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FET형 센서 어레이에 있어서
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제 1 항에 있어서, 다수 개의 상기 FET형 센서들의 감지 물질층들은, 성분이 다른 다수 개의 감지 물질들로 이루어지되, 각 감지 물질은 하나 또는 둘 이상의 FET형 센서에 적용된 것을 특징으로 하는 FET형 센서 어레이
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제 1 항에 있어서, 상기 보호 절연막은 상기 플로팅 전극 및 상기 제어 전극 상에 적어도 구비되고, 상기 FET형 센서는 상기 제어 전극과 접촉하는 격리 절연막 아래에 적어도 구비된 공기층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 FET형 센서 어레이
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제 3 항에 있어서, 다수 개의 상기 FET형 센서들의 감지 물질층들은, 성분이 다른 다수 개의 감지 물질들로 이루어지되, 각 감지 물질은 하나 또는 둘 이상의 FET형 센서에 적용된 것을 특징으로 하는 FET형 센서 어레이
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제 1 항에 있어서, 다수 개의 상기 FET형 센서들의 제어 전극들은 서로 직렬로 연결되거나, 서로 병렬 연결되거나, 혹은 일부는 직렬 연결되고 다른 일부는 병렬 연결되는 것을 특징으로 하며, 상기 마이크로 히터로 사용되는 제어 전극들의 선폭은 동일하거나 각 FET형 센서에 따라 선폭을 변화시키는 것을 특징으로 하는 FET형 센서 어레이
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제 3 항에 있어서, 상기 FET형 센서는,상기 제어 전극과 전기적 접촉을 하는 금속배선; 및 상기 제어 전극과 금속배선의 사이에 형성된 다수 개의 컨택 홀(contact hole);을 더 구비하고, 상기 센서 어레이에서 상기 감지 물질층 및 그 주변에 있는 제어 전극의 선폭은 나머지 영역에 있는 제어 전극의 선폭보다 더 좁게 형성된 것을 특징으로 하는 FET형 센서 어레이
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제 3 항에 있어서, 상기 FET형 센서는, 상기 공기층 형성을 위한 언더컷(undercut) 패턴;을 더 구비하고,상기 언더컷 패턴은 원, 타원, 정사각형, 모서리가 둥근 정사각형, 직사각형, 모서리가 둥근 직사각형 중 하나의 형상으로 이루어지거나, 타원, 직사각형, 모서리가 둥근 직사각형 중 하나의 형상으로 이루어지되 중간에 하나 또는 둘 이상의 임의의 각도로 꺾인 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 FET형 센서 어레이
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제 1 항에 있어서, 상기 FET형 센서는 상기 제어 전극과 접촉하는 격리 절연막 아래에 적어도 구비된 공기층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 FET형 센서 어레이
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제 9 항에 있어서, 다수 개의 상기 FET형 센서들의 감지 물질층들은, 성분이 다른 다수 개의 감지 물질들로 이루어지되, 각 감지 물질은 하나 또는 둘 이상의 FET형 센서에 적용된 것을 특징으로 하는 FET형 센서 어레이
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제 9 항에 있어서, 다수 개의 상기 FET형 센서들의 제어 전극들은 서로 직렬 연결되거나, 서로 병렬 연결되거나, 또는 일부는 직렬 연결되고 나머지는 병렬 연결되는 것을 특징으로 하며, 상기 마이크로 히터로 사용되는 제어 전극들의 선폭은 동일하거나 각 FET형 센서에 따라 선폭을 변화시키는 것을 특징으로 하는 FET형 센서 어레이
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제 9 항에 있어서, 상기 FET형 센서는,상기 제어 전극과 전기적 접촉을 하는 금속배선; 및 상기 제어 전극과 금속배선의 사이에 형성된 다수 개의 컨택 홀(contact hole);을 더 구비하고,상기 센서 어레이에서 상기 감지 물질층 및 그 주변에 있는 제어 전극의 선폭은 나머지 영역에 있는 제어 전극의 선폭보다 더 좁게 형성하고,상기 감지 물질층과 접촉하는 상기 제어 전극이 금속인 경우, 상기 제어 전극의 양 끝부분에 구비된 컨택 홀을 통해 열전도 계수가 금속보다 낮은 물질을 연결하여 일정 길이로 배치하고, 상기 배치된 열전도 계수가 낮은 물질의 양 끝부분에 구비된 컨택 홀을 통해 금속배선이 연결된 것을 특징으로 하는 FET형 센서 어레이
