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저온 공정을 이용한 산화물 박막 제조 장치에 있어서,챔버;상기 챔버의 일측부와 연결되며, 상기 챔버 내로 산화물 용액의 미스트(mist)를 공급하는 산화물 용액 공급 장치;상기 챔버의 일측부와 연결되며, 상기 챔버 내로 오존(O3)을 공급하는 오존 공급 장치;상기 챔버의 타측부에 제공되며, 미반응된 잔류 미스트, 잔류 오존, 및 불순물이 배출되는 배출구;상기 챔버의 상부에 제공되며, 상기 오존을 조사하도록 자외선(UV)을 방출하는 자외선 조사 장치;상기 챔버 내로 제공되는 기판; 및상기 기판의 하부에 제공되는 히터를 포함하되, 상기 기판 상에 소정 두께의 산화물 박막이 증착되면, 상기 자외선 조사 장치는 상기 자외선을 상기 오존에 조사하여 산소 라디칼을 생성하고, 상기 산소 라디칼은 상기 산화물 박막 내에 존재하는 상기 불순물을 제거하며, 상기 산화물 박막 제조 장치는 상기 산화물 박막의 증착 공정 및 상기 불순물의 제거 공정을 반복적으로 수행하는저온 공정을 이용한 산화물 박막 제조 장치
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제 1항에 있어서,상기 증착된 산화물 박막의 상기 소정 두께는 대략 3 내지 5nm 범위를 갖는 저온 공정을 이용한 산화물 박막 제조 장치
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제 1항에 있어서,상기 자외선의 파장은 254nm의 파장대를 구비하는 저온 공정을 이용한 산화물 박막 제조 장치
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제 1항에 있어서,상기 순물은 탄소를 포함하는 저온 공정을 이용한 산화물 박막 제조 장치
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저온 공정을 이용한 산화물 박막 제조 장치에 있어서,챔버;상기 챔버의 일측부와 연결되며, 상기 챔버 내로 산화물 용액의 미스트(mist)를 공급하는 산화물 용액 공급 장치;상기 챔버의 일측부와 연결되며, 상기 챔버 내로 산소(O2)를 공급하는 산소 공급 장치;상기 챔버의 타측부에 제공되며, 미반응된 잔류 미스트, 잔류 산소, 및 불순물이 배출되는 배출구;상기 챔버의 상부에 제공되며, 상기 산소를 조사하도록 제 1 파장의 제 1 자외선을 방출하는 제 1 자외선 조사 장치 및 상기 제 1 자외선에 의해 생성된 오존을 조사하도록 제 2 파장의 제 2 자외선을 방출하는 제 2 자외선 조사 장치로 구성되는 자외선 조사 장치;상기 챔버 내로 제공되는 기판; 및 상기 기판의 하부에 제공되는 히터를 포함하되, 상기 기판 상에 증착되는 소정 두께의 산화물 박막이 증착되면, 상기 제 2 자외선 조사 장치는 상기 제 2 자외선을 상기 오존에 조사하여 산소 라디칼을 생성하고, 상기 산소 라디칼은 상기 증착된 상기 산화물 박막 내에 존재하는 불순물을 제거하며, 상기 산화물 박막 제조 장치는 상기 산화물 박막의 증착 공정 및 상기 불순물의 제거 공정을 반복적으로 수행하는저온 공정을 이용한 산화물 박막 제조 장치
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제 5항에 있어서, 상기 증착된 산화물 박막의 상기 소정 두께는 대략 3 내지 5nm 범위를 갖는 저온 공정을 이용한 산화물 박막 제조 장치
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제 5항에 있어서,상기 제 1 파장은 185nm의 파장대를 구비하고, 상기 제 2 파장은 254nm의 파장대를 구비하는 저온 공정을 이용한 산화물 박막 제조 장치
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제 5항에 있어서,상기 불순물은 탄소를 포함하는 저온 공정을 이용한 산화물 박막 제조 장치
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저온 공정을 이용한 산화물 박막 제조 방법에 있어서,a) 챔버 내로 산화물 용액의 미스트(mist)를 공급하는 단계;b) 상기 챔버 내의 기판의 하부에 제공되는 히터에 의해 상기 기판을 소정 범위의 온도로 유지하면서, 상기 기판 상에 소정 두께의 산화물 박막을 증착하는 단계;c) 상기 챔버 내로 오존(O3)을 공급하는 단계;d) 상기 챔버의 상부에 제공되는 자외선 조사 장치를 이용하여 상기 오존에 자외선을 조사하여 산소 라디칼 및 산소(O2)를 생성하는 단계;e) 상기 생성된 산소 라디칼을 이용하여 상기 산화물 박막 내의 불순물을 제거하는 단계; 및f) 상기 a) 단계 내지 상기 e) 단계를 적어도 1회 이상 반복하는 단계를 포함하는 저온 공정을 이용한 산화물 박막 제조 방법
