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ＭｏＯ₃ 분말을 이용한 ＭｏＯ₃의 박막 형성 방법

  • 기술번호 : KST2014043320
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 MoO3 분말을 이용한 MoO3의 박막 형성 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 MoO3 분말을 기판과 접촉하고, 수소 분위기 하에서 환원 열처리를 수행하여 상기 기판 상에 MoO2 박막을 형성하고, 상기 MoO2 박막을 산소 분위기하에서 산화 처리를 수행하는 단계를 포함하는 MoO3 박막 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 방법을 통해 기판 상에 2차원적인 형태뿐만 아니라 3차원적 형태의 MoO3 박막을 용이하게 형성할 수 있으며, 이러한 방법은 NH3, CO, NOx, SOx 등의 가스를 검출하는 검출센서 등에 적용이 가능할 뿐만 아니라 몰리브덴 박막을 코팅하여 사용하는 모든 분야에 적용가능하다. 수소환원 반응, 산화 처리, 박막, 검출센서
Int. CL C23C 16/40 (2006.01.01) C23C 16/52 (2018.01.01)
CPC C23C 16/405(2013.01) C23C 16/405(2013.01) C23C 16/405(2013.01) C23C 16/405(2013.01)
출원번호/일자 1020080053638 (2008.06.09)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0995252-0000 (2010.11.12)
공개번호/일자 10-2009-0127585 (2009.12.14) 문서열기
공고번호/일자 (20101119) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.06.09)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영도 대한민국 서울 송파구
2 이영중 대한민국 서울 동작구
3 서영익 대한민국 서울 동대문구
4 김세훈 대한민국 서울 은평구
5 김대건 대한민국 경기 수원시 팔달구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장수영 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, *층(역삼동, 대아빌딩)(특허법인 신우)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 김영도 서울특별시 송파구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.06.09 수리 (Accepted) 1-1-2008-0409196-34
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.05.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.06.15 수리 (Accepted) 9-1-2009-0036382-70
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0227206-95
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.07.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0487347-08
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2010-0487339-32
7 등록결정서
Decision to grant		 2010.11.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0510335-37
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
MoO3 분말을 기판과 접촉하고, 수소 분위기 하에서 환원 열처리를 수행하여 상기 기판 상에 MoO2 박막을 형성하고, 상기 MoO2 박막을 산소 분위기하에서 산화 처리를 수행하는 단계를 MoO3 박막 제조시, 상기 환원 열처리는 5∼20 ℃/min의 승온 속도로 450∼700 ℃로 온도를 상승시킨 후 온도를 낮추거나, 상기 온도 범위에서 10시간 이하로 유지하는 방식으로 수행하고, 상기 산화 처리는 5∼20 ℃/min의 승온 속도로 400∼600 ℃ 로 온도를 상승시킨 후 온도를 낮추거나, 상기 온도 범위에서 10시간 이하로 유지하는 방식으로 수행하는 것을 특징으로 하는 MoO3 박막의 형성 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 기판은 산화된 실리콘 웨이퍼(oxidized Si wafer), 유리 기판, 또는 세라믹 기판 중에서 선택된 1종의 재질을 포함하는 것인 방법
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 환원 열처리는 H2O, H2 또는 이들의 혼합 가스를 주입하면서 수행하는 것인 방법
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서, 상기 산화 처리는 산소, 공기 또는 산소를 포함하는 가스를 주입하여 수행하는 것인 방법
8 8
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.