| 1 |
1
채널층 상에 소스 전극 및 드레인 전극이 형성되는 투명 박막 트랜지스터에 있어서,상기 채널층은 산화물 반도체로 형성되고,상기 소스 전극 및 드레인 전극은 각각 상기 채널층 상에 형성되는 금속층, 및 상기 금속층 상에 형성되는 산화물층을 포함하며,상기 금속층은서로 메쉬(mesh) 형태로 교차되도록 분산 배치되는 다수의 금속 나노구조체;를 포함하고,상기 금속층은상기 금속 나노구조체의 외면에 코팅되는 다수의 산화물 나노입자;를 더 포함하는 투명 박막 트랜지스터
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
청구항 1에 있어서,상기 금속층은 Ag, Au, Ti, Ni, Mo, Cu, 및 Al 중 적어도 어느 하나 이상으로 이루어지는 투명 박막 트랜지스터
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
청구항 1에 있어서,상기 금속 나노구조체는 금속 나노와이어, 금속 나노로드, 및 금속 나노튜브 중 적어도 어느 하나 이상인 투명 박막 트랜지스터
|
| 7 |
7
청구항 1에 있어서,상기 금속 나노구조체는Ag, Al, 및 Cu 중 적어도 어느 하나 이상으로 이루어지는 투명 박막 트랜지스터
|
| 8 |
8
삭제
|
| 9 |
9
청구항 1에 있어서,상기 산화물 나노입자는상기 채널층 또는 상기 산화물층의 산화물과 동일한 소재로 이루어지는 투명 박막 트랜지스터
|
| 10 |
10
청구항 1있어서,상기 채널층 및 상기 산화물층 중 적어도 어느 하나는 Ti-O, Zn-O, Ni-O, Mo-O, V-O, W-O, Mg-O, Si-O, Sn-O, Ta-O, Hf-O, Nb-O, Zr-O, Cu-O, In-O, Al-O, Ni-In-O, Zn-In-O, Cu-In-O, Mo-In-O, Ge-In-O, Si-In-O, Sn-In-O, Mn-In-O, Mg-In-O, Ga-In-O, Al-In-O, B-In-O, V-In-O, In-O-Cl, In-O-F, W-In-O, Ta-In-O, Hf-In-O, Re-In-O, Mg-Sn-O, Ga-Zn-In-O, Sr-V-O, Ca-V-O, 및 Ga-Sn-Zn-In-O 중 적어도 어느 하나 이상으로 이루어지는 투명 박막 트랜지스터
|
| 11 |
11
청구항 1에 있어서,상기 금속층, 및 상기 산화물층은스퍼터링법, 무손상 스퍼터링법(damage-free sputtering), 전자빔 증착법, 롤투롤(Roll-to-roll) 또는 연속 증발 증착법으로 형성되는 투명 박막 트랜지스터
|
| 12 |
12
청구항 1에 있어서,상기 산화물층은 상기 채널층과 동일한 산화물로 형성되는 투명 박막 트랜지스터
|
