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음각화된 패턴을 갖는 기판에 발포제를 포함하는 팽창성 코어와 열가소성 고분자 쉘을 함유하는 팽창성 입자 하나 이상을 제공하는 제1단계;상기 제1단계의 결과물에서 과잉의 팽창성 입자를 제거하는 제2단계;상기 제2단계의 결과물을 열처리하여 음각화된 패턴의 팽창성 입자를 팽창시키는 제3단계; 및상기 제3단계에 따라 팽창이 완료된 고분자 중공 입자를 기판으로부터 분리하는 제4단계를 포함하는 고분자 중공 입자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제1단계에서 음각화된 패턴에 제공되는 팽창성 입자는 단분산형 또는 다분산형 입자로 제공되며, 상기 제4단계에 따라 얻은 고분자 중공 입자는 단분산형의 고분자 중공 입자인 고분자 중공 입자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제1단계가, 상기 팽창성 코어와 열가소성 고분자 쉘을 포함하는 팽창성 입자 하나 이상이 용매와 혼합되어 음각화된 패턴을 갖는 기판에 제공되거나 또는팽창성 코어와 열가소성 고분자 쉘을 포함하는 팽창성 입자 하나 이상을 건식으로 제공하는 고분자 중공 입자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제3단계에서 열처리는 50 내지 170℃에서 실시하는 고분자 중공 입자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 발포제는 열가소성 수지 고분자 쉘의 열가소성 수지의 연화점 온도 이하에서 가스상이 되는 저비점의 비불소계 탄화수소 화합물을 포함하는 고분자 중공 입자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 팽창성 입자의 열가소성 고분자 쉘에서 열가소성 수지는 중합성 모노머로부터 얻어진 고분자 또는 중합성 모노머와 가교제의 반응 생성물로 얻어진 고분자이며, 상기 중합성 모노머는 니트릴계 모노머, 카르복실산계 모노머, (메타)아크릴산계 에스테르 모노머, 아크릴아미드계 모노머, 말레이미드계 모노머, 비닐에테르계 모노머, 비닐케톤계 모노머, 방향족 디비닐계 모노머, N-비닐계 모노머, 할로겐화 비닐계 모노머 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상이고,상기 가교제는 메타크릴산알릴, 트리아크릴포르말, 트리알릴이소시아네이트, 에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메타)아크릴레이트, 1,9-노난디올디(메타)아크릴레이트, 1, 10-데칸디올디(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리메타크릴레이트, 글리세롤디메타크릴레이트, 디메틸올-트리시클로데칸디아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트, 네오펜틸글리콜아크릴산안식향산에스테르, 트리메틸올프로판아크릴산안식향산에스테르, 2-히드록시-3-아크릴로일옥시프로필메타크릴레이트, 히드록시피바란산네오펜틸글리콘디아크릴레이트, 디 트리메틸올프로판테트라아크릴레이트, 2-부틸-2-에틸-1,3-프로판디올디아크릴레이트 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 고분자 중공 입자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 팽창성 입자의 열가소성 고분자 수지 쉘의 열가소성 수지는 (메타)아크릴계 제1반복단위, 니트릴계 제2반복단위 및 상기 (메타)아크릴계 제1반복단위와 니트릴계 제2반복단위와 반응성을 갖지 않는 제3반복단위를 포함하는 터폴리머를 포함하며, 상기 (메타)아크릴계 제1반복단위의 함량은 반복단위 총함량을 기준으로 하여 10 내지 50중량%, 니트릴계 제2반복단위의 함량은 제1반복단위, 제2반복단위 및 제3반복단위의 총함량을 기준으로 하여 30 내지 80중량%이고, 상기 제3반복단위의 함량은 10 내지 50중량%인 고분자 중공 입자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 팽창성 입자에서 발포제는 프로판, 프로필렌, 부텐, 노르말부탄, 이소부탄, 이소펜탄, 네오펜탄, 노르말펜탄, 노르말헥산, 이소헥산, 헵탄, 옥탄, 석유에테르, 메탄의 할로겐화물, 테트라알킬실란, 아조디카르본아미드 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 고분자 중공 입자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 음각화된 패턴을 갖는 기판에 라인 또는 홀 패턴이 형성되어 고분자 중공 입자의 적어도 일 면에 라인 또는 홀 패턴이 형성되는 고분자 중공 입자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제조방법에 따라 얻어진 고분자 중공 입자의 비중은 0
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제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 제조방법에 따라 제조되어 팽창성 코어와 열가소성 고분자 쉘을 포함하는 단분산형 입자이며, 비중이 0
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제11항에 있어서,상기 고분자 중공 입자의 분산도는 5% 이하인 고분자 중공 입자
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제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 제조방법에 따라 제조되어 팽창성 코어와 열가소성 고분자 쉘을 포함하는 단분산형 입자이며, 비중이 0
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제13항에 있어서, 상기 복합체는 고분자 중공 입자; 및 상기 고분자 중공 입자의 표면에 배치된 전자전도성 물질, 전자파 차폐 성능을 갖는 물질, 열전자전도성 물질 및 고분자 수지 중에서 선택된 하나 이상의 물질을 함유한 코팅막을 함유한 구조를 갖거나 또는 상기 복합체는 고분자 중공 입자와, 전자전도성 물질, 전자파 차폐 성능을 갖는 물질, 열전자전도성 물질, 고분자 수지 중에서 선택된 하나 이상의 물질이 복합화된 구조를 갖는 복합체
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15
제13항에 있어서,상기 고분자 중공 입자의 분산도는 5% 이하인 복합체
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제1항에 있어서, 상기 팽창된 고분자 입자는 단일 입자 또는 일체형 입자(one-body particle)인 고분자 중공 입자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 고분자 중공 입자에 불소계 물질로 표면처리를 실시하는 단계를 더 포함하며, 상기 불소계 물질인 1,1-다이플로로에탄인 분자 중공 입자의 제조방법
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