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비정질 실리콘층에, 스캔 속도 50 mm/s 내지 130 mm/s 및 레이저 에너지 밀도 25 J/㎠ 내지 75 J/㎠인 지속파 레이저 빔을 조사하여 제1 폴리 실리콘층을 형성하는 단계; 그리고상기 제1 폴리 실리콘층에, 상기 지속파 레이저 빔을 조사하여 제2 폴리 실리콘층을 형성하는 단계를 포함하는 결정화 방법
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제1항에서,상기 지속파 레이저 빔은 400nm 내지 500nm의 파장 범위를 가지는 결정화 방법
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제1항에서,상기 지속파 레이저 빔은 445nm 파장을 가지는 결정화 방법
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제1항에서,상기 제1 폴리 실리콘층을 형성하는 단계 및 상기 제2 폴리 실리콘을 형성하는 단계는 상기 비정질 실리콘층의 제1 영역에서 수행되는 결정화 방법
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제4항에서,상기 제1 폴리 실리콘층을 형성하는 단계 및 상기 제2 폴리 실리콘을 형성하는 단계는 상기 제1 영역을 부분적으로 용융시키는 결정화 방법
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제1항에서,상기 제2 폴리 실리콘층에 상기 지속파 레이저 빔을 복수 회 조사하는 단계를 더 포함하는 결정화 방법
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제1항에서,상기 제2 폴리 실리콘층은 상기 제1 폴리 실리콘층 대비 실리콘 입자 사이즈가 더 큰 결정화 방법
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제1항에서,상기 제2 폴리 실리콘층은 상기 제1 폴리 실리콘층 대비 우선 방위가 100인 결정 방향을 가지는 실리콘 입자가 더 많은 결정화 방법
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제1항에서,상기 비정질 실리콘층은 50nm 내지 400nm의 두께를 가지는 결정화 방법
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제1항에서,상기 지속파 레이저 빔은 평면적으로 정사각형 형태인 결정화 방법
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비정질 실리콘층의 동일 영역에 지속파 레이저 빔을 복수 회 조사하는 단계를 포함하며,상기 지속파 레이저 빔은 스캔 속도 50 mm/s 내지 130 mm/s 및 레이저 에너지 밀도 25 J/㎠ 내지 75 J/㎠인 결정화 방법
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비정질 실리콘층에 지속파 레이저 빔을 조사하는 레이저 발진기; 그리고상기 비정질 실리콘층이 안착되며, 제1 방향으로 이동하는 스테이지를 포함하며,상기 지속파 레이저 빔은 스캔 속도 50 mm/s 내지 130 mm/s 및 레이저 에너지 밀도 25 J/㎠ 내지 75 J/㎠로 상기 비정질 실리콘층에 조사되는 결정화 장치
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제12항에서,상기 레이저 발진기는,400nm 내지 500nm의 파장 범위를 가지는 복수의 레이저 빔들을 발진하는 복수의 레이저 소자들; 그리고상기 복수의 레이저 빔들을 상기 지속파 레이저 빔으로 변형하는 광학계를 포함하는 결정화 장치
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제13항에서,상기 광학계는 상기 지속파 레이저 빔을 평면적으로 정사각형 형태로 변형하는 결정화 장치
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