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기판 상에 배치된 강자성층; 상기 강자성층 상에 적층된 비자성 도전층; 상기 비자성 도전층 상에 적층된 반강자성층; 및상기 강자성층과 상기 비자성 도전층의 배치평면의 양측면에 각각 접촉하는 제1, 제2 전극들을 포함하고,상기 반강자성층은 막면에 대하여 수직 혹은 수평한 방향으로 자화되는 물질로 이루어진 박막이며,상기 강자성층은 상기 강자성층의 막면에서 수평한 방향으로 자화되고,상기 제1, 제2 전극들을 통해 상기 강자성층과 상기 비자성 도전층에 주입된 면내 전류는 상기 반강자성층에 전달되는 박막의 두께 방향의 스핀을 포함하는 스핀 전류를 제공하여 상기 반강자성층의 부격자의 자화 세차운동을 발생시키는 것을 특징으로 하는 자기 나노 발진 소자
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제1 항에 있어서,상기 반강자성층 상에 배치된 자기터널 접합을 더 포함하고,상기 자기 터널 접합은 자유층/터널 절연층/고정층을 포함하고,상기 자기터널 접합의 상기 자유층은 상기 반강자성층과 교환상호작용하는 것을 특징으로 하는 자기 나노 발진 소자
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제1 항에 있어서,상기 강자성층은 Fe, Co, Ni, B, Si, Zr 및 이들의 혼합물 중에서 선택되는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 자기 나노 발진 소자
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제1 항에 있어서,상기 반강자성층은 Ir, Pt, Mn, Cr, FeMn, NiO, Fe2O3 및 이들의 혼합물 중에서 선택되는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 자기 나노 발진 소자
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제1 항에 있어서,상기 비자성 도전층은 Cu, Ta, Pt, W, Ti, Bi 및 이들의 혼합물 중에서 선택되는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 자기 나노 발진 소자
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6
제1 항에 있어서,상기 제1, 제2 전극들은 Cu, Ta, Pt, W, Ti, Bi, Ir 및 이들의 혼합물 중에서 선택되는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기 나노 발진 소자
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7
기판 상에 배치된 강자성층; 상기 강자성층 상에 적층된 비자성 도전층; 상기 비자성 도전층 상에 적층된 페리자성층; 및상기 강자성층과 상기 비자성 도전층의 배치평면의 양측면에 각각 접촉하는 제1, 제2 전극들을 포함하고,상기 페리자성층은 막면에 대하여 수직 혹은 수평한 방향으로 자화되는 물질로 이루어진 박막이며, 상기 강자성층은 상기 강자성층의 막면에서 수평한 방향으로 자화되고,상기 제1, 제2 전극들을 통해 상기 강자성층과 상기 비자성 도전층에 주입된 면내 전류는 상기 페리자성층에 전달되는 박막의 두께 방향의 스핀을 포함하는 스핀 전류를 제공하여 상기 페리자성층의 부격자의 자화 세차운동을 발생시키는 것을 특징으로 하는 자기 나노 발진 소자
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8
제7 항에 있어서,상기 페리자성층 상에 배치된 자기터널 접합을 더 포함하고,상기 자기 터널 접합은 자유층/터널 절연층/고정층을 포함하고,상기 자기터널 접합의 상기 자유층은 상기 페리자성층과 교환상호작용하는 것을 특징으로 하는 자기 나노 발진 소자
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제7 항에 있어서,상기 페리자성층은 Co, Gd, Tb, Mn, Ir, Ge, Se, Cr, Y, Fe, 가넷, 희토류-전이 금속 (RE-TM) 합금 및 이들의 혼합물 중에서 선택되는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기 나노 발진 소자
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기판 상에 배치된 제1 강자성층; 상기 제1 강자성층에 배치된 제1 비자성 도전층; 상기 제1 비자성 도전층 상에 배치된 제2 강자성층; 상기 제2 강자성층 상에 배치된 제2 비자성 도전층; 상기 제2 비자성 도전층 상에 배치된 제3 강자성층; 및상기 제1 강자성층과 상기 제1 비자성 도전층의 배치평면의 양측면에 각각 접촉하는 제1, 제2 전극들을 포함하고,상기 제1 강자성층은 고정 자화 방향을 갖고, 막면에 대하여 평행한 방향으로 자화되는 물질로 이루어진 박막이며,상기 제2 강자성층과 상기 제3 강자성층은 상기 제2 비자성 도전층으로 인해 반강자성 교환 상호작용을 하는 박막이며, 상기 제1, 제2 전극들을 통해 상기 제1 강자성층과 상기 제1 비자성 도전층에 주입된 면내 전류는 상기 제2 강자성층과 상기 제3 강자성층에 전달되는 박막의 두께 방향의 스핀을 포함하는 스핀 전류를 제공하여 상기 제2 강자성층과 상기 제3 강자성층의 자화 세차운동을 각각 발생시키는 것을 특징으로 하는 자기 나노 발진 소자
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제10 항에 있어서,상기 제3 강자성층 상에 배치된 자기터널 접합을 더 포함하고,상기 자기 터널 접합은 터널 절연층/고정층을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 나노 발진 소자
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제10 항에 있어서,상기 제1 강자성층, 상기 제2 강자성층, 및 상기 제3 강자성층은 Fe, Co, Ni, B, Si, Zr 및 이들의 혼합물 중에서 선택되는 물질로 이루어지고,상기 제1 비자성 도전층은 Cu, Ta, Pt, W, Ti, Bi 및 이들의 혼합물 중에서 선택되는 물질로 이루어지고,상기 제2 비자성 도전층은 Ru, Ta, Rh, Ir, Cr, Re, Mo, W, V 및 이들의 혼합물 중에서 선택되는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 자기 나노 발진 소자
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