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제 9항에 있어서,상기 저온 공정을 이용한 산화물 박막 제조 방법은상기 b) 단계 및 상기 c) 단계 사이에 b1) 상기 증착 공정 후에 미반응된 상기 미스트 형태의 잔류 산화물 용액을 배출구를 통해 배출하는 단계; 및 상기 e) 단계 및 상기 f) 단계 사이에 e1) 상기 제거된 불순물, 미반응된 잔류 오존, 미반응된 상기 산소 라디칼, 및 상기 생성된 산소를 상기 배출구를 통해 배출하는 단계를 추가로 포함하는 저온 공정을 이용한 산화물 박막 제조 방법
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제 9항에 있어서,상기 증착된 산화물 박막의 소정 두께는 대략 3 내지 5nm 범위를 갖는 저온 공정을 이용한 산화물 박막 제조 방법
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제 9항에 있어서,상기 자외선의 파장은 254nm의 파장대를 구비하는 저온 공정을 이용한 산화물 박막 제조 방법
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제 9항에 있어서,상기 불순물은 탄소를 포함하는 저온 공정을 이용한 산화물 박막 제조 방법
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저온 공정을 이용한 산화물 박막 제조 방법에 있어서,a) 챔버 내로 산화물 용액의 미스트(mist)를 공급하는 단계;b) 상기 챔버 내의 기판의 하부에 제공되는 히터에 의해 상기 기판을 소정 범위의 온도로 유지하면서, 상기 기판 상에 소정 두께의 산화물 박막을 증착하는 단계;c) 상기 챔버 내로 산소(O2)를 공급하는 단계;d) 상기 챔버의 상부에 제공되며, 제 1 파장의 제 1 자외선을 방출하는 제 1 자외선 조사 장치 및 제 2 파장의 제 2 자외선을 방출하는 제 2 자외선 조사 장치로 구성되는 자외선 조사 장치를 이용하여 상기 산소에 상기 제 1 자외선을 조사하여 오존을 생성하고, 상기 생성된 오존에 상기 제 2 자외선을 조사하여 산소 라디칼 및 산소(O2)를 생성하는 단계;e) 상기 생성된 산소 라디칼을 이용하여 상기 산화물 박막 내의 불순물을 제거하는 단계; 및 f) 상기 a) 단계 내지 상기 e) 단계를 적어도 1회 이상 반복하는 단계를 포함하는 저온 공정을 이용한 산화물 박막 제조 방법
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제 14항에 있어서,상기 저온 공정을 이용한 산화물 박막 제조 방법은상기 b) 단계 및 상기 c) 단계 사이에 b1) 상기 증착 공정 후에 미반응된 상기 미스트 형태의 잔류 산화물 용액을 배출구를 통해 배출하는 단계; 및 상기 e) 단계 및 상기 f) 단계 사이에 e1) 상기 제거된 불순물, 미반응된 잔류 오존, 미반응된 상기 산소 라디칼, 및 미반응된 상기 공급된 산소 및 상기 생성된 산소를 상기 배출구를 통해 배출하는 단계를 추가로 포함하는 저온 공정을 이용한 산화물 박막 제조 방법
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제 14항에 있어서,상기 증착된 산화물 박막의 소정 두께는 대략 3 내지 5nm 범위를 갖는 저온 공정을 이용한 산화물 박막 제조 방법
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제 14항에 있어서,상기 제 1 파장은 185nm의 파장대를 구비하고, 상기 제 2 파장은 254nm의 파장대를 구비하는 저온 공정을 이용한 산화물 박막 제조 방법
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제 14항에 있어서,상기 불순물은 탄소를 포함하는 저온 공정을 이용한 산화물 박막 제조 방법
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