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신축성 기판과 이온 선택성 박막을 이용한 탄소나노튜브 기반 이온 센서 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2019001260
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 한 실시예에 따른 이온 센서는, 신축성 기판, 신축성 기판 상에 위치하는 탄소나노튜브 채널, 신축성 기판의 상에 상호 이격되어 위치하며, 탄소나노튜브 채널과 중첩되는 한 쌍의 전극, 그리고 한 쌍의 전극 상에 위치하고, 탄소나노튜브 채널에 접촉되어 있고, 이온을 선택적으로 검지하는 이온 선택성 고분자 박막(ion selective membrane)을 포함한다.
Int. CL G01N 27/414 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020180088868 (2018.07.30)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0019013 (2019.02.26) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020170103650   |   2017.08.16
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.07.30)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍승훈 대한민국 서울특별시 송파구
2 조영탁 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2018-0754267-26
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.04.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.06.12 수리 (Accepted) 9-1-2019-0026676-54
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.10.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0760807-59
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.12.04 수리 (Accepted) 1-1-2019-1254806-11
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.12.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-1254807-56
10 등록결정서
Decision to grant
2020.02.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0094733-04
11 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2020.03.03 수리 (Accepted) 1-1-2020-0226881-14
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
신축성 기판,상기 신축성 기판 상에 위치하는 탄소나노튜브 채널,상기 신축성 기판의 상에 상호 이격되어 위치하며, 상기 탄소나노튜브 채널과 중첩되는 한 쌍의 전극, 그리고상기 한 쌍의 전극 상에 위치하고, 탄소나노튜브 채널에 접촉되어 있고, 이온을 선택적으로 검지하는 이온 선택성 고분자 박막(ion selective membrane)을 포함하고,상기 이온 선택성 고분자 박막은, 이온 투과담체(ionophore), 고분자성 지지체(matrix), 가소제(plasticizer), 그리고 유용성 첨가제(additive)를 포함하고,상기 신축성 기판은 PDMS(Polydimethylsiloxane)를 포함하고, 상기 신축성 기판에 의해 물리적 변형에도 검지되는 신축성을 갖고, 인체에 부착되어 액상으로 분비되는 생체 신호를 측정하고, 그리고상기 이온 선택성 고분자 박막은 상기 한 쌍의 전극의 상면 및 상기 탄소나노튜브 채널의 상면을 모두 덮고 있는 이온 센서
2 2
삭제
3 3
제1항에서,상기 이온 투과담체 0
4 4
제1항에서,상기 이온 투과담체는, 발리노마이신(Valinomycin), 또는 살리노마이신(Salinomycin), 모넨신(Monensin), 라살로시드(Lasalocid), 이오노마이신(Ionomycin) 또는 뷰베리신(Beauvericin)를 포함하는 이온 센서
5 5
제1항에서,상기 고분자성 지지체는, 폴리비닐클로라이드(Polyvinylchloride, PVC), 폴리우레탄(PU) 또는 실리콘 고무를 포함하는 이온 센서
6 6
제1항에서,상기 가소제는, 디옥틸세바케이트(DioctylSebacate, DOS), 비스(2-에틸헥실) 아디페이트 (bis(2-ethylhexyl)adipate, DOA), 2-니트로페닐 옥틸 에테르(2-nitrophenyl octyl ether, NPOE), 디에틸숙시네이트(diethyl succinate), 디옥틸 말레이트(dioctyl maleate) 또는 다이운데실프탈레이트(Diundecyl Phtalate)를 포함하는 이온 센서
7 7
제1항에서,상기 유용성 첨가제는 포타슘 테트라키스[4-클로로페닐]보레이트(Potassium tetrakis[4-chlorophenyl] Borate, KTChPB)를 포함하는 이온 센서
8 8
제1항에서,상기 신축성 기판은 PDMS(Polydimethylsiloxane)를 포함하는 이온 센서
9 9
제1항에서,상기 탄소나노튜브 채널은, 반도체성 단일벽 탄소나노튜브(semiconducting single walled carbon nanotube, s-SWCNT)를 포함하는 이온 센서
10 10
제1항에서,상기 전극은, 백금(Pt), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 팔라듐(Pd), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 주석(Sn) 또는 알루미늄(Al) 중에서 하나 이상의 금속을 포함하는 이온 센서
11 11
실리콘 기판을 OTS 헥세인(Octadecyltrichlorosilane hexane) 용액에 침지시켜 OTS층이 형성되는 단계, 상기 OTS층 상에 포토레지스트(photoresist) 패턴에 의해 상호 이격되어 위치하는 한 쌍의 전극을 형성하는 단계, 상기 전극 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계,상기 포토레지스트층 상에 탄소나노튜브 채널 용액을 떨어트린 후 건조시키는 단계,상기 포토레지스트층을 제거하여 탄소나노튜브 채널을 형성하는 단계, 상기 탄소나노튜브 채널 상에 신축성 기판을 형성하는 단계, 상기 신축성 기판을 분리시켜 상기 신축성 기판 상에 상기 탄소나노튜브 채널 및 상기 전극이 순서대로 적층된 구조의 트랜지스터를 얻는 단계, 그리고상기 분리된 트랜지스터에 이온 선택성 고분자 박막을 형성하여 이온을 선택적으로 검지하는 이온 센서를 얻는 단계를 포함하고,상기 이온 선택성 고분자 박막은, 이온 투과담체(ionophore), 고분자성 지지체(matrix), 가소제(plasticizer), 그리고 유용성 첨가제(additive)를 포함하고,상기 신축성 기판은 PDMS(Polydimethylsiloxane)를 포함하고, 상기 이온 센서가 상기 신축성 기판에 의해 물리적 변형에도 검지되는 신축성을 갖고, 상기 이온 센서가 인체에 부착되어 액상으로 분비되는 생체 신호를 측정하고, 그리고상기 이온 선택성 고분자 박막은 상기 한 쌍의 전극의 상면 및 상기 탄소나노튜브 채널의 상면을 모두 덮고 있는 이온 센서 제조방법
12 12
제11항에서, 상기 OTS층 상에 포토레지스트(photoresist) 패턴에 의해 전극을 형성하는 단계에서, 전극은 하나 이상의 금속이 증착되는 것인 이온 센서 제조방법
13 13
제11항에서,상기 포토레지스트층 상에 탄소나노튜브 채널 용액을 떨어트린 후 건조시키는 단계에서, 상기 탄소나노튜브 채널 용액은 DCB(Dichlorobenzene) 용매에 반도체성 단일벽 탄소 나노튜브를 첨가하여 용해시킨 것을 포함하는 이온 센서 제조방법
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 서울대학교, 연세대학교 원천기술개발사업 고신축성 나노융합 소재 기반, 비침습성 물리/생화학 이온 센서 개발
2 과학기술정보통신부 서울대학교 글로벌프런티어사업 무인감시시스템용 지속 가능한 표면 증폭식 면역 센서 개발