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잠재적 이온전도성 고분자와 비이온성 고분자의 공중합체인 제1 고분자와, 상기 잠재적 이온전도성 고분자와 비상용성인 폴리비닐리덴플루오라이드(polyvinylidenefluoride, PVDF)를 포함하는 고분자 수지 조성물을 캐스팅하는 단계;상기 캐스팅 후, 잠재적 이온전도성 고분자 블록의 자기조립을 유도하여 막 전구체 필름을 수득하는 단계; 및,상기 자기조립된 잠재적 이온전도성 고분자를 이온전도성 고분자로 전환시켜 이온채널을 형성하는 단계;를 포함하는 이온전도성 막의 제조 방법으로서,상기 자기조립은 잠재적 이온전도성 고분자 블록이 하나의 상을 형성하고, 제1 고분자의 비이온성 고분자 블록과 폴리비닐리덴플루오라이드가 나머지 하나의 상을 이루는 형태인 것인, 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 이온전도성 막은 폴리비닐리덴플루오라이드, 또는 폴리비닐리덴플루오라이드와 제1 고분자의 비이온성 고분자 블록이 매트릭스를 형성하고; 제1 고분자의 잠재적 이온전도성 고분자가 전환되어 형성된 이온성 고분자 수지가 이온채널을 형성;하는 것인, 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 잠재적 이온전도성 고분자는 중합체를 형성하는 주사슬에 치환된 펜던트 치환체로서 잠재적 이온전도성 치환기를 포함하는 것인, 제조 방법
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제3항에 있어서, 상기 잠재적 이온전도성 치환기는 이온전도성 관능기의 이온전도성을 갖는 부분이 보호기에 의하여 보호된 것인, 제조 방법
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제4항에 있어서, 상기 이온전도성 관능기는 설폰기, 카르복실기, 아크릴산기 및 인산기로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상인 것인, 제조 방법
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제4항에 있어서, 상기 보호기는 C3 내지 C10의 알킬기인 것인, 제조 방법
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제4항에 있어서, 상기 보호기는 tert-부틸, tert-펜틸 또는 네오펜틸인 것인, 제조 방법
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제3항에 있어서, 상기 주사슬을 형성하는 중합체는 올레핀계 중합체, 아크릴계 중합체, 아세테이트계 중합체, 스타이렌계 중합체, 에스테르계 중합체, 아미드계 중합체, 불소계 또는 부분불소계 중합체, 셀룰루오스계 중합체, 글리콜계 중합체, 카보네이트계 중합체, 폴리이미드계 중합체, 폴리에테르에테르케톤(PEEK) 및 폴리설폰계 중합체로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상인 것인, 제조 방법
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제3항에 있어서, 상기 잠재적 이온 전도성 치환기는 아래의 화학식 1-1, 1-2 또는 1-3으로 표시되는 치환기인 것인, 제조 방법:[화학식 1-1] [화학식 1-2] [화학식 1-3] 상기 식에서, R 및 R`는 각각 독립적으로 C3 내지 C10의 알킬기이다
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제3항에 있어서, 상기 중합체는 아래의 화학식 2로 표시되는 단위를 포함하는 것인, 제조 방법:[화학식 2]상기 식에서, n은 1 내지 200의 정수이고, R은 보호기이다
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제3항에 있어서, 상기 중합체는 아래의 화학식 3으로 표시되는, 잠재적 이온전도성 고분자와 아크릴계 고분자의 블록 공중합체인 것인, 제조 방법:[화학식 3]상기 식에서, n은 1 내지 200의 정수이고, R은 보호기이며, m은 10 내지 1,000인 정수이고, R1은 C1~C10의 직쇄상 또는 분지상의 알킬이며, R2는 수소 또는 메틸이다
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제1항에 있어서, 조성물 내에서 제1 고분자와 폴리비닐리덴플루오라이드의 중량비는 30:70 내지 60:40인 것인, 제조 방법
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제1항의 방법으로 제조되고, 폴리비닐리덴플루오라이드 매트릭스 내에 극성 고분자 수지의 이온채널이 형성된 것인, 이온전도성 막
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제21항에 있어서, 물 흡수율은 15~25 중량%이고; 이온전도도는 10-1 S/cm 이상인 것을 특징으로 하는, 이온전도성 막
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