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선택적 플라즈마 에칭 단계를 포함하는, 기계적으로 안정한 고분자 코팅된 가이드와이어의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019013018
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 합금 기재; 상기 합금 기재의 표면에 중금속 에칭에 의해 계면 없이 형성된, 나노미터 수준의 돌출부 및 함몰부를 갖는 중금속 함유 나노구조물; 및 상기 나노구조물 상에 형성된 생체적합성 고분자 코팅층을 포함하는, 고분자 코팅된 가이드와이어로서, 상기 고분자 코팅층은 나노구조물과 고분자 코팅층 사이에 빈 공간이 없도록 나노구조물의 함몰부를 채우면서 형성되어 기계적 안정성이 향상된 것인 가이드와이어 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL A61M 25/09 (2006.01.01) A61L 31/10 (2006.01.01) A61L 31/02 (2006.01.01) C23F 4/00 (2006.01.01)
CPC A61M 25/09(2013.01) A61M 25/09(2013.01) A61M 25/09(2013.01) A61M 25/09(2013.01) A61M 25/09(2013.01) A61M 25/09(2013.01) A61M 25/09(2013.01) A61M 25/09(2013.01)
출원번호/일자 1020170184326 (2017.12.29)
출원인 서울대학교산학협력단, 주식회사 제노스
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0082353 (2019.07.10) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.12.29)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
2 주식회사 제노스 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김현이 서울특시 서초구
2 이민규 서울특별시 관악구
3 정인권 경기도 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인한얼 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, *층(문정동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2017-1312214-62
2 보정요구서
Request for Amendment
2018.01.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0001891-39
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2018.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2018-0055028-70
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.04.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.05.31 수리 (Accepted) 9-1-2018-0024409-00
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.09.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0669764-15
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.11.18 수리 (Accepted) 1-1-2019-1180750-84
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2020.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0228090-09
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
합금 기재; 상기 합금 기재의 표면에 중금속 에칭에 의해 계면 없이 형성된, 나노미터 수준의 돌출부 및 함몰부를 갖는 중금속 함유 나노구조물; 및 상기 나노구조물 상에 형성된 생체적합성 고분자 코팅층을 포함하는, 고분자 코팅된 가이드와이어로서,상기 고분자 코팅층은 나노구조물과 고분자 코팅층 사이에 빈 공간이 없도록 나노구조물의 함몰부를 채우면서 형성되어 기계적 안정성이 향상된 것인 가이드와이어
2 2
제1항에 있어서,상기 합금 기재의 소재는 코발트-크롬 합금, 니켈-티타늄 합금 또는 스테인리스강인 것인 가이드와이어
3 3
제2항에 있어서,상기 합금 기재의 소재는 알루미늄, 탄탈륨, 니오븀, 바나듐, 지르코늄, 주석, 몰리브덴, 규소, 금, 팔라듐, 구리, 백금 및 은으로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상의 금속을 추가로 포함하는 것인 가이드와이어
4 4
제1항에 있어서,상기 생체적합성 고분자는 폴리테트라플루오로에틸렌(polytetrafluoroethylene; PTFE), 폴리락트산(polylactic acid; PLA), 폴리글리콜산(polyglycolic acid; PGA) 및 에폭시(epoxy)로부터 선택되는 윤활성 고분자인 것인 가이드와이어
5 5
제1항에 있어서,상기 나노구조물은 50 내지 300 nm의 평균 너비, 및 200 내지 1000 nm의 평균 깊이를 갖는 것인 가이드와이어
6 6
제1항에 있어서,상기 가이드와이어는 카테터를 유도하는 것인 가이드와이어
7 7
가이드와이어용 합금 기재; 및 상기 합금 기재를 구성하는 적어도 1종 금속의 원자량에 비해 더 높은 원자량을 갖는, 생체적합성 중금속 타겟을 이격하여 반응 챔버 내에 위치시키고, 챔버 내에 진공을 형성하는 제1단계;불활성 기체 존재 하에, 상기 중금속 타겟에 음전압을 인가하는 동시에 상기 합금 기재 상에 바이어스용 음전압을 인가하여, 중금속 이온 및 불활성 기체 이온에 의한 에칭과 중성인 중금속 원자의 증착을 경쟁적으로 발생시키는 플라즈마를 형성시킴으로써 플라즈마 에칭에 의해, 합금 기재 표면에 상기 중금속이 주입되고 나노미터 수준의 돌출부 및 함몰부를 갖는 나노구조물을 형성하는 제2단계; 및상기 나노구조물이 형성된 합금 기재 상에 생체적합성 고분자를 코팅하는 제3단계;를 포함하는, 기계적 안정성이 향상된 고분자 코팅된 가이드 와이어의 제조방법
8 8
제7항에 있어서,중금속 타겟에 인가되는 전압은 중금속 타겟으로부터 중금속 원자 또는 이온을 방출할 수 있는 전압 이상의 음전압인 것인 제조방법
9 9
제7항에 있어서,상기 합금 기재에 인가되는 전압은 중금속 타겟에 인가되는 음전압보다 큰 음전압인 것인 제조방법
10 10
제7항에 있어서,상기 중금속은 탄탈륨, 텅스텐, 레늄, 오스뮴, 이리듐, 백금 또는 금인 것인 제조방법
11 11
제7항에 있어서,상기 합금 기재의 소재는 코발트-크롬 합금, 니켈-티타늄 합금 또는 스테인리스강인 것인 제조방법
12 12
제11항에 있어서,상기 합금 기재의 소재는 알루미늄, 탄탈륨, 니오븀, 바나듐, 지르코늄, 주석, 몰리브덴, 규소, 금, 팔라듐, 구리, 백금 및 은으로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상의 금속을 추가로 포함하는 것인 제조방법
13 13
제7항에 있어서,제2단계에서 중금속이 증착된 부위는 플라즈마 에칭에 저항성을 가지므로 이외의 부분만 선택적으로 에칭되는 것인 제조방법
14 14
제7항에 있어서,상기 플라즈마 에칭은 내부에 서로 이격되어 위치한 중금속 타겟 및 표면에 나노구조물을 형성하고자 하는 합금 기재를 포함하는 진공 챔버; 및 상기 중금속 타겟 및 합금 기재에 각각 연결된 직류 전원공급장치;를 구비한 스퍼터를 기반으로 하는 장치에 의해 수행되는 것인 제조방법
15 15
제14항에 있어서,상기 진공 챔버에 불활성 기체를 주입하여 0
16 16
제7항에 있어서,제3단계는 스핀코팅, 스프레이코팅 또는 딥코팅에 의해 수행되는 것인 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.