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나노다공성 그래핀 막의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2018007053
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 측면은 반응기 내를 포함한 산화가 가능한 임의의 장소에 다층 그래핀(multilayer graphene)을 배치하는 제1 단계, 다층 그래핀의 표면을 산화 양을 줄여 무작위 모양의 분산된 형태로 산화시키는 제2 단계, 상기의 분산되어 산화된 부분들의 탄소 원자들을 환원 식각(reductive etching)하는 제3 단계, 상기의 다층 그래핀을 관통하는 나노 기공이 형성될 때까지 상기 일련의 제2과 제3 단계를 반복 수행하는 제4 단계를 포함하는 나노다공성 다층 그래핀 막의 제조 방법을 제공하는 것이다.
Int. CL C01B 31/04 (2006.01.01)
CPC C01B 32/194(2013.01) C01B 32/194(2013.01) C01B 32/194(2013.01) C01B 32/194(2013.01)
출원번호/일자 1020160158342 (2016.11.25)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0059135 (2018.06.04) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.11.25)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전영민 대한민국 서울특별시 성북구
2 전영인 대한민국 서울특별시 성북구
3 이석 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 티앤아이 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2016-1156573-87
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.02.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.03.12 수리 (Accepted) 9-1-2018-0010074-25
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.05.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0330671-83
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.07.10 수리 (Accepted) 1-1-2018-0679347-98
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.08.14 수리 (Accepted) 1-1-2018-0804431-25
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.09.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0921327-41
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.09.17 수리 (Accepted) 1-1-2018-0921326-06
9 등록결정서
Decision to grant		 2018.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0876180-27
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번호 청구항
1 1
산소 기반의 라디칼이 있는 환경 하에서, 다층 그래핀의 외부로 노출된 표면을 산화시키되 전체가 완전히 산화되지 않도록 산화 양을 줄여 상기 표면을 무작위 모양의 분산된 형태로 산화시키는 제1 단계; 상기의 분산되어 산화된 부분들의 탄소 원자들을 환원 식각(reductive etching)하는 제2 단계;및상기의 다층 그래핀을 관통하는 나노 기공이 형성될 때까지 상기 일련의 제1과 제2 단계를 반복 수행하는 제3 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 다공성 그래핀 막의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 다층 그래핀의 층수가 2층 내지 10층으로 구성된 것을 특징으로 하는 다공성 그래핀 막의 제조 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 제1 단계에서 다층 그래핀 표면 상에 분산되어 산화된 부분들의 평균 직경이 10 나노미터 미만인 것을 특징으로 하는 다공성 그래핀 막의 제조 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 제1 단계에서 다층 그래핀 표면의 분산된 산화를 위하여 다층 그래핀을 오존 기체가 있는 환경 하에 놓는 것을 특징으로 하는 다공성 그래핀 막의 제조 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 제1 단계에서 다층 그래핀 표면의 분산된 산화를 위하여 다층 그래핀을 산소 기체가 있는 환경 하에 놓는 것을 특징으로 하는 다공성 그래핀 막의 제조 방법
6 6
제5항에 있어서,상기 다층 그래핀 표면의 분산된 산화를 위하여 다층 그래핀이 놓이게 되는 산소 기체가 있는 환경에 수증기가 포함된 것을 특징으로 하는 다공성 그래핀 막의 제조 방법
7 7
삭제
8 8
제1항에 있어서,상기 제3 단계에서 상기 다층 그래핀을 관통하는 나노기공들의 크기가 그래핀 면에 수직한 방향에서 보았을 때에 평균 직경이 10 나노미터 미만인 것을 특징으로 하는 다공성 그래핀 막의 제조 방법
9 9
제1항에 있어서,상기 산소 기반 라디칼은 O 라디칼, O2 라디칼, O3 라디칼, OH 라디칼 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 다공성 그래핀 막의 제조 방법
10 10
제1항에 있어서,상기 제2 단계의 환원 식각을 위하여 다층 그래핀 표면을 가열하는 것을 특징으로 하는 다공성 그래핀 막의 제조 방법
11 11
제10항에 있어서,상기 다층 그래핀 표면의 가열을 위하여 표면에 레이저 조사(irradiation)를 하는 것을 특징으로 하는 다공성 그래핀 막의 제조 방법
12 12
제1항에 있어서,상기 제2 단계에 있어서 환원 식각을 위하여 화학적 환원제 물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 다공성 그래핀 막의 제조 방법
13 13
제1항에 있어서,상기 제3 단계인 반복 공정을 위하여 제2 단계에서 제1 단계로 되돌아가는 중간에, 제2 단계의 식각 공정에 의하여 생기게 되는 가장자리(edge, 탄소 원자들의 끊어진 결합 부분)를 부동태화(passivation)하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다공성 그래핀 막의 제조 방법
14 14
제1항에 있어서,상기 제1 및 2 단계에서, 상기 분산 산화 및 환원 식각 공정이 다층 그래핀의 위, 아래 표면들 중 한 표면에서만 일어나는 것을 특징으로 하는 다공성 그래핀 막의 제조 방법
15 15
제1항에 있어서,상기 제1 및 2 단계에서, 상기 분산 산화 및 환원 식각 공정이 다층 그래핀 위, 아래의 양 표면 모두에서 일어나는 것을 특징으로 하는 다공성 그래핀 막의 제조 방법
16 16
제1항에 있어서,상기 제1 단계와 제2 단계 사이에, 산화에 의하여 그래핀 표면상에 형성된 에폭시 기능기 또는 수산화 기능기들을 어닐링 공정을 통하여 그래핀 표면상에서 군집화(clustering)하는 과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다공성 그래핀 막의 제조 방법
17 17
제1항에 있어서,상기 다층 그래핀을 구멍들이 뚫린 지지대 위에 붙인 후에 제1 단계 내지 제3 단계 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 다공성 그래핀 막의 제조 방법
18 18
제1항에 있어서,최종적으로 나노다공성 다층 그래핀 막을 얻은 후에 그래핀 표면에 남아있는 산화 관련 화학 기능기들을 제거하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다공성 그래핀 막의 제조 방법
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1 산업통상자원부 레이저옵텍(주) 전자시스템산업핵심기술개발 파장가변형 초고속 스위칭 레이저기반 진단/치료 시스템 개발