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고분자 물질 및 제1 도펀트를 포함하는 제1 도펀트 용액을 기판 상에 코팅하여 제1 전도성 처리된 전도성 고분자 박막을 형성하는 단계; 및피로닌 B(pyronin B)를 포함하는 제2 도펀트 용액을 상기 전도성 고분자 박막에 제2 전도성 처리하여 고전도성 고분자 박막을 형성하는 단계; 를 포함하고,상기 피로닌 B는 상기 고분자 물질을 상분리시켜 그레인(grain) 간의 연결을 유도하는 것을 특징으로 하는 고전도성 고분자 박막의 제조 방법
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고분자 물질 및 제1 도펀트를 포함하는 제1 도펀트 용액을 기판 상에 코팅하여 제1 전도성 처리된 전도성 고분자 박막을 형성하는 단계; 및피로닌 B(pyronin B)를 포함하는 제2 도펀트 용액을 상기 전도성 고분자 박막에 제2 전도성 처리하여 고전도성 고분자 박막을 형성하는 단계; 를 포함하고,상기 고전도성 고분자 박막의 면저항은 상기 피로닌 B의 농도에 의해 조절되는 것을 특징으로 하는 고전도성 고분자 박막의 제조 방법
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제3항에 있어서, 상기 피로닌 B의 농도는 0
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제1항에 있어서, 상기 고분자 물질 및 상기 제1 도펀트의 부피비는 10:1인 것을 특징으로 하는 고전도성 고분자 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제2 도펀트 용액은 상기 제1 도펀트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고전도성 고분자 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 전도성 처리된 전도성 고분자 박막을 120℃ 내지 150℃의 온도에서 열처리하는 제1 열처리 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고전도성 고분자 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제2 전도성 처리된 전도성 고분자 박막인 고전도성 고분자 박막을 120℃ 내지 150℃의 온도에서 열처리하는 제2 열처리 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고전도성 고분자 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 고전도성 고분자 박막을 패터닝하여 투명 전극을 제조하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고전도성 고분자 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 고분자 물질은 폴리티오펜계, 폴리피롤계, 폴리페닐렌계, 폴리아닐린계 및 폴리아세틸렌계 중 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 고전도성 고분자 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 고분자 물질은 폴리에틸렌디옥시티오펜:폴리스티렌술포네이트(PEDOT:PSS)인 것을 특징으로 하는 고전도성 고분자 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 도펀트는 디메틸설폭사이드(DMSO), 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 이소프론, 프로필렌카보네이트, 시클로헥사논, 부티로락톤, 염산(HCl), N-메틸피롤리돈(NMP), N,N-디메틸포름아미드(DMF) 및 N-디메틸아세트이미드(DMA) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 극성용매인 것을 특징으로 하는 고전도성 고분자 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 기판은 유리(glass), 석영(quartz), 사파이어(sapphire), 알루미늄 산화물(Al2O3), 폴리디메틸실록산(PDMS; polydimethylsiloxane), 폴리에테르술폰(PES; polyethersulfone), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN; polyethylene naphthalate), 폴리스티렌(polystyrene), 폴리에틸렌 테페프탈레이트(PET; polyethylene terephthalate), 폴리이미드(PI; polyamide), 폴리염화비닐 (PVC; polyvinyl chloride), 폴리비닐피롤리돈(PVP; polyvinylpyrrolidone), 폴리에틸렌(PE; polyethylene), 폴리아크릴(polyacrylic) 및 폴리에스테르(PS; polyester) 및 폴리우레탄(PU; polyurethane) 중 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 고전도성 고분자 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 전도성 고분자 박막은 블레이드 코팅(blade coating), 바코팅(bar coating), 스프레이 코팅(spray coating), 스핀 코팅(spin coating), 브러쉬 코팅(brush coating), 딥 코팅(dip coating) 및 그라비아 코팅(gravure coating) 중 적어도 하나의 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 고전도성 고분자 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 고전도성 고분자 박막을 형성하는 단계는 침지법 또는 스프레이법에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 고전도성 고분자 박막의 제조 방법
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청구항 제1항, 청구항 제3항 내지 청구항 제15항 중 어느 한 항에 따른 고전도성 고분자 박막의 제조 방법에 의해 제조된 고전도성 고분자 박막의 면저항 값은 200 Ω/□ 이하인 것을 특징으로 하는 고전도성 고분자 박막
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