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제 9 항에 있어서, 상기 FET형 센서는, 상기 공기층 형성을 위한 언더컷(undercut) 패턴;을 더 구비하고,상기 언더컷 패턴은 원, 타원, 정사각형, 모서리가 둥근 정사각형, 직사각형, 모서리가 둥근 직사각형 중 하나의 형상으로 이루어지거나, 타원, 직사각형, 모서리가 둥근 직사각형 중 하나의 형상으로 이루어지되 중간에 하나 또는 둘 이상의 임의의 각도로 꺾인 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 FET형 센서 어레이
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FET형 센서 어레이에 있어서,다수 개의 FET형 센서들이 하나의 기준점으로부터 임의의 거리에 배치된 것을 특징으로 하고, 상기 FET형 센서는, 반도체 기판;상기 반도체 기판에 돌출되게 구비된 반도체 바디;상기 반도체 바디의 측면에 구비된 격리 절연막;상기 반도체 바디 상에 구비된 게이트 절연막;상기 게이트 절연막 및 상기 격리 절연막 상에 구비된 플로팅 전극;상기 플로팅 전극의 적어도 일 측면과 마주하며 수평으로 이격되어 상기 격리 절연막 상에 특정 길이로 구비된 마이크로 히터; 상기 플로팅 전극 및 상기 마이크로 히터상에 적어도 구비된 보호 절연막;상기 플로팅 전극의 적어도 일 측면과 마주하며 수평으로 이격되어 구비된 제어 전극;상기 제어 전극 및 상기 플로팅 전극의 적어도 수평으로 대향하는 측벽 상에 배치되되 상기 플로팅 전극과는 보호 절연막을 사이에 두고 구비된 감지 물질층; 상기 플로팅 전극을 사이에 두고 상기 반도체 바디에 구비된 소스/드레인 영역;및상기 마이크로 히터와 접촉하는 격리 절연막 아래에 적어도 구비된 공기층;을 포함하는 것을 특징으로 하며,상기 각 FET형 센서의 마이크로 히터가 상기 기준점과 대향되도록 배치된 것을 특징으로 하며,다수 개의 상기 FET형 센서들의 마이크로 히터들은 서로 인접하게 구비되어 상기 각 FET형 센서에 있는 감지 물질층이 각 FET형 센서의 마이크로 히터 및 인접한 FET형 센서의 마이크로 히터에 의해서 가열되도록 구성되어, 전력 소모를 감소시키는 것을 특징으로 하는 FET형 센서 어레이
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제 15 항에 있어서, 다수 개의 상기 FET형 센서들의 감지 물질층들은, 성분이 다른 다수 개의 감지 물질들로 이루어지되, 각 감지 물질은 하나 또는 둘 이상의 FET형 센서에 적용된 것을 특징으로 하는 FET형 센서 어레이
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제 15 항에 있어서, 다수 개의 상기 FET형 센서들의 마이크로 히터들은 서로 직렬로 연결되거나, 서로 병렬로 연결되거나, 혹은 일부는 직렬로 연결되고 다른 일부는 병렬로 연결되는 것을 특징으로 하며, 상기 마이크로 히터들의 선폭은 동일하거나 각 FET형 센서에 따라 선폭을 변화시키는 것을 특징으로 하는 FET형 센서 어레이
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제 15 항에 있어서, 상기 FET형 센서는 상기 마이크로 히터와 전기적 접촉을 하는 금속배선; 및 상기 마이크로 히터와 금속배선의 사이에 형성된 다수 개의 컨택 홀(contact hole);을 더 구비하고,상기 센서 어레이에서 상기 감지 물질층 및 그 주변에 있는 마이크로 히터의 선폭은 나머지 영역에 있는 마이크로 히터의 선폭보다 더 좁게 형성되고,상기 감지 물질층과 접촉하는 상기 제어 전극이 금속인 경우, 상기 제어 전극의 양 끝부분에 구비된 컨택 홀을 통해 열전도 계수가 금속보다 낮은 물질을 연결하여 일정 길이로 배치하고, 상기 배치된 열전도 계수가 낮은 물질의 양 끝부분에 구비된 컨택 홀을 통해 금속배선이 연결된 것을 특징으로 하는 FET형 센서 어레이
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제 15 항에 있어서, 상기 FET형 센서는, 상기 공기층 형성을 위한 언더컷(undercut) 패턴;을 더 구비하고,상기 언더컷 패턴은 원, 타원, 정사각형, 모서리가 둥근 정사각형, 직사각형, 모서리가 둥근 직사각형 중 하나의 형상으로 이루어지거나, 타원, 직사각형, 모서리가 둥근 직사각형 중 하나의 형상으로 이루어지되 중간에 하나 또는 둘 이상의 임의의 각도로 꺾인 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 FET형 센서 어레이
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