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기판, 상기 기판 상에 흡착된 탄소나노튜브 및 상기 탄소나노튜브가 흡착된 기판 상에 형성된 전극을 포함하는 탄소나노튜브 기반의 고감도 가스센서로서,상기 전극이 형성된 기판을 급속열처리(rapid thermal annealing; RTA)하여 상기 탄소나노튜브의 탄소 결합부분이 끊어지면서 형성되고, 상기 탄소나노튜브의 표면에 검출대상 가스 분자가 통과할 수 있는 크기의 홀(hole)이 적어도 하나 이상 형성되되,상기 검출대상 가스 분자 중 상기 홀을 통과한 검출대상 가스 분자는 상기 탄소나노튜브 내벽에 흡착되어 검출되고, 상기 홀을 통과하지 않은 가스분자는 상기 탄소나노튜브의 외벽에 흡착되어 검출되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 기반의 고감도 가스센서
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제1항에 있어서,상기 기판은 실리콘 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 기반의 고감도 가스센서
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제1항에 있어서,상기 기판은 실리콘 산화막이 표면에 형성된 실리콘 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 기반의 고감도 가스센서
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제1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브는 단일벽 탄소나노튜브(single-walled carbon nanotube; SWCNT)를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 기반의 고감도 가스센서
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(a) 기판 상에 탄소나노튜브를 흡착시키는 단계;(b) 상기 탄소나노튜브가 흡착된 기판 상에 전극을 형성하는 단계; 및(c) 상기 전극이 형성된 기판을 급속열처리(rapid thermal annealing; RTA)하여 상기 탄소나노튜브의 탄소 결합부분이 끊어지면서 형성되고, 상기 탄소나노튜브 표면에 검출대상 가스 분자가 통과할 수 있는 크기를 갖는 적어도 하나 이상 홀(hole)을 형성하는 단계를 포함하되,상기 검출대상 가스 분자 중 상기 홀을 통과한 검출대상 가스 분자는 상기 탄소나노튜브 내벽에 흡착되어 검출되고, 상기 홀을 통과하지 않은 가스분자는 상기 탄소나노튜브의 외벽에 흡착되어 검출되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 기반의 고감도 가스센서 제조방법
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제7항에 있어서,상기 기판은 실리콘 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 기반의 고감도 가스센서 제조방법
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제7항에 있어서,상기 기판은 실리콘 산화막이 표면에 형성된 실리콘 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 기반의 고감도 가스센서 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 탄소나노튜브는 단일벽 탄소나노튜브(single-walled carbon nanotube; SWCNT)를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 기반의 고감도 가스센서 제조방법
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제7항에 있어서,상기 열처리는 진공상태 및 아르곤(Ar) 분위기 하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 기반의 고감도 가스센서 제조방법
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제7항에 있어서,상기 열처리는 300 ~ 800 ℃에서 30 ~ 120 분(min) 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 기반의 고감도 가스센서 제조방법
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