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기판;상기 기판 상에 위치하는 씨앗층;상기 씨앗층 상에 위치하는 인위적 반강자성층;상기 인위적 반강자성층 상에 위치하되, 상기 인위적 반강자성층과의 계면에서 수직자기이방성을 발현시키도록 산화물계 물질을 포함하는 계면수직자기이방성 유도층;상기 계면 수직자기이방성 유도층 상에 위치하되, 수직자기이방성을 갖는 제1 강자성층;상기 제1 강자성층 상에 위치하는 터널링 배리어층; 및상기 터널링 배리어층 상에 위치하고, 수직자기이방성을 갖는 제2 강자성층을 포함하는 수직자기이방성을 갖는 MTJ 구조
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제1항에 있어서,상기 씨앗층은 Ta, Ru 또는 Pd을 포함하는 수직자기이방성을 갖는 MTJ 구조
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제1항에 있어서,상기 인위적 반강자성층은 강자성물질층과 비자성물질층이 서로 교대로 반복적층된 수직자기이방성 교차층을 포함하는 수직자기이방성을 갖는 MTJ 구조
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제3항에 있어서,상기 강자성물질층은 Co, Fe 또는 Ni을 포함하는 수직자기이방성을 갖는 MTJ 구조
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제3항에 있어서,상기 비자성물질층은 Pd 또는 Pt를 포함하는 수직자기이방성을 갖는 MTJ 구조
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제1항에 있어서,상기 산화물계 물질은 코발트산화물 또는 철산화물인 것을 특징으로 하는 수직자기이방성을 갖는 MTJ 구조
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제1항에 있어서,상기 계면수직자기이방성 유도층은 불활성 가스 및 산소 가스 분위기하에서, 금속 스퍼터링 타겟을 이용하여 스퍼터링법을 수행하여 제조된 것을 특징으로 하는 수직자기이방성을 갖는 MTJ 구조
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제7항에 있어서,상기 불활성 가스 1 sccm 대비 상기 산소 가스는 0
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기판 상에 씨앗층을 형성하는 단계;상기 씨앗층 상에 인위적 반강자성층을 형성하는 단계;상기 인위적 반강자성층 상에 상기 인위적 반강자성층과의 계면에서 수직자기이방성을 발현시키도록 산화물계 물질을 포함하는 계면수직자기이방성 유도층을 형성하는 단계;상기 계면 수직자기이방성 유도층 상에 수직자기이방성을 갖는 제1 강자성층을 형성하는 단계;상기 제1 강자성층 상에 터널링 배리어층을 형성하는 단계; 및상기 터널링 배리어층 상에 수직자기이방성을 갖는 제2 강자성층을 형성하는 단계를 포함하는 수직자기이방성을 갖는 MTJ 구조 제조방법
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제9항에 있어서,상기 인위적 반강자성층은 강자성물질층과 비자성물질층이 서로 교대로 반복적층된 수직자기이방성 교차층을 포함하는 수직자기이방성을 갖는 MTJ 구조 제조방법
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제9항에 있어서,상기 계면수직자기이방성 유도층을 형성하는 단계는,불활성 가스 및 산소 가스 분위기하에서, 금속 스퍼터링 타겟을 이용하여 스퍼터링법을 수행하여 형성하는 것을 특징으로 하는 수직자기이방성을 갖는 MTJ 구조 제조방법
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제11항에 있어서,상기 불활성 가스는 아르곤 가스인 것을 특징으로 하는 수직자기이방성을 갖는 MTJ 구조 제조방법
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제11항에 있어서,상기 불활성 가스 1 sccm 대비 상기 산소 가스는 0
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