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전계효과 트랜지스터의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019008365
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본원은 전계효과 트랜지스터의 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 29/16 (2006.01.01) H01L 21/027 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01)
CPC H01L 29/66045(2013.01) H01L 29/66045(2013.01) H01L 29/66045(2013.01) H01L 29/66045(2013.01)
출원번호/일자 1020170163250 (2017.11.30)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0064014 (2019.06.10) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안종렬 경기도 수원시 장안구
2 안성준 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한선희 대한민국 서울시 강남구 논현로 *** 여산빌딩 *층 ***호(온유특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2017-1198416-35
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
단결정의 규소 산-질화물을 형성하는 단계;상기 단결정의 규소 산-질화물 상에 2 차원 물질을 전사하는 단계; 및상기 2 차원 물질을 패터닝하는 단계;를 포함하는, 전계효과 트랜지스터의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 단결정의 규소 산-질화물을 형성하는 단계는 SiC 기판을 전처리하고, 이어서 수소 및 질소 분위기 하에서 열처리하여 수행되는 것인, 전계효과 트랜지스터의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 2 차원 물질은 그래핀, 전이금속 칼코게나이드, 포스포린, 실리신, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인, 전계효과 트랜지스터의 제조 방법
4 4
제 2 항에 있어서, 상기 전처리는 초음파처리에 의해 수행되는 것인, 전계효과 트랜지스터의 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 패터닝은 포토 리소그래피, 전자빔 리소그래피, 이온-빔 리소그래피, 딥-펜 나노 리소그래피, 주사 터널링 현미경 리소그래피, 마이크로컨택 프린팅, 나노 그래프팅, 나노 쉐이빙, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택된 방법에 의해 수행되는 것인, 전계효과 트랜지스터의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 성균관대학교(자연과학캠퍼스) 방사선기술개발사업 실시간 방사선 조사 연구를 위한 마이크로/나노스케일 3차원 입체구조 리액터 구현
2 과학기술정보통신부 성균관대학교(자연과학캠퍼스) 개인기초연구(미래부) 3차원 및 4차원 오리가미 원자물질 연구