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반도체 소자의 제조방법
- 기술번호 : KST2014047350
- 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-6124-6930
| 요약 | 소오스와 드레인이 형성된 기판 위에, 화학적인 방법을 이용하여 산화막을 형성한 후, 이를 NH3나 N2 플라즈마 처리를 하여 산화막 내에 질소를 도핑하여 질화 산화막을 형성한다. 그리고 나서, 질화 산화막 위에 유기금속 화학기상증착법을 이용하여 코발트를 증착한 후 열처리를 하여 코발트 실리사이드를 형성시킨다, 이때 형성된 코발트 실리사이드의 격자가 실리콘의 격자와 일치하는 에피텍셜한 성장을 일으킨다. 코발트, 실리사이드, CVD, 플라즈마 처리, 질소, 도핑, SiOxNy, 열처리, 완충막, 버퍼층, 확산속도, 에피택셜, 다공성 |
|---|---|
| Int. CL | H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/285 (2006.01.01) |
| CPC | H01L 29/665(2013.01) H01L 29/665(2013.01) H01L 29/665(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020080028358 (2008.03.27) |
| 출원인 | 한양대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-0944937-0000 (2010.02.23) |
| 공개번호/일자 | 10-2009-0103028 (2009.10.01) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20100303) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2008.03.27) |
| 심사청구항수 | 8 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한양대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성동구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 전형탁 | 대한민국 | 서울 노원구 |
| 2 | 이재상 | 대한민국 | 서울 성동구 |
| 3 | 이근우 | 대한민국 | 서울 성동구 |
| 4 | 박태용 | 대한민국 | 경기 고양시 일산동구 |
| 5 | 김동옥 | 대한민국 | 서울 강남구 |
| 6 | 이지선 | 대한민국 | 서울 강남구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 정현영 | 대한민국 | 서울특별시 금천구 벚꽃로 ***, ****호-** (가산동, 대륭포스트타워*차)(정특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한양대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성동구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2008.03.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0222232-16 |
| 2 | [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Resignation of Agent] Report on Agent (Representative) |
2008.06.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0435269-23 |
| 3 | [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Resignation of Agent] Report on Agent (Representative) |
2009.07.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0466165-34 |
| 4 | [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Resignation of Agent] Report on Agent (Representative) |
2009.07.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0466592-16 |
| 5 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2009.10.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0442576-81 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2009.11.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0707597-86 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2009.11.18 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2009-0707607-55 |
| 8 | 등록결정서 Decision to grant |
2010.02.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0068234-22 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.06.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5068294-39 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.02.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5022074-70 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5155816-75 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5156285-09 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 단결정 실리콘 기판 위에 다공성의 질화 산화막(SiOxNy)을 형성하는 단계; 상기 질화 산화막 위에 코발트를 증착하여 코발트 막을 형성하는 단계; 및 상기 질화 산화막을 완충막으로 하여 상기 코발트 막의 코발트 원자가 상기 실리콘 기판과 반응하여 코발트 실리사이드를 형성하도록 열처리를 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법 |
| 2 |
2 청구항 1에 있어서, 상기 질화 산화막 형성단계는, 상기 실리콘 기판 위에 다공성 산화막을 화학적으로 성장하는 단계; 및 상기 산화막을 N2 또는 NH3 기체를 이용하여 플라즈마 처리하여 질소를 상기 산화막 내로 도핑시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법 |
| 3 |
3 청구항 2에 있어서, 상기 화학적 성장은 상기 실리콘 기판을 HCl : H2O2 : H2O = 3 : 1 : 1의 조성을 갖는 화학 용액에 담가 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법 |
| 4 |
4 청구항 1에 있어서, 상기 질화 산화막은 1 내지 2㎚의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법 |
| 5 |
5 청구항 1에 있어서, 상기 코발트 막은 1 내지 20㎚의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법 |
| 6 |
6 청구항 2에 있어서, 상기 플라즈마 처리는 원격 플라즈마 처리 또는 다이렉트 플라즈마 처리인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법 |
| 7 |
7 청구항 6에 있어서, 상기 원격 플라즈마 처리는 공정압이 5 Torr보다 낮은 압력에서 수행하고, 충분한 평균자유행정(mean free path)을 갖도록 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법 |
| 8 |
8 청구항 1에 있어서, 상기 코발트 막은 물리기상증착법이나 화학기상증착법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 과학기술부 | 한양대학교 | 테라급나노소자개발사업 | 단원자층 증착기술 개발 |
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-0944937-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20080327 출원 번호 : 1020080028358 공고 연월일 : 20100303 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20100218 청구범위의 항수 : 8 유별 : H01L 21/336 발명의 명칭 : 반도체 소자의 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20160224 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 178,500 원 | 2010년 02월 24일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 216,000 원 | 2013년 01월 11일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 216,000 원 | 2013년 12월 30일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 151,200 원 | 2015년 01월 05일 | 납입 |
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- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2008.03.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0222232-16 |
| 2 | [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2008.06.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0435269-23 |
| 3 | [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2009.07.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0466165-34 |
| 4 | [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2009.07.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0466592-16 |
| 5 | 의견제출통지서 | 2009.10.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0442576-81 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2009.11.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0707597-86 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서 | 2009.11.18 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2009-0707607-55 |
| 8 | 등록결정서 | 2010.02.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0068234-22 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.06.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5068294-39 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.02.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5022074-70 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5155816-75 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5156285-09 |
| 기술번호 | KST2014047350 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 한양대학교 |
| 기술명 | 반도체 소자의 제조방법 |
| 기술개요 |
소오스와 드레인이 형성된 기판 위에, 화학적인 방법을 이용하여 산화막을 형성한 후, 이를 NH3나 N2 플라즈마 처리를 하여 산화막 내에 질소를 도핑하여 질화 산화막을 형성한다. 그리고 나서, 질화 산화막 위에 유기금속 화학기상증착법을 이용하여 코발트를 증착한 후 열처리를 하여 코발트 실리사이드를 형성시킨다, 이때 형성된 코발트 실리사이드의 격자가 실리콘의 격자와 일치하는 에피텍셜한 성장을 일으킨다. 코발트, 실리사이드, CVD, 플라즈마 처리, 질소, 도핑, SiOxNy, 열처리, 완충막, 버퍼층, 확산속도, 에피택셜, 다공성 |
| 개발상태 | 기술개발진행중 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | 반도체 |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 기술매매,라이센스, |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1345071157 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 과C6A2008 |
| 연구과제명 | 나노기반Imagineer양성사업단 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
| 연구주관기관명 | 한양대학교 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200603~201302 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
특허성과
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| 심판사항 정보가 없습니다 |
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