맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

질화 갈륨 기판의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2018010653
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화 갈륨 기판 제조 방법을 개시한다. 본 발명의 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법은 성장 기판 상에 적어도 하나의 윈도우 영역 및 돌출 영역을 포함하는 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 성장 기판 상에 질화 갈륨(GaN; gallium nitride)을 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG; epitaxial lateral overgrowth)시켜, N-극성 질화 갈륨 및 Ga-극성 질화 갈륨을 포함하는 질화 갈륨을 형성하는 단계; 상기 N-극성 질화 갈륨을 선택적으로 식각하는 단계; 및 상기 마스크 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/306 (2006.01.01) H01L 21/033 (2006.01.01) H01L 21/311 (2006.01.01)
CPC H01L 21/02389(2013.01) H01L 21/02389(2013.01) H01L 21/02389(2013.01) H01L 21/02389(2013.01) H01L 21/02389(2013.01) H01L 21/02389(2013.01) H01L 21/02389(2013.01)
출원번호/일자 1020170010707 (2017.01.23)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0086806 (2018.08.01) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.01.23)
심사청구항수 7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김진교 대한민국 서울특별시 서초구
2 장동수 대한민국 서울특별시 동대문구
3 주미연 대한민국 경기도 고양시 일산동구
4 김화섭 대한민국 서울특별시 동대문구
5 김동회 대한민국 서울특별시 동대문구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김연권 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, ****/****호(문정동, 문정대명벨리온)(시안특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.01.23 수리 (Accepted) 1-1-2017-0080846-42
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.05.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0342545-64
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.07.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0694018-89
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.07.13 수리 (Accepted) 1-1-2018-0693974-23
5 등록결정서
Decision to grant		 2018.11.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0799461-12
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
성장 기판 상에 적어도 하나의 윈도우 영역 및 돌출 영역을 포함하는 마스크 패턴을 형성하는 단계;상기 성장 기판 상에 질화 갈륨(GaN;gallium nitride)을 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG; epitaxial lateral overgrowth)시켜, N-극성 질화 갈륨 및 Ga-극성 질화 갈륨을 포함하는 질화 갈륨을 형성하는 단계;상기 N-극성 질화 갈륨을 선택적으로 식각하는 단계; 및상기 마스크 패턴을 제거하는 단계를 포함하고,상기 N-극성 질화 갈륨 및 Ga-극성 질화 갈륨을 포함하는 질화 갈륨을 형성하는 단계는 극성 반전(polarity inversion)을 이용하여 상기 윈도우 영역 상부에는 상기 N-극성 질화 갈륨만 성장되고, 상기 돌출 영역 상부에는 상기 Ga-극성 질화 갈륨만 성장되는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨 기판 제조 방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 N-극성 질화 갈륨을 선택적으로 식각하는 상기 단계는,상기 Ga-극성 질화 갈륨을 측면 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨 기판 제조 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 N-극성 질화 갈륨을 선택적으로 식각하는 단계는,수산화 칼륨(KOH; potassium hydroxide)을 사용하는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨 기판 제조 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 성장 기판은 사파이어(sapphire), 갈륨 비소(GaAs; gallium arsenide), 스피넬(spinel), 실리콘(Si; silicon), 인화 인듐(InP; indium phosphide) 및 실리콘 카바이드(SiC; silicon carbide) 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 질화 갈륨 기판 제조 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 마스크 패턴은 실리콘 산화물(SiO2; silicon oxide), 실리콘 질화물(SiNx; silicon nitride) 및 실리콘 산질화물(SiON; silicon oxynitride) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨 기판 제조 방법
7 7
성장 기판 상에 적어도 하나의 윈도우 영역 및 돌출 영역을 포함하는 마스크 패턴을 형성하는 단계;상기 성장 기판 상에 질화 갈륨(GaN;gallium nitride)을 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG; epitaxial lateral overgrowth)시켜, N-극성 질화 갈륨 및 Ga-극성 질화 갈륨을 포함하는 질화 갈륨을 형성하는 단계;상기 N-극성 질화 갈륨을 선택적으로 식각하는 단계;상기 마스크 패턴을 제거하는 단계;상기 Ga-극성 질화 갈륨을 포함하는 프리-스탠딩(free-standing) 질화 갈륨을 비정질 박막이 증착된 임시 기판 상에 부착시키는 단계; 및상기 비정질 박막이 증착된 임시 기판 상에 부착된 상기 프리-스탠딩(free-standing) 질화 갈륨을 측면 성장시키는 단계를 포함하고,상기 N-극성 질화 갈륨 및 Ga-극성 질화 갈륨을 포함하는 질화 갈륨을 형성하는 단계는 극성 반전(polarity inversion)을 이용하여 상기 윈도우 영역 상부에는 상기 N-극성 질화 갈륨만 성장되고, 상기 돌출 영역 상부에는 상기 Ga-극성 질화 갈륨만 성장되는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨 기판 제조 방법
8 8
성장 기판 상에 적어도 하나의 윈도우 영역 및 돌출 영역을 포함하는 마스크 패턴을 형성하는 단계;상기 성장 기판 상에 질화 갈륨(GaN;gallium nitride)을 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG; epitaxial lateral overgrowth)시켜, N-극성 질화 갈륨 및 Ga-극성 질화 갈륨을 포함하는 질화 갈륨을 형성하는 단계; 및상기 N-극성 질화 갈륨을 선택적으로 식각하는 단계를 포함하고,상기 N-극성 질화 갈륨 및 Ga-극성 질화 갈륨을 포함하는 질화 갈륨을 형성하는 단계는 극성 반전(polarity inversion)을 이용하여 상기 윈도우 영역 상부에는 상기 N-극성 질화 갈륨만 성장되고, 상기 돌출 영역 상부에는 상기 Ga-극성 질화 갈륨만 성장되는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨 템플릿(template) 기판 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2018135688 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2018135688 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.