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하부 전극 상에 형성되는 제1 극성의 반도체층;상기 제1 극성의 반도체층 상에 형성되고, 상기 제1 극성과 다른 극성을 갖는 제2 극성의 반도체층; 및상기 제2 극성의 반도체층 상에 형성되는 상부 전극을 포함하고,상기 하부 전극 또는 상부 전극은 적어도 하나 이상의 나노와이어(nanowire)를 포함하는 나노와이어 어레이(nanowire array)이고, 상기 나노와이어 어레이는 직접적으로 맞닿는 상기 제1 극성의 반도체층 또는 상기 제2 극성의 반도체층과 동일한 극성을 가지며,상기 나노와이어 어레이는 다층으로 형성되고,상기 다층의 나노와이어 어레이는 상기 제1 극성의 반도체층 또는 상기 제2 극성의 반도체층과 멀어질수록 각층의 나노와이어의 공간 밀도를 감소시켜, 상기 다층의 나노와이어 어레이에서 상부로 갈수록 굴절률이 점진적으로 감소하여 반사율이 최소가 되는 점진적 인덱스(Graded Index) 효과를 나타내는 것을 특징으로 하는 태양 전지
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제1항에 있어서, 상기 나노와이어 어레이는 입사되는 광의 표면 반사를 감소시키거나 산란을 통해 반도체 층 내 광흡수 효율을 증가시키는 것을 특징으로 하는 태양 전지
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제1항에 있어서, 상기 나노와이어 어레이는 일정한 주기를 갖도록 규칙적으로 배열되거나, 랜덤으로 배열되는 것을 특징으로 하는 태양 전지
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제1항에 있어서, 상기 적어도 하나 이상의 나노와이어의 공간 채움 비율은 10% 이상인 것을 특징으로 하는 태양 전지
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제1항에 있어서, 상기 적어도 하나 이상의 나노와이어의 직경은 10nm 내지 300nm인 것을 특징으로 하는 태양 전지
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제1항에 있어서, 상기 상부 전극의 상부에는 상기 상부 전극을 부분적으로 덮고 있는 서브 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지
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제1항에 있어서, 상기 하부 전극의 하부에는 서브 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지
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제1항에 있어서, 상기 적어도 하나 이상의 나노와이어는 IV족 반도체 반도체, III-V족 및 II-VI족 반도체 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지
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하부 전극 상에 제1 극성의 반도체층을 형성하는 단계;상기 제1 극성의 반도체층 상에 상기 제1 극성과 다른 극성을 갖는 제2 극성의 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 제2 극성의 반도체층 상에 상부 전극을 전이하는 단계를 포함하고,상기 상부 전극은 적어도 하나 이상의 나노와이어를 포함하는 나노와이어 어레이이고, 상기 나노와이어 어레이는 직접적으로 맞닿는 상기 제2 극성의 반도체층과 동일한 극성을 가지며,상기 제2 극성의 반도체층 상에 상부 전극을 전이하는 단계는,성장 기판 상에 제2 극성의 나노와이어를 성장시키는 단계;상기 성장된 제2 극성의 나노와이어를 수득하는 단계; 및상기 수득된 제2 극성의 나노와이어를 상기 제2 극성의 반도체층 상에 전이시켜 제2 극성의 나노와이어 어레이를 형성하는 단계를 포함하고,상기 수득된 제2 극성의 나노와이어를 제2 극성의 반도체층 상에 전이시켜 제2 극성의 나노와이어 어레이를 형성하는 단계는, 적어도 1회 이상 반복 진행하여 상기 제2 극성의 나노와이어 어레이를 다층으로 형성하며,상기 다층의 제2 극성의 나노와이어 어레이는 상기 제2 극성의 반도체층과 멀어질수록 각층의 나노와이어의 공간 밀도를 감소시켜, 상기 다층의 제2 극성의 나노와이어 어레이에서 상부로 갈수록 굴절률이 점진적으로 감소하여 반사율이 최소가 되는 점진적 인덱스(Graded Index) 효과를 나타내는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 제2 극성의 나노와이어는 화학기상증착법(chemical vapor deposition; CVD), 기상-액상-고상법(vapor-liquid-solid method), 열 화학기상증착법(thermal chemical vapor deposition; T-CVD), 급속 열처리 화학기상증착법(rapid thermal chemical vapor deposition; RTCVD), 플라즈마 화학기상증착법(plasma enhanced chemical vapor deposition; PECVD), 유도전류플라즈마 화학기상증착법(inductively coupled enhanced chemical vapor deposition; ICPCVD), 유기금속 화학기상증착법(metal organic chemical vapor deposition; MOCVD), 저압화학증기증착(low pressur chemical vapor deposition; LPCVD), 무촉매 유기금속 화학기상증착법(catalyst-free MOCVD), 상압화학증기증착(atmospheric pressure chemical vapor deposition; APCVD), 스퍼터링(sputtering), 열 또는 전자빔 증발법(thermal or electron beamevaporation) 및 펄스레이저 증착법(pulse laser deposition) 중 적어도 어느 하나의 방법으로 성장되는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 제2 극성의 나노와이어는 스핀코팅(Spin-Coating), 물리적 기상 전송법(Physical Vapor Transport), 드랍캐스팅(Drop-Casting), 용매 어닐링(Solvent Annealing), shear force transfer 및 contact printing 중 적어도 어느 하나의 방법으로 전이되는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
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