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수중플라즈마 방전을 이용한 자성을 갖는 나노구조체 아연화합물의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019011144
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 수중플라즈마 방전방법을 이용하여 자성을 갖는 나노구조체 아연화합물을 제조하는 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 아연이온을 함유한 전해액이 충진된 소정크기의 반응조 내에 양극과 음극으로 이루어진 전극을 설치하는 단계 및 상기 양극에 전원을 인가한 후 플라즈마를 발생시키는 단계를 포함하되, 상기 양극은 텅스텐이고, 상기 음극은 백금인 것을 특징으로 하는 수중플라즈마 방전을 이용한 자성을 갖는 나노구조체 아연화합물의 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL C01G 9/02 (2006.01.01) B82Y 30/00 (2017.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01)
CPC C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01)
출원번호/일자 1020160145822 (2016.11.03)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1832069-0000 (2018.02.19)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20180223) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.11.03)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이영행 대한민국 서울특별시 성북구
2 정종수 대한민국 서울특별시 성북구
3 신유환 대한민국 서울특별시 성북구
4 샤킵 파키스탄 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 아이퍼스 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길*, *층(대치동 삼성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.11.03 수리 (Accepted) 1-1-2016-1075822-28
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.06.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.08.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0121098-17
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.08.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0574400-48
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.10.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1027516-37
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2017-1027462-60
7 등록결정서
Decision to grant
2018.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0072518-20
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번호 청구항
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아연이온을 함유한 전해액이 충진된 소정크기의 반응조 내에 텅스텐 양극과 백금 음극으로 이루어진 전극을 설치하는 단계; 및상기 양극에 전원을 인가하여 플라즈마를 발생시키는 단계를 포함하되,상기 반응조에 충진된 전해액은 200 mL 내지 300 mL이며, 상기 전해액 중의 아연이온 농도는 5 ppm 내지 50 ppm이고, 상기 전해액에는 염화칼륨(KCl), 염화나트륨(NaCl) 및 염화칼슘(CaCl2) 중 어느 하나 이상의 전해질이 100 ppm 내지 500 ppm의 농도로 포함되고,상기 양극은 내부가 비어 있는 세라믹 모세관 내부 공간부에 텅스텐이 삽입되되, 세라믹 모세관 말단부가 텅스텐 말단부보다 1
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삭제
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제1항에 있어서,상기 플라즈마의 방전에 따른 피크 투 피크 전압은 2
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제5항에 있어서,상기 전해액의 pH는 8 내지 9인 것을 특징으로 하는 수중플라즈마 방전을 이용한 자성을 갖는 나노구조체 아연화합물의 제조방법
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제1항에 있어서,플라즈마 방전은 3분 내지 30분간 이루어지는 것을 특징으로 하는 수중플라즈마 방전을 이용한 자성을 갖는 나노구조체 아연화합물의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 전해액의 pH는 8인 것을 특징으로 하는 수중플라즈마 방전을 이용한 자성을 갖는 나노구조체 아연화합물의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 플라즈마 방전의 피크 투 피크 전압은 2
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제1항에 있어서,상기 전해액의 pH는 8이고, 플라즈마 방전은 2
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제1항에 있어서,상기 반응조에는 아연이온 20 ppm 및 염화칼륨 250 ppm의 농도로 함유하는 전해액이 250 mL 충진되고,상기 양극은 내부가 비어 있는 세라믹 모세관 내부 공간부에 텅스텐이 삽입되되, 세라믹 모세관 말단부가 텅스텐 말단부보다 2
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