플랫폼
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제 15 항에 있어서,상기 역구조의 교류 기반 발광 소자는,서로 이격된 제 1 전극 및 제 2 전극을 포함하고, 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 교류 전원이 인가되는 하부 전극; 상기 하부 전극층 상에 배치되는 전자 주입층; 상기 전자 주입층 상에 배치되는 발광층; 상기 발광층 상에 배치되는 유전체층; 상기 유전체층 상에 배치되고, 상기 제 1 전극과 대향하는 제 1 부분 및 상기 제 2 전극과 대향하는 제 2 부분을 포함하는 상부 전극; 상기 상부 전극의 상기 제 1 부분과 상기 하부 전극의 상기 제 1 전극 사이의 상기 발광층의 제 1 중첩 영역에 의해 정의되는 제 1 발광 영역; 및상기 상부 전극의 상기 제 2 부분과 상기 하부 전극의 상기 제 2 전극 사이의 상기 발광층의 제 2 중첩 영역에 의해 정의되는 제 2 발광 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 지문 인식 센서 플랫폼
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17
제 16 항에 있어서,상기 상부 전극은 상기 하부 전극, 상기 전자 주입층, 상기 발광층 및 유전체가 적층된 구조에 대해서, 상기 제 1 전극의 제 1 중첩 영역과 상기 제 2 전극의 제 2 중첩 영역 사이를 전기적으로 결합시키는 것을 특징으로 하는 지문 인식 센서 플랫폼
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18
제 16 항에 있어서,제 1 반주기 동안, 상기 하부 전극의 상기 제 2 전극, 상기 상부 전극 및 상기 하부 전극의 상기 제 1 전극의 방향으로 전계가 형성되고,제 2 반주기 동안, 상기 하부 전극의 상기 제 1 전극, 상기 상부 전극 및 상기 하부 전극의 상기 제 2 전극의 방향으로 전계가 형성되는 것을 특징으로 하는 지문 인식 센서 플랫폼
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제 16 항에 있어서,상기 제 1 발광 영역의 발광과 상기 제 2 발광 영역의 발광은 교대로 발생하는 것을 특징으로 하는 지문 인식 센서 플랫폼
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