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개시제를 사용하는 화학기상증착 반응기(iCVD)를 이용한 고분자 막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019011748
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 황 공중합체(poly(S-r-DIB))가 코팅된 다양한 기판, 특히 리튬-황 이차전지의 황 공중합체 전극에 개시제를 이용한 화학적 기상 증착 공정 (iCVD)를 활용하여 다양한 고분자 막을 형성하고, 코팅된 고분자막은 황 공중합체가 코팅된 기판과 좋은 접착력을 보이며 이를 황 공중합체 전극에 적용하였을 때 코팅된 고분자막이 충/방전 과정간에 용출되는 폴리설파이드 음이온이 양극으로부터 전해질 층으로 빠져나가는 것을 방지하는 효과를 보인다.
Int. CL H01M 4/04 (2006.01.01) H01M 4/139 (2010.01.01) H01M 4/13 (2010.01.01) H01M 10/052 (2010.01.01) C23C 16/30 (2006.01.01) C23C 16/44 (2006.01.01)
CPC H01M 4/0428(2013.01) H01M 4/0428(2013.01) H01M 4/0428(2013.01) H01M 4/0428(2013.01) H01M 4/0428(2013.01) H01M 4/0428(2013.01) H01M 4/0428(2013.01)
출원번호/일자 1020160023381 (2016.02.26)
출원인 한국과학기술원, 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1763356-0000 (2017.07.25)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20170814) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.02.26)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
2 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임성갑 대한민국 대전광역시 유성구
2 차국현 대한민국 서울특별시 관악구
3 유영민 대한민국 대전광역시 유성구
4 김의태 대한민국 서울특별시 관악구
5 김도흥 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장제환 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, **층 (역삼동, 윤익빌딩)(*T국제특허법률사무소)
2 이처영 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, **층 (역삼동, 윤익빌딩)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
2 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2016-0191855-99
2 직권정정안내서
Notification of Ex officio Correction		 2016.02.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0031503-18
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.01.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0030415-18
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.02.09 수리 (Accepted) 1-1-2017-0136237-04
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.02.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0136238-49
6 등록결정서
Decision to grant		 2017.07.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0507903-42
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
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번호 청구항
1 1
다음의 단계를 포함하는 개시제를 사용하는 화학기상증착 반응기(iCVD)를 이용한 고분자 막의 제조방법:(a) iCVD 반응기에 황 공중합체가 코팅된 기판을 올려 놓고 고정시키는 단계; 및(b) 단량체와 개시제를 iCVD 반응기에 투입하여 상기 황 공중합체가 코팅된 기판 상에서 단량체의 중합을 통해 고분자를 증착시키는 단계,상기 황 공중합체는 폴리(S-r-디이소프로페닐 벤젠)이고,상기 단량체는 4-비닐피리딘(4-vinyl pyridine, 4VP), 2,4,6,8-테트라메틸-2,4,6,8-테트라비닐시클로테트라실록산(2,4,6,8-tetramethyl-2,4,6,8-tetravinyl cyclotetrasiloxane, V4D4), 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-헵타데카플루오로데실메타크릴레이트(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-heptadecafluorodecyl methacrylate, PFDMA), 디에틸렌글리콜디아크릴레이트(diethyleneglycoldiacrylate, DEGDA), 디메틸아미노에틸메타크릴레이트 또는 메타크릴산임
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 (b) 단계는 25~45℃의 온도 및 150~350mTorr의 압력에서 10분~12시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 고분자 막의 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 단량체와 개시제의 투입온도는 각각 20~100℃ 및 20~100℃이고, 상기 기판 및 챔버 내의 필라멘트의 온도는 각각 10~100℃ 및 100~500℃인 것을 특징으로 하는 고분자 막의 제조방법
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서,상기 (b) 단계에서 상기 단량체와 상기 개시제의 유량비는 1:1~4:1인 것을 특징으로 하는 고분자 막의 제조방법
7 7
제1항에 있어서,상기 개시제는 화학식 1 내지 화학식 5의 퍼옥사이드(peroxide) 화합물 및 벤조페논(benzophenone) 화합물로 구성된 군에서 하나 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 고분자 막의 제조방법:[화학식 1][화학식 2][화학식 3][화학식 4][화학식 5]
8 8
제1항에 있어서,상기 고분자의 두께는 1nm~10㎛인 것을 특징으로 하는 고분자 막의 제조방법
9 9
폴리(S-r-디이소프로페닐 벤젠)에 pDEGDA가 1nm~100nm의 두께로 코팅되어 있고, 100회의 사이클 이후 저장용량이 900~1500mAh/g인 것을 특징으로 하는 리튬-황 이차전지용 전극
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1 미래창조과학부 서울대학교 기초연구사업/리더연구자지원사업 지능형 유도조합체 연구단