1 |
1
기판 상에 PAG (photoacid generator)를 포함하는 포토레지스트막을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트막의 제1 영역을 노광하여 상기 제1 영역에서 산을 발생시키는 단계와, 상기 기판에 대면하는 전극을 가지는 전기장 인가 장치를 이용하여 상기 포토레지스트막과 상기 전극과의 사이의 공간을 채우는 전기장 전달층을 통해 상기 포토레지스트막에 상기 기판의 주면 연장 방향에 수직으로 전기장을 인가하여 상기 포토레지스트막에서 상기 산을 확산시키는 단계와, 상기 포토레지스트막을 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 전기장 전달층은 이온 함유층 또는 전도성 고분자층으로 이루어지는 집적회로 소자의 제조 방법
|
2 |
2
제1항에 있어서, 상기 전기장 전달층은 이온수를 포함하고, 상기 이온수는 NaCl, KCl, LiCl, NaNO3, 또는 C4H12NCl (tetramethylammonium chloride)로부터 얻어지는 이온들과 물로 이루어지는 집적회로 소자의 제조 방법
|
3 |
3
제1항에서, 상기 산을 확산시키는 단계는 상기 포토레지스트막의 상면과 상기 전극이 이격 공간을 사이에 두고 이격되도록 상기 기판 및 상기 전극을 위치시키는 단계와, 상기 이격 공간 내에 이온수를 주입하여 상기 전기장 전달층을 형성하는 단계와, 상기 전기장 인가 장치를 이용하여 상기 이온수를 통해 상기 포토레지스트막에 전기장을 인가하는 단계를 포함하는 집적회로 소자의 제조 방법
|
4 |
4
제1항에서, 상기 산을 확산시키는 단계는 상기 전극의 표면에 이온 겔 패턴을 부착하는 단계와, 상기 포토레지스트막의 상면과 상기 이온 겔 패턴이 접하도록 상기 기판 및 상기 전극을 위치시키는 단계와, 상기 전기장 인가 장치를 이용하여 상기 이온 겔 패턴을 통해 상기 포토레지스트막에 전기장을 인가하는 단계를 포함하는 집적회로 소자의 제조 방법
|
5 |
5
제1항에 있어서, 상기 전기장 전달층은 전도성 고분자층을 포함하는 집적회로 소자의 제조 방법
|
6 |
6
제1 전극과, 기판을 지지하는 지지면을 가지는 제2 전극과, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 연결되어 상기 제1 전극과 상기 제2 전극과의 사이에 전기장을 인가하기 위한 전원을 포함하는 전기장 인가 장치를 준비하는 단계와, 기판 상에 PAG를 포함하는 포토레지스트막을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트막의 제1 영역을 노광하여 상기 제1 영역에서 산을 발생시키는 단계와, 이온 함유층으로 이루어지는 전기장 전달층을 사이에 두고 상기 포토레지스트막과 상기 제1 전극이 대면하도록 상기 기판을 위치시키는 단계와, 상기 전기장 인가 장치를 이용하여 상기 전기장 전달층을 통해 상기 포토레지스트막에 상기 기판의 주면 연장 방향에 수직으로 전기장을 인가하여 상기 포토레지스트막에서 상기 산을 확산시키는 단계와, 상기 포토레지스트막을 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 집적회로 소자의 제조 방법
|
7 |
7
제6항에 있어서, 상기 전기장 전달층은 NaCl, KCl, LiCl, NaNO3, 또는 C4H12NCl (tetramethylammonium chloride)로부터 얻어지는 이온들을 포함하는 집적회로 소자의 제조 방법
|
8 |
8
제6항에 있어서, 상기 전기장 전달층은 이미다졸륨(imidazolium) 양이온과, Br-, BF4-, 또는 N-(SO2CF3)2 음이온을 포함하는 집적회로 소자의 제조 방법
|
9 |
9
제1 전극과, 기판을 지지하는 지지면을 가지는 제2 전극과, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 연결되어 상기 제1 전극과 상기 제2 전극과의 사이에 전기장을 인가하기 위한 전원을 포함하는 전기장 인가 장치를 준비하는 단계와, 기판 상에 PAG를 포함하는 포토레지스트막을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트막 상에 전도성 고분자층으로 이루어지는 전기장 전달층을 형성하는 단계와, 상기 전기장 전달층을 통해 상기 포토레지스트막의 제1 영역을 노광하여 상기 제1 영역에서 산을 발생시키는 단계와, 상기 전기장 전달층을 사이에 두고 상기 포토레지스트막과 상기 제1 전극이 대면하도록 상기 기판을 위치시키는 단계와, 상기 전기장 인가 장치를 이용하여 상기 제1 전극이 상기 전기장 전달층과 접해 있는 상태에서 상기 전기장 전달층을 통해 상기 포토레지스트막에 상기 기판의 주면 연장 방향에 수직으로 전기장을 인가하여 상기 포토레지스트막에서 상기 산을 확산시키는 단계와, 상기 포토레지스트막을 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 집적회로 소자의 제조 방법
|
10 |
10
제9항에 있어서, 상기 전기장 전달층을 형성하는 단계는 상기 포토레지스트막 상에 전도성 고분자를 코팅하는 단계를 포함하는 집적회로 소자의 제조 방법
|