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MOS 제어 정류기의 제조방법

  • 기술번호 : KST2018013643
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 MOS 제어 정류기의 제조방법을 개시한다. 그의 제조방법은, 제 1 도전형의 기판 상에 상기 제 1 도전형의 에피 층을 형성하는 단계와, 상기 에피 층의 상부 내에 상기 제 1 도전형과 다른 제 2 도전형의 웰 영역들을 형성하는 단계와, 상기 웰 영역들의 일부와 상기 웰 영역들 사이의 상기 에피 층 상에 게이트 절연막과 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극, 상기 게이트 전극 양측의 상기 웰 영역들 상에 애노드를 형성하는 단계; 및 상기 기판의 하부에 캐소드를 형성하는 단계를 포함한다. 상기 애노드를 형성하는 단계는: 상기 웰 영역들과 상기 게이트 전극 상에 상기 웰 영역들에 대해 쇼트키 접촉을 갖는 금속을 포함하는 하부 애노드를 형성하는 단계와, 상기 하부 애노드 상에 상부 애노드를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
Int. CL H01L 29/08 (2006.01.01) H01L 29/78 (2006.01.01) H01L 29/739 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020170115450 (2017.09.08)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0111449 (2018.10.11) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020170040288   |   2017.03.29
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.08.11)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박건식 대한민국 대전시 유성구
2 원종일 대한민국 세종특별자치시 만남로
3 조두형 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.09.08 수리 (Accepted) 1-1-2017-0876160-33
2 [심사청구]심사청구서·우선심사신청서
 2020.08.11 수리 (Accepted) 1-1-2020-0841275-69
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.08.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0841274-13
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2020.09.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2020.11.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0177525-51
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번호 청구항
1 1
제 1 도전형의 기판 상에 상기 제 1 도전형의 에피 층을 형성하는 단계;상기 에피 층의 상부 내에 상기 제 1 도전형과 다른 제 2 도전형의 웰 영역들을 형성하는 단계;상기 웰 영역들의 일부와 상기 웰 영역들 사이의 상기 에피 층 상에 게이트 절연막과 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극과 상기 게이트 전극 양측의 상기 웰 영역들 상에 애노드를 형성하는 단계; 및상기 기판의 하부에 캐소드를 형성하는 단계를 포함하되,상기 애노드를 형성하는 단계는:상기 웰 영역들과 상기 게이트 전극 상에 상기 웰 영역들에 대해 쇼트키 접촉을 갖는 금속을 포함하는 하부 애노드를 형성하는 단계; 및상기 하부 애노드 상에 상부 애노드를 형성하는 단계를 포함하는 모오스 제어 정류기의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.