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플라즈마 가스처리를 이용한 산화박막의 안정성이 우수한ＲｅＲＡＭ 소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015140647
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 산화박막을 플라즈마 가스처리함으로써 산화박막의 안정화를 개선할 수 있는 ReRAM 소자의 제조방법이 제공된다.ReRAM 소자의 제조방법은, 기판상에 하부 전극막을 형성하는 단계,진공분위기에서 상기 하부 전극막상에 산화박막을 형성하는 단계,진공분위기에서 상기 산화박막을 플라즈마 가스처리하는 단계,상기 플라즈마 가스처리된 산화박막상에 상부 전극막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.본 발명에 따르면, ReRAM 소자용 산화박막의 안정화를 위해 플라즈마 가스처리를 진행하기 때문에 공정이 간단하고 ReRAM 소자 동작시 안정된 세트/리셋 전압으로 소자동작의 안정성을 확보하여 고효율의 비휘발성 메모리 소자를 구현할 수 있다.비휘발성 메모리, ReRAM 소자, 산화박막, 플라즈마 가스처리, 댕글링 결합, 세트/리셋 전압
Int. CL H01L 45/00 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 45/145(2013.01) H01L 45/145(2013.01)
출원번호/일자 1020050092063 (2005.09.30)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0694316-0000 (2007.03.06)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070314) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.09.30)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍진표 대한민국 서울 성동구
2 도영호 대한민국 경기 성남시 분당구
3 윤갑수 대한민국 서울 광진구
4 이경남 대한민국 서울 송파구
5 정구웅 대한민국 충남 공주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인씨엔에스 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2005-0556259-12
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.07.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.08.14 수리 (Accepted) 9-1-2006-0054124-15
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.09.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0554495-15
5 의견서
Written Opinion		 2006.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2006-0867246-70
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.11.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0867247-15
7 등록결정서
Decision to grant		 2007.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0115428-82
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판상에 하부 전극막을 형성하는 단계,진공분위기에서 상기 하부 전극막상에 산화박막을 형성하는 단계,진공분위기에서 상기 산화박막을 30~100W, 5~15분간 플라즈마 가스처리하는 단계,상기 플라즈마 가스처리된 산화박막상에 상부 전극막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 플라즈마 가스처리를 이용한 산화박막의 안정성이 우수한 ReRAM 소자의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 산화박막은 이원산화물인 MgO, ZnO, TiO2, NiO, SiO2, Nb2O5, HfO2, V2O5 또는 페로브스카이트계인 PCMO, LCMO에서 선택된 1종임을 특징으로 하는 플라즈마 가스처리를 이용한 산화박막의 안정성이 우수한 ReRAM 소자의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 산화박막의 두께는 10~700nm 임을 특징으로 하는 플라즈마 가스처리를 이용한 산화박막의 안정성이 우수한 ReRAM 소자의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 플라즈마 가스처리단계에서 가스는, H2, He, Ar, O2, N의 그룹에서 선택된 1종이상을 사용하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 가스처리를 이용한 산화박막의 안정성이 우수한 ReRAM 소자의 제조방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 플라즈마 가스처리단계에서 가스는 H2, He을 사용하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 가스처리를 이용한 산화박막의 안정성이 우수한 ReRAM 소자의 제조방법
6 6
제4항에 있어서, 상기 플라즈마 가스처리단계에서 가스는 O2를 사용하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 가스처리를 이용한 산화박막의 안정성이 우수한 ReRAM 소자의 제조방법
7 7
삭제
8 8
제1항에 있어서, 상기 플라즈마 가스처리단계는 상온에서 수행됨을 특징으로 하는 플라즈마 가스처리를 이용한 산화박막의 안정성이 우수한 ReRAM 소자의 제조방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 플라즈마 가스처리단계는 1×10-2 ~ 1×10-3Torr의 진공조건에서 수행됨을 특징으로 하는 플라즈마 가스처리를 이용한 산화박막의 안정성이 우수한 ReRAM 소자의 제조방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 플라즈마 가스처리단계는 RF 플라즈마, ECR 플라즈마에서 선택되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 가스처리를 이용한 산화박막의 안정성이 우수한 ReRAM 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.