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타겟 기판;상기 타겟 기판 상에 형성된 하부 전극;상기 하부 전극 상에 접합되는 전자 소자;상기 전자 소자 상에 형성되는 컨택 전극;상기 타겟 기판 상에서 상기 하부 전극 및 전자 소자 사이에 배치되는 전사 부재; 및상기 전자 소자 상에 접속되는 상부 전극; 을 포함하며, 상기 전사 부재는 전달기판 상에 부착된 상태에서 상기 전자 소자와 접촉한 후, 상기 타겟 기판에 전사된 것을 특징으로 하는,전사 부재를 이용한 전자 소자의 적층 구조
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제 1 항에 있어서,상기 전자 소자는 마이크로 LED 소자인,전사 부재를 이용한 전자 소자의 적층 구조
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제 1 항에 있어서,상기 전자 소자는 고집적 회로(LSI)인,전사 부재를 이용한 전자 소자의 적층 구조
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제 1 항에 있어서,상기 타겟 기판은 플렉서블한 플라스틱 기판 또는 고분자 기판인,전사 부재를 이용한 전자 소자의 적층 구조
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제 1 항에 있어서,상기 전자 소자는 전달 기판 상에 임시적으로 부착된 상태에서 외력에 의해 변형되는 상기 전사 부재에 접합하여 상기 타겟 기판에 전사된 구조인,전사 부재를 이용한 전자 소자의 적층 구조
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제 5 항에 있어서,상기 외력은 열, 압력, 초음파, 물리력 및 반데르발스힘을 포함한 그룹 중 어느 하나이고, 상기 전사 부재는 ACF, SOCF, ACA 및 Solder Ball 을 포함한 전도성 접착물질 그룹 중 어느 하나인,전사 부재를 이용한 전자 소자의 적층 구조
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모기판을 준비하는 단계;상기 모기판 상에 전자 소자를 구성하는 무기물질 기반 다층 박막층을 형성하는 단계;상기 다층 박막층에 형성된 전자 소자를 개별적으로 분리시키는 단계;전달 기판을 상기 전자 소자 상에 부착하는 단계;상기 모기판을 제거하는 단계;타겟 기판 상에 형성된 하부 전극과 상기 전달 기판 상의 전자 소자의 위치를 정렬하는 단계;전사 부재를 상기 타겟 기판 및 상기 전자 소자 사이에 위치시킨 후 접합하는 단계; 및상기 전달 기판을 제거하는 단계;를 포함하는,전사 부재를 이용한 전자 소자의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 타겟 기판은 플렉서블한 플라스틱 기판 또는 고분자 기판인,전사 부재를 이용한 전자 소자의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 전자 소자를 개별적으로 분리하는 단계는, 마스킹 후 식각을 통해 상기 전자 소자를 칩마다 분리하는 단계인,전사 부재를 이용한 전자 소자의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 다층 박막층에 형성된 상기 전달 기판을 상기 전자 소자 상에 부착하는 단계는, 상기 전자 소자를 보호하기 위해 상기 전자 소자의 측면에 1차 보호층을 형성하는 단계;를 포함하는,전사 부재를 이용한 전자 소자의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 방법은,상기 전달 기판을 제거한 후에,상기 전자 소자 상에 접속되는 상부 전극을 형성하는 단계;를 더 포함하는,전사 부재를 이용한 전자 소자의 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 상부 전극을 형성하는 단계 전에,상기 하부 전극과 상기 상부 전극 간의 단락을 방지하기 위하여 상기 전자 소자 주위의 빈 공간 상에 2차 보호층을 형성하는 단계;를 더 포함하는,전사 부재를 이용한 전자 소자의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 전달 기판은 PDMS, Thermal Release Tape, UV Release Tape 및 Water Soluble Tape을 포함하는 그룹 중 어느 하나인,전사 부재를 이용한 전자 소자의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 접합 단계에서,상기 전사 부재를 선택적으로 상기 타겟 기판에 적용한 상태에서 상기 전달 기판에 임시로 부착된 전자 소자를 접합했을 때에, 상기 전사 부재가 적용된 상기 타겟 기판의 영역 상에 있는 전자 소자에 한해서만 접합을 수행하는,전사 부재를 이용한 전자 소자의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 접합 단계에서, 상기 전달 기판 상의 전자 소자 중 일부 만이 상기 전사 부재에 적용하게 함으로써 상기 전자 소자 중 일부를 선택적으로 전사하는,전사 부재를 이용한 전자 소자의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 접합 단계에서, 상기 타겟 기판 상에 상기 전사 부재를 전체적으로 적용하고 상기 전달기판 상의 전자 소자 전체를 접합하는 경우에, 상기 전자 소자 전부의 전사 및 상호연결이 동시에 이루어지는,전사 부재를 이용한 전자 소자의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 모기판을 제거하는 단계는,식각 또는 레이저 리프트 오프 공정을 통해 수행되는,전사 부재를 이용한 전자 소자의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 전사 부재는,이방성 전도필름, NCF(Non Conductive Film), SOCF(Self Organized Conductive Film), ACA(Anisotropic Conductive Adhesive) 및 Solder Ball 을 포함하는 그룹 중 어느 하나인,전사 부재를 이용한 전자 소자의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 접합 단계는,초음파, 물리력, 반데르발스힘 및 열과 압력 을 포함하는 접합 수단 중 어느 하나를 사용하는,전사 부재를 이용한 전자 소자의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 마스킹은 Metal masking, PR을 이용한 masking, 고분자를 이용한 masking 및 Soft masking 을 포함하는 그룹 중 어느 하나인,전사 부재를 이용한 전자 소자의 제조 방법
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