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기판 상에 제1 질화갈륨층을 형성하는 단계;상기 제1 질화갈륨층 내 수소 이온을 주입하여 분리층을 형성하는 단계;상기 기판, 상기 형성된 제1 질화갈륨층 및 상기 형성된 분리층의 가장자리(edge)를 연마(grinding)하는 단계;상기 가장자리(edge)가 연마된 제1 질화갈륨층 상에 제2 질화갈륨층을 형성하는 단계; 및상기 가장자리(edge)가 연마된 제1 질화갈륨층으로부터 상기 형성된 제2 질화갈륨층이 자가분리되는 단계를 포함하고,상기 제2 질화갈륨층을 형성하는 단계는,상기 가장자리(edge)가 연마된 제1 질화갈륨층을 씨앗(seed)층으로하여 상기 가장자리(edge)가 연마된 제1 질화갈륨층 상에 상기 제2 질화갈륨층을 성장시키는 질화갈륨 기판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 기판 상에 제1 질화갈륨층을 형성하는 단계는,유기금속화학증착(metal-organic chemical vapor deposition, MOCVD) 공정을 이용하여 상기 제1 질화갈륨층을 형성하는 단계를 포함하는질화갈륨 기판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 질화갈륨층 내 수소 이온을 주입하여 분리층을 형성하는 단계는,상기 제1 질화갈륨층 내 1
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제1항에 있어서,상기 제1 질화갈륨층 내 수소 이온을 주입하여 분리층을 형성하는 단계는,상기 제1 질화갈륨층 내 1
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제4항에 있어서,상기 형성된 제2 질화갈륨층이 자가분리되는 단계는,상기 형성된 복수의 공동(cavity)에 기반하여 상온(room temperature)에서 상기 형성된 제2 질화갈륨층이 자가분리되는 단계를 포함하는질화갈륨 기판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 질화갈륨층 내 수소 이온을 주입하여 분리층을 형성하는 단계는,상기 제1 질화갈륨층 내 1
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제1항에 있어서,상기 기판, 상기 형성된 제1 질화갈륨층 및 상기 형성된 분리층의 가장자리(edge)를 연마(grinding)하는 단계는,상기 기판, 상기 형성된 제1 질화갈륨층 및 상기 형성된 분리층의 가장자리(edge)를 연마(grinding)하는 단계는, 상기 형성된 제1 질화갈륨층 및 상기 기판의 가장자리(edge)를 연마(grinding)하여 상기 형성된 제1 질화갈륨층 및 상기 기판의 가장자리(edge)로부터 다결정 질화갈륨의 성장을 억제 또는 상기 다결정 질화갈륨과 상기 기판의 부착력을 약화시키는 단계를 포함하는 질화갈륨 기판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 기판은, 사파이어(sapphire), GaAs(gallium arsenide), 스피넬(spinel), Si(silicon), InP(indium phosphide) 및 SiC(silicon carbide) 중 적어도 하나를 이용하여 형성되는질화갈륨 기판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 가장자리(edge)가 연마된 제1 질화갈륨층 상에 제2 질화갈륨층을 형성하는 단계는,수소화물기상증착(hydride vapor phase epitaxy, HVPE) 공정을 이용하여 상기 제2 질화갈륨층을 형성하는 단계를 포함하는질화갈륨 기판의 제조 방법
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